Nature.com သို့ ဝင်ရောက်ကြည့်ရှုသည့်အတွက် ကျေးဇူးတင်ပါသည်။ သင်အသုံးပြုနေသော browser ဗားရှင်းတွင် CSS ပံ့ပိုးမှု အကန့်အသတ်ရှိသည်။ အကောင်းဆုံးအတွေ့အကြုံအတွက်၊ အပ်ဒိတ်လုပ်ထားသော browser ကို အသုံးပြုရန် (သို့မဟုတ် Internet Explorer ရှိ Compatibility Mode ကို ပိတ်ရန်) အကြံပြုအပ်ပါသည်။ ထိုအတောအတွင်း၊ ဆက်လက်ပံ့ပိုးမှုရရှိစေရန်အတွက်၊ ကျွန်ုပ်တို့သည် ဆိုက်ကို styles နှင့် JavaScript မပါဘဲ render လုပ်ပါမည်။
TiO2 သည် photoelectric conversion အတွက်အသုံးပြုသော semiconductor ပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ အလင်းအသုံးပြုမှုကို ပိုမိုကောင်းမွန်စေရန်အတွက် နီကယ်နှင့် ငွေဆာလဖိုက်နာနိုအမှုန်များကို TiO2 နာနိုဝါယာကြိုးများ၏မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် ရိုးရှင်းသော dipping နှင့် photoreduction နည်းလမ်းဖြင့် ပေါင်းစပ်ခဲ့သည်။ 304 သံမဏိပေါ်တွင် Ag/NiS/TiO2 နာနိုကွန်ပိုဆိုက်များ၏ cathodic protective action ကို လေ့လာမှုများစွာပြုလုပ်ခဲ့ပြီး ပစ္စည်းများ၏ morphology၊ ပါဝင်မှုနှင့် အလင်းစုပ်ယူမှုဝိသေသလက္ခဏာများကို ဖြည့်စွက်ထားသည်။ ရလဒ်များအရ နီကယ်ဆာလဖိုက်စိမ့်ဝင်ခြင်း-မိုးရွာသွန်းမှုစက်ဝန်းအရေအတွက် 6 ဖြစ်ပြီး ငွေနိုက်ထရိတ် photoreduction အာရုံစူးစိုက်မှု 0.1M ဖြစ်သောအခါ ပြင်ဆင်ထားသော Ag/NiS/TiO2 နာနိုကွန်ပိုဆိုက်များသည် 304 သံမဏိအတွက် အကောင်းဆုံး cathodic protection ကို ပေးစွမ်းနိုင်ကြောင်း ပြသသည်။
နေရောင်ခြည်ကို အသုံးပြု၍ photocathode ကာကွယ်မှုအတွက် n-type semiconductors များ အသုံးချခြင်းသည် မကြာသေးမီနှစ်များအတွင်း ရေပန်းစားသော အကြောင်းအရာတစ်ခု ဖြစ်လာခဲ့သည်။ နေရောင်ခြည်ကြောင့် လှုံ့ဆော်ခံရသောအခါ၊ semiconductor ပစ္စည်း၏ valence band (VB) မှ အီလက်ထရွန်များသည် conduction band (CB) ထဲသို့ လှုံ့ဆော်ခံရပြီး photogenerated electrons များ ထုတ်လုပ်မည်ဖြစ်သည်။ semiconductor သို့မဟုတ် nanocomposite ၏ conduction band potential သည် bound metal ၏ self-etching potential ထက် အနုတ်လက္ခဏာဆောင်ပါက၊ ဤ photogenerated electrons များသည် bound metal ၏ မျက်နှာပြင်သို့ လွှဲပြောင်းသွားမည်ဖြစ်သည်။ အီလက်ထရွန်များ စုပုံလာခြင်းသည် သတ္တု၏ cathodic polarization ကို ဖြစ်ပေါ်စေပြီး ဆက်စပ်သတ္တု ၁၊ ၂၊ ၃၊ ၄၊ ၅၊ ၆၊ ၇ ၏ cathodic protection ကို ပေးစွမ်းမည်ဖြစ်သည်။ anodic reaction သည် semiconductor ပစ္စည်းကိုယ်တိုင်ကို ယိုယွင်းပျက်စီးစေခြင်းမရှိသော်လည်း photogenerated holes သို့မဟုတ် adsorbed organic pollutants များမှတစ်ဆင့် ရေကို oxidation လုပ်ခြင်း သို့မဟုတ် photogenerated holes များကို ထောင်ချောက်ဆင်ရန် collectors များ ရှိနေခြင်းကြောင့် semiconductor ပစ္စည်းကို non-sacrificial photoanode အဖြစ် သီအိုရီအရ သတ်မှတ်သည်။ အရေးကြီးဆုံးမှာ semiconductor ပစ္စည်းတွင် ကာကွယ်ထားသော သတ္တု၏ corrosion potential ထက် အနုတ်လက္ခဏာဆောင်သော CB potential ရှိရမည်။ ထိုအခါမှသာ ဓာတ်ပုံထုတ်လုပ်ထားသော အီလက်ထရွန်များသည် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း၏ လျှပ်ကူးမှုအလွှာမှ ကာကွယ်ထားသော သတ္တုသို့ ဖြတ်သန်းသွားနိုင်သည်။ ဓာတ်ပုံဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ ချေးခံနိုင်ရည်လေ့လာမှုများသည် ခရမ်းလွန်ရောင်ခြည် (< 400 nm) ကိုသာ တုံ့ပြန်သည့် ကျယ်ပြန့်သော band gaps (3.0–3.2EV)1,2,3,4,5,6,7 ရှိသော inorganic n-type semiconductor ပစ္စည်းများပေါ်တွင် အာရုံစိုက်ခဲ့ပြီး အလင်းရရှိနိုင်မှုကို လျော့ကျစေပါသည်။ ဓာတ်ပုံဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ ချေးခံနိုင်ရည်လေ့လာမှုများသည် ခရမ်းလွန်ရောင်ခြည် (< 400 nm) ကိုသာ တုံ့ပြန်သည့် ကျယ်ပြန့်သော band gaps (3.0–3.2EV)1,2,3,4,5,6,7 ရှိသော inorganic n-type semiconductor ပစ္စည်းများပေါ်တွင် အာရုံစိုက်ခဲ့ပြီး အလင်းရရှိနိုင်မှုကို လျော့ကျစေပါသည်။ Исследования стойкости к фотохимической коррозии были сосредоточены на неорганических полупроводниковырих широкой запрещенной зоной (3,0–3,2 EV)1,2,3,4,5,6,7, которые реагируют только на ультрафиолетовое излутрафиолетовое излутрафиолетовое излутрафиолетовое уменьшение доступности света။ ဓာတ်ပုံဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ ချေးခံနိုင်ရည်ရှိမှုဆိုင်ရာ သုတေသနသည် ခရမ်းလွန်ရောင်ခြည် (< 400 nm) ကိုသာ တုံ့ပြန်သည့် ကျယ်ပြန့်သော bandgap (3.0–3.2 EV)1,2,3,4,5,6,7 ရှိသော n-type inorganic semiconductor ပစ္စည်းများအပေါ် အာရုံစိုက်ခဲ့ပြီး အလင်းရရှိနိုင်မှု လျော့နည်းပါသည်။光化学耐腐蚀性研究主要集中在具有宽带隙(3.0–3.2EV)1,2,3,4,5,6,7 的无机n型半导体材料上，这些材料仅对紫外光（<400 nm）有响应，减少光的可用性。光化学耐腐蚀性研究主要在具有宽带隙宽带隙宽带隙 (3.0–3.2ev) 1.2,3,4,75,6,材料上，这些材料仅对 (<400 nm) 有 有 有 有 有 有 有 有 有 有 有 有 有 有 有 。 有响应，减少光的可用性。 Исследования стойкости к фотохимической коррозии в основном были сосредоточены на неорганических полуниртров n-типа с широкой запрещенной зоной (3,0–3,2EV)1,2,3,4,5,6,7, которые чувствительны только к Ученизлум (4) ဓာတ်ပုံဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ ချေးခံနိုင်ရည်ရှိမှုဆိုင်ရာ သုတေသနသည် UV ရောင်ခြည်ကိုသာ အာရုံခံနိုင်သော wide bandgap (3.0–3.2EV)1,2,3,4,5,6,7 n-type inorganic semiconductor ပစ္စည်းများ (<400 nm) ကို အဓိကထား လေ့လာခဲ့သည်။တုံ့ပြန်မှုအနေဖြင့် အလင်းရောင်ရရှိနိုင်မှု လျော့နည်းသွားသည်။
ရေကြောင်းချေးခြင်းကာကွယ်ရေးနယ်ပယ်တွင်၊ photoelectrochemical cathodic protection နည်းပညာသည် အဓိကအခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်သည်။ TiO2 သည် UV အလင်းစုပ်ယူမှုနှင့် photocatalytic ဂုဏ်သတ္တိများ အလွန်ကောင်းမွန်သော semiconductor ပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ သို့သော်၊ အလင်းအသုံးပြုမှုနှုန်းနည်းပါးခြင်းကြောင့် photogenerated electron holes များသည် အလွယ်တကူပေါင်းစပ်သွားပြီး မှောင်မိုက်သောအခြေအနေများတွင် ကာကွယ်၍မရပါ။ ကျိုးကြောင်းဆီလျော်ပြီး လက်တွေ့ကျသောဖြေရှင်းချက်ကိုရှာဖွေရန် နောက်ထပ်သုတေသနပြုလုပ်ရန် လိုအပ်ပါသည်။ TiO2 ၏ photosensitivity ကိုတိုးတက်စေရန်အတွက် မျက်နှာပြင်ပြုပြင်မွမ်းမံခြင်းနည်းလမ်းများစွာကို အသုံးပြုနိုင်ကြောင်း သတင်းပို့ထားပြီး၊ ဥပမာ Fe၊ N ဖြင့် doping လုပ်ခြင်းနှင့် Ni3S2၊ Bi2Se3၊ CdTe စသည်တို့နှင့် ရောနှောခြင်းကဲ့သို့သော နည်းလမ်းများစွာရှိသည်။ ထို့ကြောင့် photoelectric conversion efficiency မြင့်မားသောပစ္စည်းများနှင့် TiO2 ပေါင်းစပ်မှုကို photogenerated cathodic protection နယ်ပယ်တွင် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်အသုံးပြုကြသည်။
နီကယ်ဆာလဖိုက်သည် 1.24 eV8.9 သာရှိသော ကျဉ်းမြောင်းသော band gap ရှိသော semiconductor ပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ band gap ကျဉ်းလေ၊ အလင်းအသုံးပြုမှု အားကောင်းလေဖြစ်သည်။ နီကယ်ဆာလဖိုက်ကို တိုက်တေနီယမ်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ်မျက်နှာပြင်နှင့် ရောစပ်ပြီးနောက် အလင်းအသုံးပြုမှုအဆင့်ကို တိုးမြှင့်နိုင်သည်။ တိုက်တေနီယမ်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ်နှင့် ပေါင်းစပ်လိုက်သောအခါ၊ ၎င်းသည် photogenerated electrons နှင့် holes များ၏ ခွဲထုတ်မှုစွမ်းဆောင်ရည်ကို ထိရောက်စွာတိုးတက်စေနိုင်သည်။ နီကယ်ဆာလဖိုက်ကို electrocatalytic hydrogen ထုတ်လုပ်မှု၊ ဘက်ထရီများနှင့် ညစ်ညမ်းပစ္စည်းများပြိုကွဲခြင်း8,9,10 တို့တွင် တွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုကြသည်။ သို့သော်၊ photocathode ကာကွယ်မှုတွင် ၎င်းကိုအသုံးပြုခြင်းကို မတွေ့ရှိရသေးပါ။ ဤလေ့လာမှုတွင်၊ TiO2 အလင်းအသုံးပြုမှုစွမ်းဆောင်ရည်နိမ့်ကျခြင်းပြဿနာကို ဖြေရှင်းရန် bandgap ကျဉ်းမြောင်းသော semiconductor ပစ္စည်းတစ်ခုကို ရွေးချယ်ခဲ့သည်။ နီကယ်နှင့် ငွေဆာလဖိုက်နာနိုအမှုန်များကို TiO2 nanowires များ၏မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် immersion နှင့် photoreduction နည်းလမ်းများဖြင့် ချည်နှောင်ထားသည်။ Ag/NiS/TiO2 nanocomposite သည် အလင်းအသုံးပြုမှုစွမ်းဆောင်ရည်ကို တိုးတက်စေပြီး ခရမ်းလွန်ရောင်ခြည်ဒေသမှ မြင်နိုင်သောဒေသအထိ အလင်းစုပ်ယူမှုအကွာအဝေးကို တိုးချဲ့ပေးသည်။ တစ်ချိန်တည်းမှာပင်၊ ငွေနာနိုအမှုန်များစုပုံခြင်းသည် Ag/NiS/TiO2 နာနိုကွန်ပိုဆိုက်ကို အလွန်ကောင်းမွန်သော အလင်းတန်းတည်ငြိမ်မှုနှင့် တည်ငြိမ်သော ကက်သိုဒစ်ကာကွယ်မှုကို ပေးစွမ်းသည်။
ပထမဦးစွာ ၉၉.၉% သန့်စင်သော ၀.၁ မီလီမီတာအထူရှိ တိုက်တေနီယမ်သတ္တုပြားကို ၃၀ မီလီမီတာ × ၁၀ မီလီမီတာအရွယ်အစားအထိ ဖြတ်တောက်ကာ စမ်းသပ်မှုများပြုလုပ်ခဲ့သည်။ ထို့နောက် တိုက်တေနီယမ်သတ္တုပြား၏ မျက်နှာပြင်တစ်ခုစီကို ၂၅၀၀ ဂရစ်သဲစက္ကူဖြင့် ၁၀၀ ကြိမ်ပွတ်တိုက်ပြီးနောက် အက်စီတုန်း၊ အီသနောနှင့် ပေါင်းခံရေတို့ဖြင့် အဆက်မပြတ်ဆေးကြောခဲ့သည်။ တိုက်တေနီယမ်ပြားကို ၈၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် (ဆိုဒီယမ်ဟိုက်ဒရောက်ဆိုဒ်: ဆိုဒီယမ်ကာဗွန်နိတ်: ရေ = ၅:၂:၁၀၀) ရောစပ်ထားသောနေရာတွင် ၉၀ မိနစ်ထားပြီး ဖယ်ရှားကာ ပေါင်းခံရေဖြင့် ဆေးကြောခဲ့သည်။ မျက်နှာပြင်ကို HF ပျော်ရည် (HF:H2O = ၁:၅) ဖြင့် ၁ မိနစ်ထွင်းထုပြီးနောက် အက်စီတုန်း၊ အီသနောနှင့် ပေါင်းခံရေတို့ဖြင့် အလှည့်ကျဆေးကြောကာ နောက်ဆုံးတွင် အသုံးပြုရန် အခြောက်ခံခဲ့သည်။ တိုက်တေနီယမ်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ် နာနိုဝါယာကြိုးများကို တိုက်တေနီယမ်သတ္တုပြား၏ မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် တစ်ဆင့်တည်းသော အန်နိုဒိုက်လုပ်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်ဖြင့် လျင်မြန်စွာ ထုတ်လုပ်ခဲ့သည်။ အန်နိုဒိုက်လုပ်ခြင်းအတွက် ရိုးရာလျှပ်စစ်နှစ်ခုစနစ်ကို အသုံးပြုထားပြီး အလုပ်လုပ်သောလျှပ်စစ်သည် တိုက်တေနီယမ်စာရွက်ဖြစ်ပြီး တန်ပြန်လျှပ်စစ်သည် ပလက်တီနမ်လျှပ်စစ်ဖြစ်သည်။ တိုက်တေနီယမ်ပြားကို အီလက်ထရုတ်ညှပ်များဖြင့် 2 M NaOH ပျော်ရည် 400 ml ထဲတွင်ထည့်ပါ။ DC ပါဝါထောက်ပံ့မှု လျှပ်စီးကြောင်းသည် 1.3 A ခန့်တွင် တည်ငြိမ်သည်။ စနစ်တကျ ဓာတ်ပြုမှုအတွင်း ပျော်ရည်၏ အပူချိန်ကို 80°C တွင် 180 မိနစ်ခန့် ထိန်းသိမ်းထားခဲ့သည်။ တိုက်တေနီယမ်ပြားကို ထုတ်ယူပြီး အက်စီတုန်းနှင့် အီသနောတို့ဖြင့် ဆေးကြောကာ ပေါင်းခံရေဖြင့် ဆေးကြောကာ သဘာဝအတိုင်း အခြောက်ခံခဲ့သည်။ ထို့နောက် နမူနာများကို 450°C (အပူပေးနှုန်း 5°C/မိနစ်) တွင် muffle furnace ထဲတွင် ထည့်ပြီး 120 မိနစ်ကြာ အပူချိန်တည်ငြိမ်အောင် ထားကာ အခြောက်ခံဗန်းထဲတွင် ထည့်ပါ။
နီကယ်ဆာလဖိုက်-တိုက်တေနီယမ်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ် ပေါင်းစပ်မှုကို ရိုးရှင်းလွယ်ကူသော နှစ်မြှုပ်နည်းလမ်းဖြင့် ရရှိခဲ့သည်။ ဦးစွာ နီကယ်နိုက်ထရိတ် (0.03 M) ကို အီသနောတွင် ပျော်ဝင်စေပြီး နီကယ်နိုက်ထရိတ် အီသနော ပျော်ရည်ရရှိရန် သံလိုက်မွှေပေးခြင်းဖြင့် မိနစ် ၂၀ ကြာ ထားခဲ့သည်။ ထို့နောက် မီသနော ရောစပ်ထားသော ပျော်ရည် (မီသနော:ရေ = 1:1) ဖြင့် ဆိုဒီယမ်ဆာလဖိုက် (0.03 M) ကို ပြင်ဆင်ခဲ့သည်။ ထို့နောက် တိုက်တေနီယမ်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ် ဆေးပြားများကို အထက်တွင် ပြင်ဆင်ထားသော ပျော်ရည်ထဲသို့ ထည့်ကာ ၄ မိနစ်အကြာတွင် ထုတ်ယူကာ မီသနောနှင့် ရေ ရောစပ်ထားသော ပျော်ရည် (မီသနော:ရေ = 1:1) ဖြင့် ၁ မိနစ်ကြာ လျင်မြန်စွာ ဆေးကြောခဲ့သည်။ မျက်နှာပြင်ခြောက်သွားပြီးနောက် ဆေးပြားများကို မီးပိတ်မီးဖိုထဲတွင် ထည့်ကာ ၃၈၀°C တွင် ၂၀ မိနစ်ကြာ လေဟာနယ်ဖြင့် အပူပေးကာ အခန်းအပူချိန်အထိ အအေးခံကာ အခြောက်ခံခဲ့သည်။ ကြိမ်ရေ ၂၊ ၄၊ ၆ နှင့် ၈။
Ag နာနိုအမှုန်များသည် photoreduction12,13 ဖြင့် Ag/NiS/TiO2 နာနိုကွန်ပိုဆိုက်များကို ပြုပြင်ပေးခဲ့သည်။ ရလဒ်အနေဖြင့် Ag/NiS/TiO2 နာနိုကွန်ပိုဆိုက်ကို စမ်းသပ်မှုအတွက် လိုအပ်သော ငွေနိုက်ထရိတ်အရည်ထဲတွင် ထည့်ခဲ့သည်။ ထို့နောက် နမူနာများကို ခရမ်းလွန်ရောင်ခြည်ဖြင့် မိနစ် ၃၀ ကြာ ထိတွေ့စေခဲ့ပြီး ၎င်းတို့၏ မျက်နှာပြင်များကို အိုင်းယွန်းကင်းစင်သောရေဖြင့် သန့်စင်ခဲ့ပြီး Ag/NiS/TiO2 နာနိုကွန်ပိုဆိုက်များကို သဘာဝအလျောက် အခြောက်ခံခြင်းဖြင့် ရရှိခဲ့သည်။ အထက်တွင်ဖော်ပြထားသော စမ်းသပ်လုပ်ငန်းစဉ်ကို ပုံ ၁ တွင် ပြသထားသည်။
Ag/NiS/TiO2 နာနိုဒြပ်ပေါင်းများကို အဓိကအားဖြင့် field emission scanning electron microscopy (FESEM)၊ energy dispersive spectroscopy (EDS)၊ X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) နှင့် ultraviolet နှင့် visible ranges (UV-Vis) တွင် diffuse reflectance တို့ဖြင့် သွင်ပြင်လက္ခဏာရပ်များ ပြသထားသည်။ FESEM ကို Nova NanoSEM 450 microscope (FEI Corporation, USA) ကို အသုံးပြု၍ လုပ်ဆောင်ခဲ့သည်။ Accelerating voltage 1 kV၊ spot size 2.0။ ဤကိရိယာသည် topography analysis အတွက် secondary နှင့် backscattered electrons များကို လက်ခံရန် CBS probe ကို အသုံးပြုသည်။ EMF ကို accelerating voltage 15 kV နှင့် spot size 3.0 ရှိသော Oxford X-Max N50 EMF system (Oxford Instruments Technology Co., Ltd.) ကို အသုံးပြု၍ လုပ်ဆောင်ခဲ့သည်။ Characteristic X-rays များကို အသုံးပြု၍ Qualitative နှင့် Quantitative analysis။ X-ray photoelectron spectroscopy ကို Escalab 250Xi spectrometer (Thermo Fisher Scientific Corporation, USA) တွင် 150 W ၏ excitation power နှင့် monochromatic Al Kα radiation (1486.6 eV) ကို excitation source အဖြစ်အသုံးပြုသည့် fixed energy mode တွင်လုပ်ဆောင်ခဲ့သည်။ Full scan range 0–1600 eV၊ total energy 50 eV၊ step width 1.0 eV နှင့် impure carbon (~284.8 eV) များကို binding energy charge correction references အဖြစ်အသုံးပြုခဲ့သည်။ narrow scanning အတွက် pass energy သည် 20 eV ဖြစ်ပြီး step 0.05 eV ရှိသည်။ UV-visible region ရှိ Diffuse reflectance spectroscopy ကို Cary 5000 spectrometer (Varian, USA) တွင် scanning range 10–80° ရှိ standard barium sulfate plate ဖြင့် လုပ်ဆောင်ခဲ့သည်။
ဤလုပ်ငန်းတွင်၊ 304 သံမဏိ၏ ပါဝင်မှု (အလေးချိန်ရာခိုင်နှုန်း) မှာ 0.08 C၊ 1.86 Mn၊ 0.72 Si၊ 0.035 P၊ 0.029 s၊ 18.25 Cr၊ 8.5 Ni ဖြစ်ပြီး ကျန်ပါဝင်မှုများမှာ Fe. 10mm x 10mm x 10mm 304 သံမဏိ၊ မျက်နှာပြင်ဧရိယာ 1 cm2 ဖြင့် ဖုံးအုပ်ထားသော epoxy ဖြစ်သည်။ ၎င်း၏မျက်နှာပြင်ကို 2400 grit silicon carbide sandpaper ဖြင့် ပွတ်တိုက်ပြီး အီသနောဖြင့် ဆေးကြောခဲ့သည်။ ထို့နောက် သံမဏိကို deionized water တွင် 5 မိနစ်ခန့် sonicated လုပ်ပြီးနောက် မီးဖို၌ သိမ်းဆည်းခဲ့သည်။
OCP စမ်းသပ်မှုတွင်၊ 304 stainless steel နှင့် Ag/NiS/TiO2 photoanode ကို corrosion cell နှင့် photoanode cell တွင် အသီးသီးထားပါသည် (ပုံ ၂)။ corrosion cell ကို 3.5% NaCl ပျော်ရည်ဖြင့်ဖြည့်ပြီး 0.25 M Na2SO3 ကို photoanode cell ထဲသို့ hole trap အဖြစ် လောင်းထည့်ခဲ့သည်။ electrolytes နှစ်ခုကို naphthol membrane ကို အသုံးပြု၍ ရောစပ်မှုမှ ခွဲထုတ်ခဲ့သည်။ OCP ကို ​​electrochemical workstation (P4000+, USA) တွင် တိုင်းတာခဲ့သည်။ reference electrode သည် saturated calomel electrode (SCE) ဖြစ်သည်။ အလင်းရင်းမြစ် (xenon lamp, PLS-SXE300C, Poisson Technologies Co., Ltd.) နှင့် cut-off plate 420 ကို အလင်းရင်းမြစ်၏ outlet တွင် ထားရှိပြီး မြင်နိုင်သောအလင်းရောင်ကို quartz glass မှတစ်ဆင့် photoanode သို့ ဖြတ်သန်းသွားစေသည်။ 304 stainless steel electrode ကို photoanode နှင့် ကြေးနီဝါယာကြိုးဖြင့် ချိတ်ဆက်ထားသည်။ စမ်းသပ်မှုမပြုလုပ်မီ၊ 304 သံမဏိလျှပ်ကူးပစ္စည်းကို တည်ငြိမ်သောအခြေအနေရရှိစေရန် 3.5% NaCl ပျော်ရည်တွင် 2 နာရီကြာစိမ်ထားသည်။ စမ်းသပ်မှုအစတွင် မီးဖွင့်လိုက်ပိတ်လိုက်လုပ်သည့်အခါ၊ ဖိုတိုအန်နုတ်၏ လှုံ့ဆော်ထားသော အီလက်ထရွန်များသည် ဝါယာကြိုးမှတစ်ဆင့် 304 သံမဏိ၏မျက်နှာပြင်သို့ ရောက်ရှိသည်။
photocurrent density ဆိုင်ရာ စမ်းသပ်မှုများတွင် 304SS နှင့် Ag/NiS/TiO2 photoanodes များကို corrosion cells နှင့် photoanode cells များတွင် အသီးသီးထားရှိခဲ့သည် (ပုံ ၃)။ photocurrent density ကို OCP နှင့် တူညီသော setup တွင် တိုင်းတာခဲ့သည်။ 304 stainless steel နှင့် photoanode အကြားရှိ photocurrent density အစစ်အမှန်ကိုရရှိရန်အတွက်၊ non-polarized အခြေအနေများအောက်တွင် 304 stainless steel နှင့် photoanode ကိုချိတ်ဆက်ရန် zero resistance ammeter အဖြစ် potentiostat ကို အသုံးပြုခဲ့သည်။ ထိုသို့ပြုလုပ်ရန်အတွက်၊ experimental setup ရှိ reference နှင့် counter electrodes များကို short-circuited လုပ်ထားသောကြောင့် electrochemical workstation သည် current density အစစ်အမှန်ကို တိုင်းတာနိုင်သည့် zero-resistance ammeter အဖြစ် လုပ်ဆောင်ခဲ့သည်။ 304 stainless steel electrode ကို electrochemical workstation ၏ ground နှင့် ချိတ်ဆက်ထားပြီး photoanode ကို working electrode clamp နှင့် ချိတ်ဆက်ထားသည်။ စမ်းသပ်မှုအစတွင်၊ မီးဖွင့်လိုက်ပိတ်လိုက်လုပ်သောအခါ၊ photoanode ၏ excited electrons များသည် wire မှတစ်ဆင့် 304 stainless steel ၏ မျက်နှာပြင်သို့ ရောက်ရှိသည်။ ဤအချိန်တွင် 304 သံမဏိ၏မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ photocurrent density ပြောင်းလဲမှုတစ်ခုကို တွေ့ရှိနိုင်သည်။
304 သံမဏိပေါ်တွင် နာနိုကွန်ပိုဆိုက်များ၏ ကက်သိုဒစ်ကာကွယ်မှုစွမ်းဆောင်ရည်ကိုလေ့လာရန်အတွက် 304 သံမဏိနှင့် နာနိုကွန်ပိုဆိုက်များ၏ ဖိုတိုအိုင်ယွန်နိုက်ဇေးရှင်းအလားအလာပြောင်းလဲမှုများအပြင် နာနိုကွန်ပိုဆိုက်များနှင့် 304 သံမဏိများအကြား ဖိုတိုအိုင်ယွန်နိုက်ဇေးရှင်း လျှပ်စီးကြောင်းသိပ်သည်းဆပြောင်းလဲမှုများကို စမ်းသပ်ခဲ့သည်။
ပုံ ၄ တွင် မြင်နိုင်သောအလင်းရောင်နှင့် မှောင်မိုက်သောအခြေအနေများအောက်တွင် 304 stainless steel နှင့် nanocomposites များ၏ open circuit potential ပြောင်းလဲမှုများကို ပြသထားသည်။ ပုံ ၄က တွင် open circuit potential အပေါ် immersion လုပ်ခြင်းဖြင့် NiS deposition အချိန်၏ သြဇာလွှမ်းမိုးမှုကို ပြသထားပြီး ပုံ ၄ခ တွင် photoreduction အတွင်း open circuit potential အပေါ် silver nitrate ပါဝင်မှု၏ အကျိုးသက်ရောက်မှုကို ပြသထားသည်။ ပုံ ၄က တွင် nickel sulfide composite နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက 304 stainless steel နှင့် ချိတ်ဆက်ထားသော NiS/TiO2 nanocomposite ၏ open circuit potential သည် မီးဖွင့်လိုက်ချိန်တွင် သိသိသာသာ လျော့နည်းသွားကြောင်း ပြသထားသည်။ ထို့အပြင် open circuit potential သည် သန့်စင်သော TiO2 nanowires များထက် အနုတ်လက္ခဏာပိုမိုများပြားပြီး nickel sulfide composite သည် electron များ ပိုမိုထုတ်လုပ်ပြီး TiO2 မှ photocathode protection effect ကို တိုးတက်ကောင်းမွန်စေကြောင်း ညွှန်ပြသည်။ သို့သော် exposure အဆုံးတွင် no-load potential သည် stainless steel ၏ no-load potential သို့ လျင်မြန်စွာ မြင့်တက်လာပြီး nickel sulfide တွင် energy storage effect မရှိကြောင်း ညွှန်ပြသည်။ open circuit potential အပေါ် immersion deposition cycles အရေအတွက်၏ အကျိုးသက်ရောက်မှုကို ပုံ ၄က တွင် ကြည့်ရှုနိုင်သည်။ ၆ ပမာဏ စုပုံချိန်တွင် နာနိုကွန်ပိုဆိုက်၏ အလွန်အမင်း အလားအလာသည် ပြည့်နှက်နေသော ကယ်လိုမဲလ်လျှပ်ကူးပစ္စည်းနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက -၅၅၀ mV အထိ ရောက်ရှိပြီး ၆ ဆ ပမာဏဖြင့် စုပုံထားသော နာနိုကွန်ပိုဆိုက်၏ အလားအလာသည် အခြားအခြေအနေများတွင် နာနိုကွန်ပိုဆိုက်ထက် သိသိသာသာ နိမ့်ကျပါသည်။ ထို့ကြောင့် စုပုံမှု ዑደ့ ၆ ကြိမ် ပြုလုပ်ပြီးနောက် ရရှိလာသော NiS/TiO2 နာနိုကွန်ပိုဆိုက်များသည် ၃၀၄ သံမဏိအတွက် အကောင်းဆုံး ကက်သိုဒစ်ကာကွယ်မှုကို ပေးစွမ်းသည်။
အလင်းရောင်ရရှိသည်နှင့် မရရှိသည် (λ > 400 nm) ရှိသော NiS/TiO2 နာနိုဒြပ်ပေါင်းများ (က) နှင့် Ag/NiS/TiO2 နာနိုဒြပ်ပေါင်းများ (ခ) တို့ဖြင့် 304 သံမဏိလျှပ်ကူးပစ္စည်းများ၏ OCP ပြောင်းလဲမှုများ။
ပုံ ၄ခ တွင်ပြထားသည့်အတိုင်း၊ 304 stainless steel နှင့် Ag/NiS/TiO2 nanocomposites များ၏ open circuit potential သည် အလင်းနှင့်ထိတွေ့သောအခါ သိသိသာသာလျော့နည်းသွားသည်။ ငွေ nanoparticles များ၏ မျက်နှာပြင်အနည်ကျပြီးနောက်၊ သန့်စင်သော TiO2 nanowires များနှင့်နှိုင်းယှဉ်ပါက open circuit potential သည် သိသိသာသာလျော့နည်းသွားသည်။ NiS/TiO2 nanocomposite ၏ potential သည် အနုတ်လက္ခဏာဆောင်ပြီး Ag nanoparticles များအနည်ကျပြီးနောက် TiO2 ၏ cathodic protective effect သိသိသာသာတိုးတက်လာကြောင်း ညွှန်ပြသည်။ open circuit potential သည် ထိတွေ့မှုအဆုံးတွင် လျင်မြန်စွာတိုးလာပြီး saturated calomel electrode နှင့်နှိုင်းယှဉ်ပါက open circuit potential သည် -580 mV အထိရောက်ရှိနိုင်ပြီး 304 stainless steel (-180 mV) ထက်နည်းသည်။ ဤရလဒ်သည် ငွေအမှုန်များကို ၎င်း၏မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင်အနည်ကျပြီးနောက် nanocomposite တွင်ထူးခြားသောစွမ်းအင်သိုလှောင်မှုအကျိုးသက်ရောက်မှုရှိကြောင်း ညွှန်ပြသည်။ ပုံ ၄ခ တွင် ငွေနိုက်ထရိတ်ပါဝင်မှုသည် open circuit potential အပေါ်အကျိုးသက်ရောက်မှုကိုလည်းပြသထားသည်။ ငွေနိုက်ထရိတ်ပါဝင်မှု 0.1 M တွင်၊ saturated calomel electrode နှင့်နှိုင်းယှဉ်ပါက limiting potential သည် -925 mV အထိရောက်ရှိသည်။ အသုံးချမှု ዑደ့ ၄ ကြိမ် ပြီးနောက်၊ ပထမအကြိမ် အသုံးချပြီးနောက် အလားအလာသည် အဆင့်တွင် ရှိနေခဲ့ပြီး၊ ၎င်းသည် နာနိုကွန်ပိုဆိုက်၏ အလွန်ကောင်းမွန်သော တည်ငြိမ်မှုကို ညွှန်ပြနေသည်။ ထို့ကြောင့် ငွေနိုက်ထရိတ် ပါဝင်မှု 0.1 M တွင်၊ ရလဒ်အနေဖြင့် Ag/NiS/TiO2 နာနိုကွန်ပိုဆိုက်သည် 304 သံမဏိပေါ်တွင် အကောင်းဆုံး ကက်သိုဒစ်အကာအကွယ်ပေးသည့် အာနိသင်ရှိသည်။
TiO2 နာနိုဝါယာကြိုးများ၏ မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် NiS စုပုံခြင်းသည် NiS စုပုံချိန်တိုးလာသည်နှင့်အမျှ တဖြည်းဖြည်းတိုးတက်လာပါသည်။ မြင်နိုင်သောအလင်းရောင်သည် နာနိုဝါယာကြိုး၏ မျက်နှာပြင်ကို ထိမှန်သောအခါ၊ နီကယ်ဆာလဖိုက်တက်ကြွသောနေရာများသည် အီလက်ထရွန်များထုတ်လုပ်ရန် လှုံ့ဆော်ခံရပြီး ဖိုတိုအိုင်ယွန်နိုက်ဇေးရှင်းအလားအလာသည် ပိုမိုလျော့ကျသွားသည်။ သို့သော်၊ နီကယ်ဆာလဖိုက်နာနိုအမှုန်များကို မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် အလွန်အကျွံစုပုံသောအခါ၊ လှုံ့ဆော်ထားသောနီကယ်ဆာလဖိုက်သည် အစားထိုးလျော့ကျသွားပြီး၊ ၎င်းသည် အလင်းစုပ်ယူမှုကို မပံ့ပိုးပါ။ ငွေအမှုန်များကို မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင်စုပုံပြီးနောက်၊ ငွေအမှုန်များ၏ မျက်နှာပြင်ပလာစမွန်ပဲ့တင်ထပ်မှုအကျိုးသက်ရောက်မှုကြောင့်၊ ထုတ်လုပ်ထားသောအီလက်ထရွန်များကို 304 သံမဏိ၏ မျက်နှာပြင်သို့ လျင်မြန်စွာလွှဲပြောင်းပေးမည်ဖြစ်ပြီး၊ ကက်သိုဒစ်ကာကွယ်မှုအာနိသင်ကောင်းမွန်စွာရရှိစေသည်။ မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် ငွေအမှုန်များစွာစုပုံသောအခါ၊ ငွေအမှုန်များသည် ဖိုတိုအီလက်ထရွန်များနှင့် အပေါက်များအတွက် ပြန်လည်ပေါင်းစပ်အမှတ်တစ်ခုဖြစ်လာပြီး ဖိုတိုအီလက်ထရွန်များထုတ်လုပ်ရာတွင် မပံ့ပိုးပါ။ အဆုံးသတ်အနေဖြင့်၊ Ag/NiS/TiO2 နာနိုကွန်ပိုဆိုက်များသည် 0.1 M ငွေနိုက်ထရိတ်အောက်တွင် 6-ဆနီကယ်ဆာလဖိုက်စုပုံပြီးနောက် 304 သံမဏိအတွက် အကောင်းဆုံးကက်သိုဒစ်ကာကွယ်မှုကို ပေးစွမ်းနိုင်သည်။
ဓာတ်ပုံလျှပ်စီးကြောင်းသိပ်သည်းဆတန်ဖိုးသည် ဓာတ်ပုံထုတ်လုပ်ထားသော အီလက်ထရွန်များနှင့် အပေါက်များ၏ ခွဲထုတ်နိုင်စွမ်းကို ကိုယ်စားပြုပြီး ဓာတ်ပုံလျှပ်စီးကြောင်းသိပ်သည်းဆ ကြီးလေ၊ ဓာတ်ပုံထုတ်လုပ်ထားသော အီလက်ထရွန်များနှင့် အပေါက်များ၏ ခွဲထုတ်နိုင်စွမ်း ပိုမိုအားကောင်းလေဖြစ်သည်။ NiS ကို ပစ္စည်းများ၏ ဓာတ်ပုံလျှပ်စီးကြောင်းဂုဏ်သတ္တိများ တိုးတက်ကောင်းမွန်စေရန်နှင့် အပေါက်များကို ခွဲထုတ်ရန်အတွက် ဓာတ်ပုံဓာတ်ကူပစ္စည်းများ ပေါင်းစပ်ရာတွင် တွင်ကျယ်စွာ အသုံးပြုကြောင်း ပြသသည့် လေ့လာမှုများစွာရှိပါသည်။15,16,17,18,19,20။ Chen နှင့်အဖွဲ့သည် NiS15 နှင့် တွဲဖက်ပြုပြင်ထားသော noble-metal-free graphene နှင့် g-C3N4 ပေါင်းစပ်ပစ္စည်းများကို လေ့လာခဲ့သည်။ ပြုပြင်ထားသော g-C3N4/0.25%RGO/3%NiS ၏ ဓာတ်ပုံလျှပ်စီးကြောင်း၏ အမြင့်ဆုံးပြင်းထန်မှုမှာ 0.018 μA/cm2 ဖြစ်သည်။ Chen နှင့်အဖွဲ့သည် 10 µA/cm2.16 ခန့်ရှိသော ဓာတ်ပုံလျှပ်စီးကြောင်းသိပ်သည်းဆရှိသော CdSe-NiS ကို လေ့လာခဲ့သည်။ Liu နှင့်အဖွဲ့သည် 15 µA/cm218 ဓာတ်ပုံလျှပ်စီးကြောင်းသိပ်သည်းဆရှိသော CdS@NiS ပေါင်းစပ်ပစ္စည်းကို ပေါင်းစပ်ခဲ့သည်။ သို့သော် ဓာတ်ပုံကတ်သိုဒ်ကာကွယ်မှုအတွက် NiS ကို အသုံးပြုမှုကို မဖော်ပြထားသေးပါ။ ကျွန်ုပ်တို့၏လေ့လာမှုတွင် NiS ကိုပြုပြင်မွမ်းမံခြင်းဖြင့် TiO2 ၏ photocurrent density သိသိသာသာတိုးလာသည်။ ပုံ ၅ တွင် မြင်နိုင်သောအလင်းရောင်အခြေအနေအောက်တွင်နှင့် အလင်းရောင်မရှိဘဲ 304 stainless steel နှင့် nanocomposites များ၏ photocurrent density ပြောင်းလဲမှုများကို ပြသထားသည်။ ပုံ ၅က တွင်ပြထားသည့်အတိုင်း NiS/TiO2 nanocomposite ၏ photocurrent density သည် မီးဖွင့်လိုက်သည်နှင့် လျင်မြန်စွာတိုးလာပြီး photocurrent density သည် အပေါင်းဖြစ်ပြီး electrochemical workstation မှတစ်ဆင့် nanocomposite မှ မျက်နှာပြင်သို့ အီလက်ထရွန်များစီးဆင်းမှုကို ညွှန်ပြသည်။ 304 stainless steel။ နီကယ်ဆာလဖိုက်ပေါင်းစပ်ပစ္စည်းများကို ပြင်ဆင်ပြီးနောက် photocurrent density သည် သန့်စင်သော TiO2 nanowires များထက် ပိုမိုများပြားသည်။ NiS ၏ photocurrent density သည် 220 μA/cm2 အထိရောက်ရှိပြီး NiS ကို ၆ ကြိမ်နှစ်မြှုပ်ပြီး အပ်နှံသောအခါ TiO2 nanowires (32 μA/cm2) ထက် ၆.၈ ဆပိုများသည်။ ပုံ ၁ တွင်ပြထားသည့်အတိုင်း ၅ခ၊ Ag/NiS/TiO2 nanocomposite နှင့် 304 stainless steel အကြားရှိ photocurrent density သည် xenon lamp အောက်တွင်ဖွင့်သောအခါ သန့်စင်သော TiO2 နှင့် NiS/TiO2 nanocomposite အကြားထက် သိသိသာသာမြင့်မားသည်။ ပုံ ၅ခ တွင် photoreduction အတွင်း photocurrent density အပေါ် AgNO ပါဝင်မှု၏ အကျိုးသက်ရောက်မှုကိုလည်း ပြသထားသည်။ 0.1 M silver nitrate ပါဝင်မှုတွင် ၎င်း၏ photocurrent density သည် 410 μA/cm2 သို့ရောက်ရှိပြီး TiO2 nanowires (32 μA/cm2) ထက် 12.8 ဆပိုများပြီး NiS/TiO2 nanocomposites ထက် 1.8 ဆပိုများသည်။ Ag/NiS/TiO2 nanocomposite interface တွင် heterojunction electric field တစ်ခုဖြစ်ပေါ်လာပြီး photogenerated electrons များကို hole များမှခွဲထုတ်ရန်လွယ်ကူစေသည်။
(က) NiS/TiO2 nanocomposite နှင့် (ခ) illumination ရှိသောနှင့် မရှိသော (λ > 400 nm) Ag/NiS/TiO2 nanocomposite ရှိသော 304 သံမဏိလျှပ်ကူးပစ္စည်း၏ photocurrent သိပ်သည်းဆတွင် ပြောင်းလဲမှုများ
ထို့ကြောင့် 0.1 M ပြင်းအားရှိသော ငွေနိုက်ထရိတ်တွင် နီကယ်ဆာလဖိုက်ကို ၆ ကြိမ်စိမ်ပြီးနောက်၊ Ag/NiS/TiO2 နာနိုကွန်ပိုဆိုက်များနှင့် 304 သံမဏိအကြားရှိ ဓာတ်ပုံလျှပ်စီးကြောင်းသိပ်သည်းဆသည် 410 μA/cm2 သို့ရောက်ရှိပြီး ၎င်းသည် saturated calomel လျှပ်ကူးပစ္စည်းများထက် ပိုမိုမြင့်မားပါသည်။ ဤအခြေအနေများအောက်တွင်၊ Ag/NiS/TiO2 နှင့် ပေါင်းစပ်ထားသော 304 သံမဏိသည် အကောင်းဆုံး ကက်သိုဒစ်ကာကွယ်မှုကို ပေးစွမ်းနိုင်ပါသည်။
ပုံ ၆ တွင် အကောင်းဆုံးအခြေအနေများအောက်တွင် သန့်စင်သော တိုက်တေနီယမ်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ် နာနိုဝါယာကြိုးများ၊ ပေါင်းစပ်နီကယ်ဆာလဖိုက်နာနိုအမှုန်များနှင့် ငွေနာနိုအမှုန်များ၏ မျက်နှာပြင်အီလက်ထရွန်မိုက်ခရိုစကုပ်ပုံများကို ပြသထားသည်။ ပုံ ၆က၊ ဃ တွင် single-stage anodization ဖြင့်ရရှိသော သန့်စင်သော TiO2 ನ್ಯಾನိုဝါယာကြိုးများကို ပြသထားသည်။ တိုက်တေနီယမ်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ် နာနိုဝါယာကြိုးများ၏ မျက်နှာပြင်ဖြန့်ဖြူးမှုသည် တစ်ပြေးညီဖြစ်ပြီး၊ နာနိုဝါယာကြိုးများ၏ ဖွဲ့စည်းပုံများသည် တစ်ခုနှင့်တစ်ခု နီးကပ်ပြီး အပေါက်အရွယ်အစားဖြန့်ဖြူးမှုမှာလည်း တစ်ပြေးညီဖြစ်သည်။ ပုံ ၆ခ နှင့် င တို့သည် နီကယ်ဆာလဖိုက်ပေါင်းစပ်ပစ္စည်းများကို ၆ ဆ စိမ်ပြီး အနည်ကျစေပြီးနောက် တိုက်တေနီယမ်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ်၏ အီလက်ထရွန်အဏုကြည့်မှန်ပြောင်းဖြင့် ရိုက်ကူးထားသော ပုံများဖြစ်သည်။ ပုံ ၆င တွင် ၂၀၀,၀၀၀ ဆ ချဲ့ထားသော အီလက်ထရွန်အဏုကြည့်မှန်ပြောင်းဖြင့် ရိုက်ကူးထားသော ပုံမှ နီကယ်ဆာလဖိုက်ပေါင်းစပ်နာနိုအမှုန်များသည် အတော်လေး တစ်သားတည်းဖြစ်ပြီး အချင်း ၁၀၀-၁၂၀ nm ခန့်ရှိသော အမှုန်အရွယ်အစားကြီးမားသည်ကို မြင်နိုင်သည်။ အချို့သော နာနိုအမှုန်များကို နာနိုဝါယာကြိုးများ၏ နေရာချထားမှုတွင် တွေ့ရှိနိုင်ပြီး တိုက်တေနီယမ်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ် နာနိုဝါယာကြိုးများကို ရှင်းရှင်းလင်းလင်း မြင်နိုင်သည်။ ပုံ ၆ ၆ဂ၊ စသည်ဖြင့် ဖော်ပြထားရာတွင် AgNO3 ပါဝင်မှု 0.1 M တွင် NiS/TiO2 နာနိုဒြပ်ပေါင်းများ၏ အီလက်ထရွန် အဏုကြည့်မှန်ပြောင်းဖြင့် ကြည့်လျှင် မြင်နိုင်သော ပုံများကို ပြသထားသည်။ ပုံ ၆ခ နှင့် ပုံ ၆င တို့နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ပုံ ၆ဂ နှင့် ပုံ ၆စသည်ဖြင့် ဖော်ပြထားရာတွင် Ag နာနိုအမှုန်များသည် ပေါင်းစပ်ပစ္စည်း၏ မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် စုပုံနေပြီး Ag နာနိုအမှုန်များသည် အချင်း 10 nm ခန့်ဖြင့် ညီညာစွာ ဖြန့်ဝေထားကြောင်း ပြသထားသည်။ ပုံ ၇ တွင် AgNO3 ပါဝင်မှု 0.1 M တွင် NiS နှစ်မြှုပ်ခြင်း ዘዴ ၆ ကြိမ် ခံယူထားသည့် Ag/NiS/TiO2 နာနိုဖလင်များ၏ ဖြတ်ပိုင်းပုံကို ပြသထားသည်။ ချဲ့ထွင်မှု မြင့်မားသော ပုံများအရ တိုင်းတာထားသော ဖလင်အထူမှာ 240-270 nm ဖြစ်သည်။ ထို့ကြောင့် နီကယ်နှင့် ငွေဆာလဖိုက် နာနိုအမှုန်များကို TiO2 နာနိုဝါယာကြိုးများ၏ မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် စုစည်းထားသည်။
သန့်စင်သော TiO2 (က၊ ဃ)၊ NiS နှစ်မြှုပ်ခြင်း ၆ ကြိမ် ပြုလုပ်ထားသော NiS/TiO2 နာနိုဒြပ်ပေါင်းများ (ခ၊ င) နှင့် 0.1 M AgNO3 SEM တွင် NiS နှစ်မြှုပ်ခြင်း ၆ ကြိမ် ပြုလုပ်ထားသော Ag/NiS/NiS၊ TiO2 နာနိုဒြပ်ပေါင်းများ၏ ပုံများ (ဂ၊ င)။
AgNO3 ပါဝင်မှု 0.1 M တွင် NiS နှစ်မြှုပ်ခြင်း ዑደ့ 6 ကြိမ် ပြုလုပ်ထားသော Ag/NiS/TiO2 နာနိုဖလင်များ၏ ဖြတ်ပိုင်းပုံ။
ပုံ ၈ တွင် ငွေနိုက်ထရိတ်ပါဝင်မှု 0.1 M တွင် နီကယ်ဆာလဖိုက်နှစ်မြှုပ်ခြင်း ၆ ကြိမ်ပြုလုပ်ခြင်းမှရရှိသော Ag/NiS/TiO2 နာနိုကွန်ပိုဆိုက်များ၏ မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် ဒြပ်စင်များ၏ မျက်နှာပြင်ဖြန့်ဖြူးမှုကို ပြသထားသည်။ ဒြပ်စင်များ၏ မျက်နှာပြင်ဖြန့်ဖြူးမှုက Ti၊ O၊ Ni၊ S နှင့် Ag တို့ကို စွမ်းအင်ရောင်စဉ်တန်းကို အသုံးပြု၍ ရှာဖွေတွေ့ရှိခဲ့ကြောင်း ပြသသည်။ ပါဝင်မှုအရ Ti နှင့် O တို့သည် ဖြန့်ဖြူးမှုတွင် အသုံးအများဆုံးဒြပ်စင်များဖြစ်ပြီး Ni နှင့် S များမှာ ခန့်မှန်းခြေအားဖြင့် အတူတူပင်ဖြစ်သော်လည်း ၎င်းတို့၏ပါဝင်မှုမှာ Ag ထက် များစွာနည်းသည်။ မျက်နှာပြင်ပေါင်းစပ်ငွေနာနိုအမှုန်အမွှားပမာဏသည် နီကယ်ဆာလဖိုက်ထက် ပိုများကြောင်းလည်း သက်သေပြနိုင်သည်။ မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ ဒြပ်စင်များ၏ တစ်ပြေးညီဖြန့်ဖြူးမှုသည် နီကယ်နှင့် ငွေဆာလဖိုက်တို့သည် TiO2 နာနိုဝါယာကြိုးများ၏ မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် တစ်ပြေးညီ ပေါင်းစပ်နေကြောင်း ညွှန်ပြသည်။ ဒြပ်စင်များ၏ သီးခြားဖွဲ့စည်းမှုနှင့် ချည်နှောင်မှုအခြေအနေကို ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာရန် X-ray ဖိုတိုအီလက်ထရွန်ရောင်စဉ်တန်း ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာမှုကို ထပ်မံပြုလုပ်ခဲ့သည်။
NiS နှစ်မြှုပ်ခြင်း ၆ ကြိမ်အတွက် 0.1 M AgNO3 ပါဝင်မှုတွင် Ag/NiS/TiO2 နာနိုဒြပ်စင်များ၏ ဒြပ်စင်များ (Ti၊ O၊ Ni၊ S နှင့် Ag) ဖြန့်ဖြူးမှု။
ပုံ ၉ တွင် 0.1 M AgNO3 တွင် နှစ်မြှုပ်ခြင်းဖြင့် နီကယ်ဆာလဖိုက် ၆ ကြိမ် စုပုံခြင်းဖြင့် ရရှိသော Ag/NiS/TiO2 nanocomposites များ၏ XPS ရောင်စဉ်များကို ပြသထားပြီး ပုံ ၉က သည် ရောင်စဉ်အပြည့်အစုံဖြစ်ပြီး ကျန်ရောင်စဉ်များမှာ ဒြပ်စင်များ၏ မြင့်မားသော resolution ရောင်စဉ်များဖြစ်သည်။ ပုံ ၉က ရှိ ရောင်စဉ်အပြည့်အစုံမှ မြင်တွေ့ရသည့်အတိုင်း Ti၊ O၊ Ni၊ S နှင့် Ag တို့၏ စုပ်ယူမှု peak များကို nanocomposite တွင် တွေ့ရှိခဲ့ပြီး၊ ၎င်းသည် ဤဒြပ်စင်ငါးခုရှိကြောင်း သက်သေပြသည်။ စမ်းသပ်မှုရလဒ်များသည် EDS နှင့် ကိုက်ညီသည်။ ပုံ ၉က ရှိ အပို peak သည် နမူနာ၏ ချည်နှောင်စွမ်းအင်ကို ပြင်ဆင်ရန်အသုံးပြုသော ကာဗွန် peak ဖြစ်သည်။ ပုံ ၉ခ တွင် Ti ၏ မြင့်မားသော resolution စွမ်းအင်ရောင်စဉ်ကို ပြသထားသည်။ 2p orbitals များ၏ စုပ်ယူမှု peak များသည် 459.32 နှင့် 465 eV တွင် တည်ရှိပြီး Ti 2p3/2 နှင့် Ti 2p1/2 orbitals များ၏ စုပ်ယူမှုနှင့် ကိုက်ညီသည်။ တိုက်တေနီယမ်တွင် TiO2 တွင် Ti နှင့် ကိုက်ညီသော Ti4+ ဗေးလင့်ရှိကြောင်း စုပ်ယူမှု ထိပ်နှစ်ခုက သက်သေပြသည်။
Ag/NiS/TiO2 တိုင်းတာမှုများ၏ XPS ရောင်စဉ်များ (က) နှင့် Ti2p(b)၊ O1s(c)၊ Ni2p(d)၊ S2p(e) နှင့် Ag 3d(f) တို့၏ မြင့်မားသော ရုပ်ထွက်အရည်အသွေး XPS ရောင်စဉ်များ။
ပုံ ၉ဃ တွင် Ni 2p ပတ်လမ်းအတွက် စုပ်ယူမှုထိပ်လေးခုပါရှိသော မြင့်မားသော resolution ရှိသော Ni စွမ်းအင်ရောင်စဉ်ကို ပြသထားသည်။ 856 နှင့် 873.5 eV ရှိ စုပ်ယူမှုထိပ်များသည် Ni 2p3/2 နှင့် Ni 2p1/2 8.10 ပတ်လမ်းများနှင့် ကိုက်ညီပြီး စုပ်ယူမှုထိပ်များသည် NiS နှင့် သက်ဆိုင်သည်။ 881 နှင့် 863 eV ရှိ စုပ်ယူမှုထိပ်များသည် နီကယ်နိုက်ထရိတ်အတွက်ဖြစ်ပြီး နမူနာပြင်ဆင်နေစဉ်အတွင်း နီကယ်နိုက်ထရိတ် reagent ကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာသည်။ ပုံ ၉ဃ တွင် မြင့်မားသော resolution ရှိသော S-spectrum ကို ပြသထားသည်။ S 2p ပတ်လမ်းများ၏ စုပ်ယူမှုထိပ်များသည် 161.5 နှင့် 168.1 eV တွင် တည်ရှိပြီး ၎င်းတို့သည် S 2p3/2 နှင့် S 2p1/2 ပတ်လမ်းများ 21၊ 22၊ 23၊ 24 နှင့် ကိုက်ညီသည်။ ဤထိပ်နှစ်ခုသည် နီကယ်ဆာလဖိုက်ဒြပ်ပေါင်းများနှင့် သက်ဆိုင်သည်။ 169.2 နှင့် 163.4 eV ရှိ စုပ်ယူမှုထိပ်များသည် ဆိုဒီယမ်ဆာလဖိုက် reagent အတွက်ဖြစ်သည်။ ပုံ ၁ တွင် 9f သည် ငွေ၏ 3d orbital absorption peaks များသည် အသီးသီး 368.2 နှင့် 374.5 eV တွင် တည်ရှိပြီး absorption peaks နှစ်ခုသည် Ag 3d5/2 နှင့် Ag 3d3/212, 13 ၏ absorption orbits နှင့် ကိုက်ညီသော high-resolution Ag spectrum ကို ပြသထားသည်။ ဤနေရာနှစ်ခုရှိ peaks များသည် ဒြပ်စင်ငွေအခြေအနေတွင် ငွေနာနိုအမှုန်များတည်ရှိကြောင်း သက်သေပြသည်။ ထို့ကြောင့်၊ nanocomposites များသည် အဓိကအားဖြင့် Ag၊ NiS နှင့် TiO2 တို့ဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားပြီး X-ray photoelectron spectroscopy ဖြင့် ဆုံးဖြတ်ခဲ့ပြီး နီကယ်နှင့် ငွေဆာလဖိုက်နာနိုအမှုန်များကို TiO2 nanowires များ၏ မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် အောင်မြင်စွာပေါင်းစပ်ထားကြောင်း သက်သေပြခဲ့သည်။
ပုံ ၁၀ တွင် အသစ်ပြင်ဆင်ထားသော TiO2 nanowires၊ NiS/TiO2 nanocomposites နှင့် Ag/NiS/TiO2 nanocomposites များ၏ UV-VIS ပျံ့နှံ့ရောင်ပြန်ဟပ်မှုရောင်စဉ်များကို ပြသထားသည်။ ပုံမှ TiO2 nanowires များ၏ စုပ်ယူမှု threshold သည် 390 nm ခန့်ရှိပြီး စုပ်ယူထားသောအလင်းသည် အဓိကအားဖြင့် ultraviolet ဧရိယာတွင် စုစည်းနေသည်ကို မြင်နိုင်သည်။ ပုံမှ တိုက်တေနီယမ်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ် nanowires 21၊ 22 ၏ မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် နီကယ်နှင့် ငွေဆာလဖိုက် nanoparticles များ ပေါင်းစပ်ပြီးနောက် စုပ်ယူထားသောအလင်းသည် မြင်နိုင်သောအလင်းဧရိယာသို့ ပျံ့နှံ့သွားသည်။ တစ်ချိန်တည်းမှာပင်၊ nanocomposite တွင် UV စုပ်ယူမှု တိုးလာပြီး ၎င်းသည် နီကယ်ဆာလဖိုက်၏ ကျဉ်းမြောင်းသော band gap နှင့် ဆက်စပ်နေသည်။ band gap ကျဉ်းလေ၊ electronic transitions အတွက် energy barrier နိမ့်လေဖြစ်ပြီး အလင်းအသုံးပြုမှုအဆင့် မြင့်မားလေဖြစ်သည်။ NiS/TiO2 မျက်နှာပြင်ကို ငွေနာနိုအမှုန်များနှင့် ပေါင်းစပ်ပြီးနောက်၊ စုပ်ယူမှုပြင်းထန်မှုနှင့် အလင်းလှိုင်းအလျားသည် သိသိသာသာ မတိုးလာပါ၊ အဓိကအားဖြင့် ငွေနာနိုအမှုန်များ၏ မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် plasmon resonance ၏ အကျိုးသက်ရောက်မှုကြောင့် ဖြစ်သည်။ TiO2 ನ್ಯಾನိုဝါယာကြိုးများ၏ စုပ်ယူမှုလှိုင်းအလျားသည် composite NiS ನ್ಯಾನိုအမှုန်များ၏ ကျဉ်းမြောင်းသော band gap နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက သိသိသာသာ တိုးတက်မလာပါ။ အကျဉ်းချုပ်အားဖြင့်၊ တိုက်တေနီယမ်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ် ನ್ಯಾನိုအမှုန်များ၏ မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် composite နီကယ်ဆာလဖိုက်နှင့် ငွေನ್ಯಾನိုအမှုန်များ ပေါ်လာပြီးနောက်၊ ၎င်း၏ အလင်းစုပ်ယူမှုဝိသေသလက္ခဏာများသည် သိသိသာသာ တိုးတက်ကောင်းမွန်လာပြီး၊ အလင်းစုပ်ယူမှုအကွာအဝေးကို ခရမ်းလွန်ရောင်ခြည်မှ မြင်နိုင်သောအလင်းအထိ တိုးချဲ့ထားသဖြင့် တိုက်တေနီယမ်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ် ನ್ಯಾನိုဝါယာကြိုးများ၏ အသုံးချမှုနှုန်းကို တိုးတက်ကောင်းမွန်စေပါသည်။ ၎င်းသည် ပစ္စည်း၏ ဖိုတိုအီလက်ထရွန်များ ထုတ်လုပ်နိုင်စွမ်းကို တိုးတက်ကောင်းမွန်စေပါသည်။
လတ်ဆတ်သော TiO2 နာနိုဝါယာကြိုးများ၊ NiS/TiO2 နာနိုကွန်ပில்များနှင့် Ag/NiS/TiO2 နာနိုကွန်ပில்များ၏ UV/Vis ပျံ့နှံ့ရောင်ပြန်ဟပ်မှုရောင်စဉ်များ။
ပုံ ၁၁ တွင် မြင်နိုင်သောအလင်းရောင်ခြည်အောက်တွင် Ag/NiS/TiO2 နာနိုကွန်ပိုဆိုက်များ၏ ဓာတ်ပုံဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ ချေးခံနိုင်ရည်ယန္တရားကို ပြသထားသည်။ ငွေနာနိုအမှုန်များ၊ နီကယ်ဆာလဖိုက်နှင့် တိုက်တေနီယမ်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ်၏ ကွန်ဒတ်တန်းတို့၏ ဖြန့်ဖြူးမှုအလားအလာအပေါ်အခြေခံ၍ ချေးခံနိုင်ရည်ယန္တရား၏ ဖြစ်နိုင်ချေရှိသောမြေပုံကို အဆိုပြုထားသည်။ နာနိုငွေ၏ ကွန်ဒတ်တန်းအလားအလာသည် နီကယ်ဆာလဖိုက်နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက အနုတ်လက္ခဏာဆောင်ပြီး နီကယ်ဆာလဖိုက်၏ ကွန်ဒတ်တန်းအလားအလာသည် တိုက်တေနီယမ်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ်နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက အနုတ်လက္ခဏာဆောင်သောကြောင့် အီလက်ထရွန်စီးဆင်းမှု၏ ဦးတည်ရာသည် Ag→NiS→TiO2→304 သံမဏိဖြစ်သည်။ နာနိုကွန်ပိုဆိုက်၏ မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် အလင်းကို ရောင်ခြည်ဖြင့် ထိတွေ့သောအခါ နာနိုငွေ၏ မျက်နှာပြင်ပလာစမွန်ပဲ့တင်ထပ်မှု၏ အကျိုးသက်ရောက်မှုကြောင့် နာနိုငွေသည် ဓာတ်ပုံထုတ်လုပ်သော အပေါက်များနှင့် အီလက်ထရွန်များကို လျင်မြန်စွာ ထုတ်လုပ်နိုင်ပြီး ဓာတ်ပုံထုတ်လုပ်သော အီလက်ထရွန်များသည် လှုံ့ဆော်မှုကြောင့် ဗေးလင့်ဘောင်အနေအထားမှ ကွန်ဒတ်တန်းအနေအထားသို့ လျင်မြန်စွာ ရွေ့လျားသည်။ တိုက်တေနီယမ်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ်နှင့် နီကယ်ဆာလဖိုက်။ ငွေနာနိုအမှုန်များ၏ လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းသည် နီကယ်ဆာလဖိုက်ထက် အနုတ်လက္ခဏာဆောင်သောကြောင့် ငွေနာနိုအမှုန်များ၏ TS ရှိ အီလက်ထရွန်များသည် နီကယ်ဆာလဖိုက်၏ TS သို့ လျင်မြန်စွာပြောင်းလဲသွားသည်။ နီကယ်ဆာလဖိုက်၏ လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းသည် တိုက်တေနီယမ်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ်ထက် အနုတ်လက္ခဏာဆောင်သောကြောင့် နီကယ်ဆာလဖိုက်၏ အီလက်ထရွန်များနှင့် ငွေ၏ လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းသည် တိုက်တေနီယမ်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ်၏ CB တွင် လျင်မြန်စွာစုပုံလာသည်။ ထုတ်လုပ်ထားသော ဓာတ်ပုံထုတ်လုပ်ထားသော အီလက်ထရွန်များသည် တိုက်တေနီယမ်မက်ထရစ်မှတစ်ဆင့် 304 သံမဏိ၏ မျက်နှာပြင်သို့ ရောက်ရှိပြီး ကြွယ်ဝသော အီလက်ထရွန်များသည် 304 သံမဏိ၏ ကက်သိုဒစ်အောက်ဆီဂျင်လျှော့ချခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်တွင် ပါဝင်ကြသည်။ ဤလုပ်ငန်းစဉ်သည် ကက်သိုဒစ်ဓာတ်ပြုမှုကို လျော့နည်းစေပြီး တစ်ချိန်တည်းမှာပင် 304 သံမဏိ၏ အန်နိုဒစ်ပျော်ဝင်မှုဓာတ်ပြုမှုကို ဖိနှိပ်ပေးသောကြောင့် သံမဏိ 304 ၏ ကက်သိုဒစ်ကာကွယ်မှုကို ရရှိစေပါသည်။ Ag/NiS/TiO2 နာနိုကွန်ပိုဆိုက်တွင် ဟီတာရိုဂျန့်ရှင်း၏ လျှပ်စစ်စက်ကွင်းဖွဲ့စည်းခြင်းကြောင့် နာနိုကွန်ပိုဆိုက်၏ လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းသည် အနုတ်လက္ခဏာဆောင်သော အနေအထားသို့ ရွေ့လျားသွားပြီး 304 သံမဏိ၏ ကက်သိုဒစ်ကာကွယ်မှုအကျိုးသက်ရောက်မှုကို ပိုမိုထိရောက်စွာ တိုးတက်ကောင်းမွန်စေသည်။
မြင်နိုင်သောအလင်းတွင် Ag/NiS/TiO2 နာနိုကွန်ပစ္စိုက်များ၏ ဖိုတိုလျှပ်စစ်ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ သံချေးမတက်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်၏ ပုံကြမ်း။
ဤလုပ်ငန်းတွင် နီကယ်နှင့် ငွေဆာလဖိုက် နာနိုအမှုန်များကို TiO2 ನ್ಯಾನိုဝါယာကြိုးများ၏ မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် ရိုးရှင်းသော immersion နှင့် photoreduction နည်းလမ်းဖြင့် ပေါင်းစပ်ထားသည်။ 304 သံမဏိပေါ်တွင် Ag/NiS/TiO2 ನ್ಯಾನိုကွန်ပိုဆိုက်များ၏ cathodic protection အပေါ် လေ့လာမှုများစွာကို ပြုလုပ်ခဲ့သည်။ morphological ဝိသေသလက္ခဏာများ၊ ပါဝင်မှုကို ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာခြင်းနှင့် အလင်းစုပ်ယူမှုဝိသေသလက္ခဏာများကို ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာခြင်းအပေါ် အခြေခံ၍ အောက်ပါအဓိကနိဂုံးချုပ်ချက်များကို ပြုလုပ်ခဲ့သည်-
နီကယ်ဆာလဖိုက် ၆ ပါဝင်မှု စိမ်ထားခြင်းနှင့် ငွေနိုက်ထရိတ် 0.1 mol/l ဖိုတိုရီဒက်ရှင်းအတွက် ပါဝင်မှုတို့ဖြင့် ရလဒ်အနေဖြင့် Ag/NiS/TiO2 နာနိုကွန်ပ্যাပများသည် 304 သံမဏိပေါ်တွင် ပိုမိုကောင်းမွန်သော ကက်သိုဒစ်ကာကွယ်မှုအာနိသင်ကို ပေးစွမ်းခဲ့သည်။ ကယ်လိုမဲလ် အီလက်ထရုတ်ပြည့်ဝမှုနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ကာကွယ်မှုအလားအလာသည် -925 mV အထိရောက်ရှိပြီး ကာကွယ်မှုလျှပ်စီးကြောင်းသည် 410 μA/cm2 အထိ ရောက်ရှိသည်။
Ag/NiS/TiO2 နာနိုကွန်ပိုဆိုက် မျက်နှာပြင်တွင် ဟီတာရိုဂျန်းရှင်း လျှပ်စစ်စက်ကွင်းတစ်ခု ဖြစ်ပေါ်လာပြီး ဓာတ်ပုံထုတ်လုပ်ထားသော အီလက်ထရွန်များနှင့် အပေါက်များ၏ ခွဲထုတ်နိုင်စွမ်းကို တိုးတက်စေသည်။ တစ်ချိန်တည်းမှာပင်၊ အလင်းအသုံးပြုမှု ထိရောက်မှု မြင့်တက်လာပြီး ခရမ်းလွန်ရောင်ခြည်ဒေသမှ မြင်နိုင်သောဒေသအထိ အလင်းစုပ်ယူမှုအကွာအဝေးကို တိုးချဲ့ထားသည်။ နာနိုကွန်ပိုဆိုက်သည် ၄ ​​ကြိမ် လည်ပတ်ပြီးနောက် ကောင်းမွန်သော တည်ငြိမ်မှုဖြင့် ၎င်း၏ မူလအခြေအနေကို ထိန်းသိမ်းထားမည်ဖြစ်သည်။
စမ်းသပ်မှုအရ ပြင်ဆင်ထားသော Ag/NiS/TiO2 နာနိုဒြပ်ပေါင်းများသည် မျက်နှာပြင်ညီညာပြီး သိပ်သည်းဆများရှိသည်။ နီကယ်ဆာလဖိုက်နှင့် ငွေနာနိုအမှုန်များကို TiO2 နာနိုဝါယာကြိုးများ၏ မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် ညီညာစွာ ပေါင်းစပ်ထားသည်။ ပေါင်းစပ်ကိုဘော့ဖာရိုက်နှင့် ငွေနာနိုအမှုန်များသည် မြင့်မားသောသန့်စင်မှုရှိသည်။
Li, MC, Luo, SZ, Wu, PF & Shen, JN ၃% NaCl ပျော်ရည်များတွင် ကာဗွန်သံမဏိအတွက် TiO2 ဖလင်များ၏ ဓာတ်ပုံကသီဒိုက်ကာကွယ်မှုအာနိသင်။ Li, MC, Luo, SZ, Wu, PF & Shen, JN ၃% NaCl ပျော်ရည်များတွင် ကာဗွန်သံမဏိအတွက် TiO2 ဖလင်များ၏ ဓာတ်ပုံကသီဒိုက်ကာကွယ်မှုအာနိသင်။ Li, MC, Luo, SZ, Wu, PF & Shen, JN Эффект фотокатодной защиты пленок TiO2 для углеродистой стали в 3% растворах NaCl. Li, MC, Luo, SZ, Wu, PF & Shen, JN ၃% NaCl ပျော်ရည်များတွင် ကာဗွန်သံမဏိအတွက် TiO2 ဖလင်များ၏ ဖိုတိုကတ်သိုဒ်ကာကွယ်မှုအာနိသင်။ Li၊ MC၊ Luo၊ SZ၊ Wu၊ PF & Shen၊ JN TiO2 薄膜在3% NaCl 溶液中对碳钢的光阴极保护效果။ Li၊ MC၊ Luo၊ SZ၊ Wu၊ PF & Shen၊ JN TiO2 薄膜在3% NaCl 溶液中对碳钢的光阴极保护效果။ Li, MC, Luo, SZ, Wu, PF & Shen, JN Фотокатодная защита углеродистой стали тонкими пленками TiO2 в 3% растворе NaCl ။ Li, MC, Luo, SZ, Wu, PF & Shen, JN 3% NaCl ပျော်ရည်တွင် TiO2 အလွှာပါးများဖြင့် ကာဗွန်သံမဏိ၏ ဓာတ်ပုံကတ်သိုဒ်ကာကွယ်မှု။အီလက်ထရိုကမ်။ Acta 50၊ 3401–3406 (2005)။
Li, J., Lin, CJ, Lai, YK & Du, RG သံမဏိပေါ်တွင် ပန်းပွင့်ကဲ့သို့သော၊ နာနိုဖွဲ့စည်းပုံရှိသော၊ N-doped TiO2 အလွှာ၏ ဓာတ်ပုံထုတ်လုပ်ထားသော ကက်သိုဒစ်ကာကွယ်မှု။ Li, J., Lin, CJ, Lai, YK & Du, RG သံမဏိပေါ်တွင် ပန်းပွင့်ကဲ့သို့သော၊ နာနိုဖွဲ့စည်းပုံရှိသော၊ N-doped TiO2 အလွှာ၏ ဓာတ်ပုံထုတ်လုပ်ထားသော ကက်သိုဒစ်ကာကွယ်မှု။Lee, J., Lin, SJ, Lai, YK နှင့် Du, RG သံမဏိပေါ်တွင် ပန်းပွင့်ပုံစံဖြင့် နာနိုဖွဲ့စည်းပုံရှိသော၊ နိုက်ထရိုဂျင်ဖြင့် ရောစပ်ထားသော TiO2 အလွှာ၏ ဓာတ်ပုံထုတ်လုပ်ထားသော ကက်သိုဒစ်ကာကွယ်မှု။ Li, J., Lin, CJ, Lai, YK & Du, RG 花状纳米结构N 掺杂TiO2 薄膜在不锈钢上的光生阴极保护။ Li, J., Lin, CJ, Lai, YK & Du, RG.Lee, J., Lin, SJ, Lai, YK နှင့် Du, RG သံမဏိပေါ်တွင် နိုက်ထရိုဂျင်ဖြင့် ရောစပ်ထားသော TiO2 ပန်းပွင့်ပုံ နာနိုဖွဲ့စည်းပုံရှိသော အလွှာပါးများ၏ ဓာတ်ပုံထုတ်လုပ်ထားသော ကက်သိုဒစ်ကာကွယ်မှု။လှိုင်းစီးခြင်း A coat. technology 205, 557–564 (2010)။
Zhou၊ MJ၊ Zeng၊ ZO & Zhong၊ L. နာနိုအရွယ်အစား TiO2/WO3 အပေါ်ယံလွှာ၏ ဓာတ်ပုံထုတ်လုပ်ထားသော ကတ်သုတ်ကာကွယ်မှုဂုဏ်သတ္တိများ။ Zhou၊ MJ၊ Zeng၊ ZO & Zhong၊ L. နာနိုအရွယ်အစား TiO2/WO3 အပေါ်ယံလွှာ၏ ဓာတ်ပုံထုတ်လုပ်ထားသော ကတ်သုတ်ကာကွယ်မှုဂုဏ်သတ္တိများ။Zhou၊ MJ၊ Zeng၊ ZO နှင့် Zhong၊ L. TiO2/WO3 နာနိုအလွှာ၏ ဓာတ်ပုံဖြင့်ထုတ်လုပ်ထားသော ကက်သိုဒစ်အကာအကွယ်ပေးသည့် ဂုဏ်သတ္တိများ။ Zhou၊ MJ၊ Zeng၊ ZO & Zhong၊ L. 纳米TiO2/WO3 涂层的光生阴极保护性能။ Zhou၊ MJ၊ Zeng၊ ZO & Zhong၊ L. 纳米TiO2/WO3 涂层的光生阴极保护性能။Zhou MJ၊ Zeng ZO နှင့် Zhong L. နာနို-TiO2/WO3 အပေါ်ယံလွှာများ၏ ဓာတ်ပုံဖြင့်ထုတ်လုပ်ထားသော ကက်သိုဒစ်အကာအကွယ်ပေးသည့် ဂုဏ်သတ္တိများ။koros။ သိပ္ပံ။ ၅၁၊ ၁၃၈၆–၁၃၉၇ (၂၀၀၉)။
Park, H., Kim, KY & Choi, W. တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းဖိုတိုအန်နုတ်ကို အသုံးပြု၍ သတ္တုချေးခြင်းကာကွယ်ရန်အတွက် ဓာတ်ပုံလျှပ်စစ်ဓာတုဗေဒချဉ်းကပ်မှု။ Park, H., Kim, KY & Choi, W. တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းဖိုတိုအန်နုတ်ကို အသုံးပြု၍ သတ္တုချေးခြင်းကာကွယ်ရန်အတွက် ဓာတ်ပုံလျှပ်စစ်ဓာတုဗေဒချဉ်းကပ်မှု။Park, H., Kim, K.Yu. နှင့် Choi, V. တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းဖိုတိုအန်နုတ်ကို အသုံးပြု၍ သတ္တုချေးခြင်းကာကွယ်ရန် ဓာတ်ပုံလျှပ်စစ်ဓာတုဗေဒချဉ်းကပ်မှု။ Park, H., Kim, KY & Choi, W. 使用半导体光阳极防止金属腐蚀的光电化学方法။ ပါ့ခ်၊ အိပ်ချ်၊ ကင်မ်၊ KY နှင့် ချွိုင်၊ ဒဗလျူ။Park H., Kim K.Yu. နှင့် Choi V. တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းဖိုတိုအန်နုတ်များကို အသုံးပြု၍ သတ္တုများချေးခြင်းကိုကာကွယ်ရန် ဓာတ်ပုံလျှပ်စစ်ဓာတုနည်းလမ်းများ။J. ရူပဗေဒ။ ဓာတုဗေဒ။ V. 106၊ 4775–4781 (2002)။
Shen, GX, Chen, YC, Lin, L., Lin, CJ & Scantlebury, D. ရေဓာတ်မပါဝင်သော နာနို-TiO2 အပေါ်ယံလွှာနှင့် သတ္တုများ၏ ချေးခြင်းကို ကာကွယ်ရန်အတွက် ၎င်း၏ဂုဏ်သတ္တိများဆိုင်ရာ လေ့လာမှု။ Shen, GX, Chen, YC, Lin, L., Lin, CJ & Scantlebury, D. ရေဓာတ်မပါဝင်သော နာနို-TiO2 အပေါ်ယံလွှာနှင့် သတ္တုများ၏ ချေးခြင်းကို ကာကွယ်ရန်အတွက် ၎င်း၏ဂုဏ်သတ္တိများဆိုင်ရာ လေ့လာမှု။ Shen, GX, Chen, YC, Lin, L., Lin, CJ & Scantlebury, D. Исследование гидрофобного покрытия из нано-TiO2 и его свойств для зритаты Shen, GX, Chen, YC, Lin, L., Lin, CJ & Scantlebury, D. ရေဓာတ်မပါဝင်သော နာနို-TiO2 အပေါ်ယံလွှာနှင့် သတ္တုများ၏ ချေးခြင်းကို ကာကွယ်ရန်အတွက် ၎င်း၏ဂုဏ်သတ္တိများကို စုံစမ်းစစ်ဆေးခြင်း။ Shen၊ GX၊ Chen၊ YC၊ Lin၊ L.၊ Lin၊ CJ & Scantlebury၊ D. 疏水纳米二氧化钛涂层及其金属腐蚀防护性能的研究။ Shen, GX, Chen, YC, Lin, L., Lin, CJ & Scantlebury, D. အရည်ပျော် နာနို-တိုက်တေနီယမ်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ် အပေါ်ယံလွှာနှင့် ၎င်း၏ သတ္တုချေးခြင်းကာကွယ်မှုဂုဏ်သတ္တိများကို လေ့လာခြင်း။ Shen, GX, Chen, YC, Lin, L., Lin, CJ & Scantlebury, D. Гидрофобные покрытия из нано-TiO2 и их свойства защиты металлов от зиррор Shen, GX, Chen, YC, Lin, L., Lin, CJ & Scantlebury, D. နာနို-TiO2 ၏ ဟိုက်ဒရိုဖိုးဗစ် အပေါ်ယံလွှာများနှင့် သတ္တုများအတွက် ၎င်းတို့၏ ချေးခြင်းကာကွယ်မှုဂုဏ်သတ္တိများ။အီလက်ထရိုကမ်။ Acta 50၊ 5083–5089 (2005)။
Yun, H., Li, J., Chen, HB & Lin, CJ သံမဏိ၏ ချေးခြင်းကာကွယ်မှုအတွက် N, S နှင့် Cl-ပြုပြင်ထားသော nano-TiO2 အပေါ်ယံလွှာများအပေါ် လေ့လာမှု။ Yun, H., Li, J., Chen, HB & Lin, CJ သံမဏိ၏ ချေးခြင်းကာကွယ်မှုအတွက် N, S နှင့် Cl-ပြုပြင်ထားသော nano-TiO2 အပေါ်ယံလွှာများအပေါ် လေ့လာမှု။Yun, H., Li, J., Chen, HB နှင့် Lin, SJ သံမဏိ၏ ချေးခြင်းကို ကာကွယ်ရန်အတွက် နိုက်ထရိုဂျင်၊ ဆာလဖာနှင့် ကလိုရင်းတို့ဖြင့် ပြုပြင်ထားသော နာနို-TiO2 အပေါ်ယံလွှာများကို စုံစမ်းစစ်ဆေးခြင်း။ Yun, H., Li, J., Chen, HB & Lin, CJ N,S 和Cl 改性纳米二氧化钛涂层用于不锈钢腐蚀防护的研究။ Yun, H., Li, J., Chen, HB & Lin, CJ N, S 和Cl Yun, H., Li, J., Chen, HB & Lin, CJ Покрытия N, S и Cl, модифицированные нано-TiO2, для защиты от коррозии нержавеющей. Yun, H., Li, J., Chen, HB & Lin, CJ Nano-TiO2 သည် သံမဏိ၏ ချေးခြင်းကို ကာကွယ်ရန်အတွက် ပြုပြင်ထားသော N, S နှင့် Cl အပေါ်ယံလွှာများ။အီလက်ထရိုဓာတုဗေဒ။ အတွဲ ၅၂၊ ၆၆၇၉–၆၆၈၅ (၂၀၀၇)။
Zhu, YF, Du, RG, Chen, W., Qi, HQ & Lin, CJ ဆိုလ်-ဂျယ်နှင့် ဟိုက်ဒရိုသာမာ ပေါင်းစပ်နည်းလမ်းဖြင့် ပြင်ဆင်ထားသော သုံးဖက်မြင် တိုက်တန်နိတ် နာနိုဝါယာကြိုးကွန်ရက် ဖလင်များ၏ ဓာတ်ပုံကသိုဒစ်ကာကွယ်ရေး ဂုဏ်သတ္တိများ။ Zhu, YF, Du, RG, Chen, W., Qi, HQ & Lin, CJ ဆိုလ်-ဂျယ်နှင့် ဟိုက်ဒရိုသာမာ ပေါင်းစပ်နည်းလမ်းဖြင့် ပြင်ဆင်ထားသော သုံးဖက်မြင် တိုက်တန်နိတ် နာနိုဝါယာကြိုးကွန်ရက် ဖလင်များ၏ ဓာတ်ပုံကသိုဒစ်ကာကွယ်ရေး ဂုဏ်သတ္တိများ။ Zhu၊ YF၊ Du၊ RG၊ Chen၊ W.၊ Qi၊ HQ & Lin၊ CJ Фотокатодные защитные свойства трехмерных сетчатых пленок титанатных нанопотрер комбинированным золь-гель и гидротермическим методом။ Zhu, YF, Du, RG, Chen, W., Qi, HQ & Lin, CJ ပေါင်းစပ် sol-gel နှင့် hydrothermal နည်းလမ်းဖြင့် ပြင်ဆင်ထားသော titanate nanowires များ၏ သုံးဖက်မြင် net film များ၏ photocathodic အကာအကွယ်ဂုဏ်သတ္တိများ။ Zhu၊ YF၊ Du၊ RG၊ Chen၊ W.၊ Qi၊ HQ & Lin၊ CJ 溶胶和水热法制备三维钛酸盐纳米线网络薄膧抝的劜 Zhu၊ YF၊ Du၊ RG၊ Chen၊ W.၊ Qi၊ HQ & Lin၊ CJ။消铺-铲和水热法发气小水小水化用线线电视电器电影电影电影电影.由 ၏အကာအကွယ်ဂုဏ်သတ္တိများ ဇူ၊ YF၊ ဒူ၊ RG၊ ချန်၊ ဒဗလျူ၊ Qi၊ HQ & Lin၊ CJ Фотокатодные защитные свойства трехмерных тонких пленок из сетки нанопроволта приготовленных золь-гель и гидротермическими методами။ Zhu, YF, Du, RG, Chen, W., Qi, HQ & Lin, CJ sol-gel နှင့် hydrothermal နည်းလမ်းများဖြင့် ပြင်ဆင်ထားသော သုံးဖက်မြင် တိုက်တန်နိတ် နာနိုဝါယာကြိုးကွန်ရက် အလွှာပါးများ၏ ဓာတ်ပုံကသိုဒစ် အကာအကွယ် ဂုဏ်သတ္တိများ။လျှပ်စစ်ဓာတုဗေဒ။ communicate 12, 1626–1629 (2010)။
Lee, JH, Kim, SI, Park, SM & Kang, M. ကာဗွန်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ်ကို မီသိန်းအဖြစ် ထိရောက်စွာ ဓာတ်ပုံလျှော့ချပေးသည့် pn heterojunction NiS-sensitized TiO2 photocatalytic စနစ်။ Lee, JH, Kim, SI, Park, SM & Kang, M. ကာဗွန်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ်ကို မီသိန်းအဖြစ် ထိရောက်စွာ photoreduction လုပ်ရန်အတွက် pn ​​heterojunction NiS-sensitized TiO2 photocatalytic system။Lee, JH, Kim, SI, Park, SM, နှင့် Kang, M. ကာဗွန်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ်ကို မီသိန်းအဖြစ် ထိရောက်စွာ ဓာတ်ပုံလျှော့ချရန်အတွက် pn-heterojunction NiS သည် TiO2 ဓာတ်ပုံဓာတ်ကူစနစ်ကို အာရုံခံနိုင်စွမ်းရှိစေသည်။ Lee, JH, Kim, SI, Park, SM & Kang, M. 一种pn 异质结NiS 敏化TiO2 光催化系统，用于将二氧化碳高效岈。 Lee, JH, Kim, SI, Park, SM & Kang, M.Lee, JH, Kim, SI, Park, SM, နှင့် Kang, M. ကာဗွန်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ်ကို မီသိန်းအဖြစ် ထိရောက်စွာ ဓာတ်ပုံလျှော့ချရန်အတွက် pn-heterojunction NiS သည် TiO2 ဓာတ်ပုံဓာတ်ကူစနစ်ကို အာရုံခံနိုင်စွမ်းရှိစေသည်။ကြွေထည်ပစ္စည်းများ။ အဓိပ္ပာယ်ဖွင့်ဆိုချက်။ ၄၃၊ ၁၇၆၈–၁၇၇၄ (၂၀၁၇)။
Wang၊ QZ et al. CuS နှင့် NiS တို့သည် TiO2 ပေါ်တွင် photocatalytic hydrogen evolution ကို မြှင့်တင်ရန်အတွက် cocatalysts များအဖြစ် လုပ်ဆောင်သည်။ Interpretation. J.Hydro. Energy 39, 13421–13428 (2014).
Liu, Y. & Tang, C. မျက်နှာပြင်တင် NiS နာနိုအမှုန်များဖြင့် TiO2 နာနိုစာရွက်ဖလင်များပေါ်တွင် photocatalytic H2 ဆင့်ကဲဖြစ်စဉ်ကို မြှင့်တင်ခြင်း။ Liu, Y. & Tang, C. မျက်နှာပြင်တင် NiS နာနိုအမှုန်များဖြင့် TiO2 နာနိုစာရွက်ဖလင်များပေါ်တွင် photocatalytic H2 ဆင့်ကဲဖြစ်စဉ်ကို မြှင့်တင်ခြင်း။Liu၊ Y. နှင့် Tang၊ K. NiS နာနိုအမှုန်များ၏ မျက်နှာပြင်တင်ခြင်းဖြင့် TiO2 နာနိုစာရွက်ဖလင်များတွင် photocatalytic H2 ထုတ်လွှတ်မှုကို မြှင့်တင်ခြင်း။ Liu, Y. & Tang, C. 通过表面负载NiS 纳米颗粒增强TiO2 纳米片薄膜上的光催化产氢။ လျူ၊ ဝိုင် နှင့် တန်၊ စီ။Liu၊ Y. နှင့် Tang၊ K. တို့သည် NiS နာနိုအမှုန်များကို မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် သိုလှောင်ခြင်းဖြင့် TiO2 နာနိုစာရွက်များ၏ အလွှာပါးများပေါ်တွင် photocatalytic ဟိုက်ဒရိုဂျင်ထုတ်လုပ်မှုကို မြှင့်တင်ခဲ့သည်။las. J. ရူပဗေဒ။ ဓာတုဗေဒ။ A 90၊ 1042–1048 (2016)။
Huang၊ XW & Liu၊ ZJ anodization နှင့် chemical oxidation နည်းလမ်းများဖြင့် ပြင်ဆင်ထားသော Ti–O-based nanowire films များ၏ဖွဲ့စည်းပုံနှင့်ဂုဏ်သတ္တိများကို နှိုင်းယှဉ်လေ့လာမှု။ Huang၊ XW & Liu၊ ZJ anodization နှင့် chemical oxidation နည်းလမ်းများဖြင့် ပြင်ဆင်ထားသော Ti–O-based nanowire films များ၏ဖွဲ့စည်းပုံနှင့်ဂုဏ်သတ္တိများကို နှိုင်းယှဉ်လေ့လာမှု။ Huang, XW & Liu, ZJ Сравнительное исследование структуры и свойств пленок нанопроводов на основе Ti-O, полученных я та химического окисления။ Huang၊ XW & Liu၊ ZJ anodizing နှင့် chemical oxidation နည်းလမ်းများမှတစ်ဆင့် ရရှိသော Ti-O nanowire film များ၏ဖွဲ့စည်းပုံနှင့်ဂုဏ်သတ္တိများကို နှိုင်းယှဉ်လေ့လာမှု။ Huang၊ XW & Liu၊ ZJ 阳极氧化法和化学氧化法制备的Ti-O 基纳米线薄膜结构和性能的比穾。 Huang၊ XW & Liu၊ ZJ 阳极 ဓာတ်တိုးခြင်း 法和chemicaloxidation法preparation的Ti-O基基基小线 ပါးလွှာသော ရုပ်ရှင်တည်ဆောက်ပုံ 和property的 နှိုင်းယှဉ်သုတေသန။ Huang, XW & Liu, ZJ Сравнительное исследование структуры и свойств тонких пленок из нанопроволоки на основе Ti-O, понорницата и химическим окислением။ Huang၊ XW & Liu၊ ZJ အန်နိုဒေးရှင်းနှင့် ဓာတုအောက်ဆီဒေးရှင်းဖြင့် ပြင်ဆင်ထားသော Ti-O ನ್ಯಾನိုဝါယာပါးလွှာများ၏ ဖွဲ့စည်းပုံနှင့် ဂုဏ်သတ္တိများကို နှိုင်းယှဉ်လေ့လာမှု။J. Alma mater. science technology 30, 878–883 (2014)။
Li, H., Wang, XT, Liu, Y. & Hou, BR Ag နှင့် SnO2 တို့သည် မြင်နိုင်သောအလင်းရောင်အောက်တွင် 304SS ကိုကာကွယ်ရန်အတွက် TiO2 photoanodes များကို ပူးတွဲအာရုံခံနိုင်စေခဲ့သည်။ Li, H., Wang, XT, Liu, Y. & Hou, BR Ag နှင့် SnO2 တို့သည် မြင်နိုင်သောအလင်းရောင်အောက်တွင် 304SS ကိုကာကွယ်ရန်အတွက် TiO2 photoanodes များကို ပူးတွဲအာရုံခံနိုင်စေခဲ့သည်။ Li, H., Wang, XT, Liu, Y. & Hou, BR Ag и SnO2 совместно сенсибилизировали фотоаноды TiO2 для защиты 304SS в видимом. свет Li, H., Wang, XT, Liu, Y. & Hou, BR Ag နှင့် SnO2 တို့သည် မြင်နိုင်သောအလင်းရောင်တွင် 304SS ကိုကာကွယ်ရန် TiO2 photoanodes များကို cosensitization လုပ်ခဲ့ကြသည်။ Li, H., Wang, XT, Liu, Y. & Hou, BR Ag 和SnO2 共敏化TiO2 光阳极，用于在可见光下保护304SS။ လီ၊ အိပ်ချ်၊ ဝမ်၊ XT၊ လျူ၊ ဝိုင် နှင့် ဟူး၊ BR Ag Li, H., Wang, XT, Liu, Y. & Hou, BR Фотоанод TiO2, совместно сенсибилизированный Ag и SnO2, для защиты 304SS в видвимом. Li, H., Wang, XT, Liu, Y. & Hou, BR 304SS ၏ မြင်နိုင်သောအလင်းအကာအကွယ်အတွက် Ag နှင့် SnO2 တို့နှင့် ပူးတွဲအာရုံခံနိုင်သော TiO2 ဖိုတိုအန်နုတ်။koros။ သိပ္ပံ။ ၈၂၊ ၁၄၅–၁၅၃ (၂၀၁၄)။
Wen၊ ZH၊ Wang၊ N.၊ Wang၊ J. & Hou၊ BR Ag နှင့် CoFe2O4 တို့သည် မြင်နိုင်သောအလင်းရောင်အောက်တွင် 304 SS ၏ photocathodic protection အတွက် TiO2 nanowire ကို ပူးတွဲအာရုံခံနိုင်စေခဲ့သည်။ Wen၊ ZH၊ Wang၊ N.၊ Wang၊ J. & Hou၊ BR Ag နှင့် CoFe2O4 တို့သည် မြင်နိုင်သောအလင်းရောင်အောက်တွင် 304 SS ၏ photocathodic protection အတွက် TiO2 nanowire ကို ပူးတွဲအာရုံခံနိုင်စေခဲ့သည်။Wen၊ ZH၊ Wang၊ N.၊ Wang၊ J. နှင့် Howe၊ BR Ag နှင့် CoFe2O4 တို့ကို မြင်နိုင်သောအလင်းတွင် 304 SS ဓာတ်ပုံကတ်သိုဒ်ကာကွယ်မှုအတွက် TiO2 ನ್ಯಾನိုဝါယာကြိုးနှင့် ပူးတွဲအာရုံခံနိုင်စွမ်းရှိအောင်ပြုလုပ်ထားသည်။ Wen, ZH, Wang, N., Wang, J. & Hou, BR Ag 和CoFe2O4 共敏化TiO2 纳米线，用于在可见光下对304 SS 进行光鿴抴。 Wen, ZH, Wang, N., Wang, J. & Hou, BR AgWen၊ ZH၊ Wang၊ N.၊ Wang၊ J. နှင့် Howe၊ BR Ag နှင့် CoFe2O4 တို့သည် မြင်နိုင်သောအလင်းရောင်တွင် 304 SS ဓာတ်ပုံကက်သိုဒ်ကာကွယ်မှုအတွက် TiO2 ನ್ಯಾನိုဝါယာကြိုးများကို ပူးတွဲအာရုံခံနိုင်စွမ်းရှိအောင် ပြုလုပ်ခဲ့ကြသည်။အဓိပ္ပာယ်ဖွင့်ဆိုချက်။ J. Electrochemistry။ သိပ္ပံ။ ၁၃၊ ၇၅၂–၇၆၁ (၂၀၁၈)။
Bu, YY & Ao, JP သတ္တုများအတွက် photoelectrochemical cathodic protection semiconductor thin films များအပေါ် ပြန်လည်သုံးသပ်ချက်။ Bu, YY & Ao, JP သတ္တုများအတွက် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကာအလွှာပါးများ၏ photoelectrochemical cathodic protection ဆိုင်ရာ ပြန်လည်သုံးသပ်ချက်။ Bu, YY & Ao, JP Обзор фотоэлектрохимической катодной защиты тонких полупроводниковых пленок для металлов. Bu, YY & Ao, JP ၏ သတ္တုများအတွက် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းပါးလွှာသော ဖလင်များ၏ ဖိုတိုလျှပ်စစ်ဓာတုဗေဒ ကက်သိုဒစ်ကာကွယ်မှု ပြန်လည်သုံးသပ်ခြင်း။ Bu၊ YY & Ao၊ JP 金属光电化学阴极保护半导体薄膜综述။ Bu၊ YY & Ao၊ JP သတ္တုပုံဖော်ခြင်း 光电视光阴极电影电影电影电视设计။ Bu, YY & Ao, JP Обзор металлической фотоэлектрохимической катодной защиты тонких полупроводниковых пленок. Bu, YY & Ao, JP ပါးလွှာသော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းဖလင်များ၏ သတ္တုဖိုတိုလျှပ်စစ်ဓာတုဗေဒ ကက်သိုဒစ်ကာကွယ်မှုကို ပြန်လည်သုံးသပ်ခြင်း။စိမ်းလန်းသောစွမ်းအင်ပတ်ဝန်းကျင်။ ၂၊ ၃၃၁–၃၆၂ (၂၀၁၇)။