Nature.com-এ আসার জন্য আপনাকে ধন্যবাদ। আপনি যে ব্রাউজার সংস্করণটি ব্যবহার করছেন তাতে CSS-এর সমর্থন সীমিত। সর্বোত্তম অভিজ্ঞতার জন্য, আমরা আপনাকে একটি হালনাগাদ ব্রাউজার ব্যবহার করার পরামর্শ দিচ্ছি (অথবা ইন্টারনেট এক্সপ্লোরারে কম্প্যাটিবিলিটি মোড নিষ্ক্রিয় করুন)। আপাতত, নিরবচ্ছিন্ন সমর্থন নিশ্চিত করার জন্য, আমরা স্টাইল এবং জাভাস্ক্রিপ্ট ছাড়াই সাইটটি রেন্ডার করব।
TiO2 হলো আলোক-বৈদ্যুতিক রূপান্তরের জন্য ব্যবহৃত একটি অর্ধপরিবাহী পদার্থ। আলোর ব্যবহার উন্নত করার জন্য, একটি সহজ ডুবানো এবং আলোক-হ্রাস পদ্ধতির মাধ্যমে TiO2 ন্যানোওয়্যারের পৃষ্ঠে নিকেল এবং সিলভার সালফাইড ন্যানোকণা সংশ্লেষণ করা হয়েছিল। ৩০৪ স্টেইনলেস স্টিলের উপর Ag/NiS/TiO2 ন্যানোকম্পোজিটের ক্যাথোডিক প্রতিরক্ষামূলক ক্রিয়া নিয়ে ধারাবাহিক গবেষণা করা হয়েছে এবং পদার্থগুলোর গঠন, উপাদান এবং আলো শোষণ বৈশিষ্ট্য সম্পর্কেও বিস্তারিত তথ্য প্রদান করা হয়েছে। ফলাফল থেকে দেখা যায় যে, যখন নিকেল সালফাইড ইমপ্রেগনেশন-প্রেসিপিটেশন চক্রের সংখ্যা ৬ এবং সিলভার নাইট্রেটের আলোক-হ্রাস ঘনত্ব ০.১M হয়, তখন প্রস্তুতকৃত Ag/NiS/TiO2 ন্যানোকম্পোজিট ৩০৪ স্টেইনলেস স্টিলের জন্য সর্বোত্তম ক্যাথোডিক সুরক্ষা প্রদান করতে পারে।
সাম্প্রতিক বছরগুলিতে সূর্যালোক ব্যবহার করে ফটোক্যাথোড সুরক্ষার জন্য এন-টাইপ সেমিকন্ডাক্টরের প্রয়োগ একটি আলোচিত বিষয় হয়ে উঠেছে। সূর্যালোক দ্বারা উত্তেজিত হলে, একটি সেমিকন্ডাক্টর উপাদানের ভ্যালেন্স ব্যান্ড (VB) থেকে ইলেকট্রন কন্ডাকশন ব্যান্ডে (CB) উত্তেজিত হয়ে ফটোজেনারেটেড ইলেকট্রন তৈরি করে। যদি সেমিকন্ডাক্টর বা ন্যানোকম্পোজিটের কন্ডাকশন ব্যান্ড পটেনশিয়াল আবদ্ধ ধাতুর সেলফ-এচিং পটেনশিয়ালের চেয়ে বেশি নেগেটিভ হয়, তবে এই ফটোজেনারেটেড ইলেকট্রনগুলি আবদ্ধ ধাতুর পৃষ্ঠে স্থানান্তরিত হবে। ইলেকট্রনের এই সঞ্চয় ধাতুর ক্যাথোডিক পোলারাইজেশন ঘটাবে এবং সংশ্লিষ্ট ধাতুর ক্যাথোডিক সুরক্ষা প্রদান করবে¹,²,³,⁴,⁵,⁶,⁷। সেমিকন্ডাক্টর উপাদানটিকে তাত্ত্বিকভাবে একটি নন-স্যাক্রিফিশিয়াল ফটোঅ্যানোড হিসাবে বিবেচনা করা হয়, কারণ অ্যানোডিক বিক্রিয়া সেমিকন্ডাক্টর উপাদানটিকে নিজে ক্ষয় করে না, বরং ফটোজেনারেটেড হোল বা শোষিত জৈব দূষকের মাধ্যমে জলের জারণ, অথবা ফটোজেনারেটেড হোলগুলিকে আটকে রাখার জন্য কালেক্টরের উপস্থিতি ক্ষয় করে। সবচেয়ে গুরুত্বপূর্ণ বিষয় হলো, সেমিকন্ডাক্টর উপাদানটির কন্ডাকশন ব্যান্ড (CB) পটেনশিয়াল অবশ্যই সুরক্ষিত করা ধাতুর ক্ষয় পটেনশিয়ালের চেয়ে বেশি নেগেটিভ হতে হবে। কেবল তখনই আলোক-উৎপন্ন ইলেকট্রনগুলো সেমিকন্ডাক্টরের কন্ডাকশন ব্যান্ড থেকে সুরক্ষিত ধাতুতে যেতে পারে। আলোক-রাসায়নিক ক্ষয় প্রতিরোধ ক্ষমতা সংক্রান্ত গবেষণায় মূলত প্রশস্ত ব্যান্ড গ্যাপ (3.0–3.2EV)¹,²,³,⁴,⁵,⁶,⁷ সম্পন্ন অজৈব এন-টাইপ সেমিকন্ডাক্টর পদার্থগুলোকে কেন্দ্র করে কাজ করা হয়েছে, যেগুলো কেবল অতিবেগুনি রশ্মির (< 400 nm) প্রতি সংবেদনশীল, ফলে আলোর প্রাপ্যতা হ্রাস পায়। আলোক-রাসায়নিক ক্ষয় প্রতিরোধ ক্ষমতা সংক্রান্ত গবেষণায় মূলত প্রশস্ত ব্যান্ড গ্যাপ (3.0–3.2EV)¹,²,³,⁴,⁵,⁶,⁷ সম্পন্ন অজৈব এন-টাইপ সেমিকন্ডাক্টর পদার্থগুলোকে কেন্দ্র করে কাজ করা হয়েছে, যেগুলো কেবল অতিবেগুনি রশ্মির (< 400 nm) প্রতি সংবেদনশীল, ফলে আলোর প্রাপ্যতা হ্রাস পায়। Исследования стойкости к фотохимической коррозии были сосредоточены на неорганических полупроводниковых материалах n- широкой запрещенной зоной (3,0–3,2 EV)1,2,3,4,5,6,7, которые реагируют только на ультрафиолетовое излучение (< 400) доступности света. আলোক-রাসায়নিক ক্ষয় প্রতিরোধের উপর গবেষণা মূলত প্রশস্ত ব্যান্ডগ্যাপ (3.0–3.2 EV)¹,²,³,⁴,⁵,⁶,⁷ সম্পন্ন এন-টাইপ অজৈব সেমিকন্ডাক্টর উপকরণগুলির উপর দৃষ্টি নিবদ্ধ করেছে, যেগুলি কেবল অতিবেগুনী বিকিরণ (< 400 nm) এবং সীমিত আলোর প্রাপ্যতার প্রতি সাড়া দেয়।光化学耐腐蚀性研究主要集中在具有宽带隙(3.0–3.2EV)1,2,3,4,5,6,7 的无机n型半导体材料上,这些材料仅对紫外光（<400 nm）有响应,减少光的可用性।光 化学 耐腐 蚀性 研究 主要 在 具有 宽带隙 宽带隙 宽带隙 (3.0–3.2ev) 1.2,3,6, 朠5,6,4型 材料 上, 这些 材料 仅 对 （<400 nm） 有 有 有 有 有 有有有有 有响应, 减少光的可用性. Исследования стойкости к фотохимической коррозии в основном были сосредоточены на неорганических полупроводниковыхатих n-типа с широкой запрещенной зоной (3,0–3,2EV)1,2,3,4,5,6,7, которые чувствительны только к УФ-излучению (<400)। আলোক-রাসায়নিক ক্ষয় প্রতিরোধের উপর গবেষণা প্রধানত প্রশস্ত ব্যান্ডগ্যাপ (3.0–3.2EV)¹,²,³,⁴,⁵,⁶,⁷ এন-টাইপ অজৈব অর্ধপরিবাহী পদার্থকে কেন্দ্র করে হয়েছে যা কেবল অতিবেগুনী বিকিরণের (<400 nm) প্রতি সংবেদনশীল।এর ফলে আলোর প্রাপ্যতা কমে যায়।
সামুদ্রিক ক্ষয়রোধী সুরক্ষার ক্ষেত্রে, ফটোইলেক্ট্রোকেমিক্যাল ক্যাথোডিক সুরক্ষা প্রযুক্তি একটি গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করে। TiO2 একটি অর্ধপরিবাহী পদার্থ যার চমৎকার UV আলো শোষণ এবং ফটোক্যাটালিটিক বৈশিষ্ট্য রয়েছে। তবে, আলোর ব্যবহারের হার কম হওয়ায়, আলোক-উৎপন্ন ইলেকট্রন-হোলগুলি সহজেই পুনর্মিলিত হয় এবং অন্ধকার পরিস্থিতিতে এদেরকে রক্ষা করা যায় না। একটি যুক্তিসঙ্গত এবং কার্যকর সমাধান খুঁজে বের করার জন্য আরও গবেষণার প্রয়োজন। জানা গেছে যে, TiO2-এর আলোকসংবেদনশীলতা উন্নত করার জন্য অনেক পৃষ্ঠতল পরিবর্তন পদ্ধতি ব্যবহার করা যেতে পারে, যেমন Fe, N দিয়ে ডোপিং করা এবং Ni3S2, Bi2Se3, CdTe ইত্যাদির সাথে মিশ্রণ করা। তাই, উচ্চ আলোক-বৈদ্যুতিক রূপান্তর দক্ষতা সম্পন্ন পদার্থের সাথে TiO2 কম্পোজিট আলোক-উৎপন্ন ক্যাথোডিক সুরক্ষার ক্ষেত্রে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়।
নিকেল সালফাইড একটি সেমিকন্ডাক্টর উপাদান যার ব্যান্ড গ্যাপ মাত্র 1.24 eV8.9। ব্যান্ড গ্যাপ যত সংকীর্ণ হয়, আলোর ব্যবহার তত শক্তিশালী হয়। নিকেল সালফাইডকে টাইটানিয়াম ডাইঅক্সাইডের পৃষ্ঠের সাথে মিশ্রিত করার পর, আলোর ব্যবহারের মাত্রা বাড়ানো যেতে পারে। টাইটানিয়াম ডাইঅক্সাইডের সাথে মিলিত হয়ে, এটি আলোক-উৎপন্ন ইলেকট্রন এবং হোলের পৃথকীকরণ দক্ষতা কার্যকরভাবে উন্নত করতে পারে। নিকেল সালফাইড তড়িৎ-অনুঘটকীয় হাইড্রোজেন উৎপাদন, ব্যাটারি এবং দূষক বিয়োজনে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়8,9,10। তবে, ফটোক্যাথোড সুরক্ষায় এর ব্যবহার এখনও রিপোর্ট করা হয়নি। এই গবেষণায়, TiO2-এর কম আলো ব্যবহারের দক্ষতার সমস্যা সমাধানের জন্য একটি সংকীর্ণ ব্যান্ডগ্যাপ সেমিকন্ডাক্টর উপাদান বেছে নেওয়া হয়েছিল। নিকেল এবং সিলভার সালফাইড ন্যানো পার্টিকেল যথাক্রমে নিমজ্জন এবং ফটোরিডাকশন পদ্ধতির মাধ্যমে TiO2 ন্যানোওয়্যারের পৃষ্ঠে আবদ্ধ করা হয়েছিল। Ag/NiS/TiO2 ন্যানোকম্পোজিট আলোর ব্যবহার দক্ষতা উন্নত করে এবং আলোর শোষণ পরিসরকে অতিবেগুনি অঞ্চল থেকে দৃশ্যমান অঞ্চলে প্রসারিত করে। একই সাথে, সিলভার ন্যানোকণার অবক্ষেপণ Ag/NiS/TiO2 ন্যানোকম্পোজিটকে চমৎকার আলোকীয় স্থিতিশীলতা এবং স্থিতিশীল ক্যাথোডিক সুরক্ষা প্রদান করে।
প্রথমে, পরীক্ষার জন্য ৯৯.৯% বিশুদ্ধতার ০.১ মিমি পুরু একটি টাইটানিয়াম ফয়েল ৩০ মিমি × ১০ মিমি আকারে কাটা হয়েছিল। তারপর, টাইটানিয়াম ফয়েলের প্রতিটি পৃষ্ঠ ২৫০০ গ্রিট স্যান্ডপেপার দিয়ে ১০০ বার পালিশ করা হয়েছিল এবং তারপর পর্যায়ক্রমে অ্যাসিটোন, অ্যাবসোলিউট ইথানল এবং পাতিত জল দিয়ে ধোয়া হয়েছিল। টাইটানিয়াম প্লেটটি ৮৫° সেলসিয়াস তাপমাত্রার একটি মিশ্রণে (সোডিয়াম হাইড্রোক্সাইড: সোডিয়াম কার্বনেট: জল = ৫:২:১০০) ৯০ মিনিটের জন্য রাখা হয়েছিল, তারপর বের করে পাতিত জল দিয়ে ধুয়ে ফেলা হয়েছিল। পৃষ্ঠটি ১ মিনিটের জন্য HF দ্রবণ (HF:H2O = ১:৫) দিয়ে ইচিং করা হয়েছিল, তারপর পর্যায়ক্রমে অ্যাসিটোন, ইথানল এবং পাতিত জল দিয়ে ধুয়ে ফেলা হয়েছিল এবং অবশেষে ব্যবহারের জন্য শুকানো হয়েছিল। এক-ধাপ অ্যানোডাইজিং প্রক্রিয়ার মাধ্যমে টাইটানিয়াম ফয়েলের পৃষ্ঠে দ্রুত টাইটানিয়াম ডাইঅক্সাইড ন্যানোওয়্যার তৈরি করা হয়েছিল। অ্যানোডাইজিংয়ের জন্য, একটি প্রচলিত দুই-ইলেকট্রোড সিস্টেম ব্যবহার করা হয়, যেখানে ওয়ার্কিং ইলেকট্রোডটি একটি টাইটানিয়াম শিট এবং কাউন্টার ইলেকট্রোডটি একটি প্ল্যাটিনাম ইলেকট্রোড। ইলেকট্রোড ক্ল্যাম্পসহ টাইটানিয়াম প্লেটটি ৪০০ মিলি ২ মোলার NaOH দ্রবণে রাখা হয়েছিল। ডিসি পাওয়ার সাপ্লাই কারেন্ট প্রায় ১.৩ অ্যাম্পিয়ারে স্থিতিশীল রাখা হয়েছিল। সিস্টেমিক বিক্রিয়া চলাকালীন দ্রবণের তাপমাত্রা ১৮০ মিনিট ধরে ৮০° সেলসিয়াসে বজায় রাখা হয়েছিল। টাইটানিয়াম শিটটি বের করে অ্যাসিটোন ও ইথানল দিয়ে ধুয়ে, পাতিত জল দিয়ে ধুয়ে স্বাভাবিকভাবে শুকানো হয়েছিল। এরপর নমুনাগুলোকে একটি মাফল ফার্নেসে ৪৫০° সেলসিয়াস তাপমাত্রায় (তাপমাত্রা বৃদ্ধির হার ৫° সেলসিয়াস/মিনিট) রেখে ১২০ মিনিট ধরে স্থির তাপমাত্রায় রাখা হয় এবং একটি শুকানোর ট্রে-তে রাখা হয়।
নিকেল সালফাইড-টাইটানিয়াম ডাইঅক্সাইড যৌগটি একটি সহজ ডিপ-ডিপোজিশন পদ্ধতিতে প্রস্তুত করা হয়েছিল। প্রথমে, নিকেল নাইট্রেট (০.০৩ M) ইথানলে দ্রবীভূত করে ২০ মিনিট ধরে ম্যাগনেটিক স্টিরিং-এর মাধ্যমে রেখে নিকেল নাইট্রেটের একটি ইথানল দ্রবণ তৈরি করা হয়। এরপর, মিথানলের (মিথানল:পানি = ১:১) একটি মিশ্র দ্রবণ দিয়ে সোডিয়াম সালফাইড (০.০৩ M) প্রস্তুত করা হয়। তারপর, টাইটানিয়াম ডাইঅক্সাইড ট্যাবলেটগুলো উপরে প্রস্তুত করা দ্রবণে রাখা হয়, ৪ মিনিট পর বের করে আনা হয় এবং দ্রুত মিথানল ও পানির (মিথানল:পানি=১:১) একটি মিশ্র দ্রবণ দিয়ে ১ মিনিটের জন্য ধুয়ে ফেলা হয়। পৃষ্ঠতল শুকিয়ে যাওয়ার পর, ট্যাবলেটগুলোকে একটি মাফল ফার্নেসে রেখে ভ্যাকুয়ামে ৩৮০°C তাপমাত্রায় ২০ মিনিট ধরে উত্তপ্ত করা হয়, এরপর কক্ষ তাপমাত্রায় ঠান্ডা করে শুকানো হয়। চক্রের সংখ্যা ছিল ২, ৪, ৬ এবং ৮।
ফোটোরিডাকশন¹²,¹³ পদ্ধতিতে Ag ন্যানোকণা দ্বারা পরিবর্তিত Ag/NiS/TiO₂ ন্যানোকম্পোজিট। প্রাপ্ত Ag/NiS/TiO₂ ন্যানোকম্পোজিটটিকে পরীক্ষার জন্য প্রয়োজনীয় সিলভার নাইট্রেট দ্রবণে রাখা হয়েছিল। তারপর নমুনাগুলোকে ৩০ মিনিটের জন্য অতিবেগুনি রশ্মি দ্বারা বিকিরণ করা হয়, তাদের পৃষ্ঠতল ডিআয়োনাইজড পানি দিয়ে পরিষ্কার করা হয় এবং স্বাভাবিকভাবে শুকানোর মাধ্যমে Ag/NiS/TiO₂ ন্যানোকম্পোজিটগুলো পাওয়া যায়। উপরে বর্ণিত পরীক্ষামূলক প্রক্রিয়াটি চিত্র ১-এ দেখানো হয়েছে।
Ag/NiS/TiO2 ন্যানোকম্পোজিটগুলোর বৈশিষ্ট্য প্রধানত ফিল্ড এমিশন স্ক্যানিং ইলেকট্রন মাইক্রোস্কোপি (FESEM), এনার্জি ডিসপারসিভ স্পেকট্রোস্কোপি (EDS), এক্স-রে ফটোইলেকট্রন স্পেকট্রোস্কোপি (XPS), এবং অতিবেগুনি ও দৃশ্যমান পরিসরে (UV-Vis) ডিফিউজ রিফ্লেক্ট্যান্সের মাধ্যমে নির্ণয় করা হয়েছে। FESEM পরীক্ষাটি একটি Nova NanoSEM 450 মাইক্রোস্কোপ (FEI Corporation, USA) ব্যবহার করে করা হয়েছিল। এর অ্যাক্সিলারেটিং ভোল্টেজ ছিল ১ kV এবং স্পট সাইজ ছিল ২.০। টপোগ্রাফি বিশ্লেষণের জন্য সেকেন্ডারি এবং ব্যাকস্ক্যাটার্ড ইলেকট্রন গ্রহণ করতে ডিভাইসটি একটি CBS প্রোব ব্যবহার করে। EMF পরীক্ষাটি একটি Oxford X-Max N50 EMF সিস্টেম (Oxford Instruments Technology Co., Ltd.) ব্যবহার করে করা হয়েছিল, যার অ্যাক্সিলারেটিং ভোল্টেজ ছিল ১৫ kV এবং স্পট সাইজ ছিল ৩.০। বৈশিষ্ট্যসূচক এক্স-রে ব্যবহার করে গুণগত এবং পরিমাণগত বিশ্লেষণ করা হয়েছে। এক্স-রে ফটোইলেকট্রন স্পেকট্রোস্কোপি একটি এসক্যালাব 250Xi স্পেকট্রোমিটারে (থার্মো ফিশার সায়েন্টিফিক কর্পোরেশন, ইউএসএ) করা হয়েছিল, যা একটি নির্দিষ্ট শক্তি মোডে ১৫০ ওয়াট এক্সাইটেশন পাওয়ার এবং এক্সাইটেশন উৎস হিসেবে মনোক্রোম্যাটিক Al Kα রেডিয়েশন (১৪৮৬.৬ eV) ব্যবহার করে পরিচালিত হয়। সম্পূর্ণ স্ক্যান পরিসর ০–১৬০০ eV, মোট শক্তি ৫০ eV, ধাপের প্রস্থ ১.০ eV, এবং বাইন্ডিং এনার্জি চার্জ কারেকশন রেফারেন্স হিসেবে অশুদ্ধ কার্বন (~২৮৪.৮ eV) ব্যবহার করা হয়েছিল। সংকীর্ণ স্ক্যানিংয়ের জন্য পাস এনার্জি ছিল ২০ eV এবং ধাপ ছিল ০.০৫ eV। ইউভি-দৃশ্যমান অঞ্চলে ডিফিউজ রিফ্লেক্টেন্স স্পেকট্রোস্কোপি একটি ক্যারি 5000 স্পেকট্রোমিটারে (ভেরিয়ান, ইউএসএ) ১০–৮০° স্ক্যানিং পরিসরে একটি স্ট্যান্ডার্ড বেরিয়াম সালফেট প্লেট ব্যবহার করে করা হয়েছিল।
এই গবেষণায়, ৩০৪ স্টেইনলেস স্টিলের উপাদান (ওজন শতাংশ) হলো ০.০৮ কার্বন, ১.৮৬ ম্যাঙ্গানিজ, ০.৭২ সিলিকন, ০.০৩৫ ফসফরাস, ০.০২৯ সালফার, ১৮.২৫ ক্রোমিয়াম, ৮.৫ নিকেল এবং বাকিটা লোহা। ১০ মিমি x ১০ মিমি x ১০ মিমি আকারের ৩০৪ স্টেইনলেস স্টিলকে ১ বর্গ সেমি উন্মুক্ত পৃষ্ঠতল রেখে ইপোক্সি দিয়ে পটিং করা হয়েছিল। এর পৃষ্ঠতল ২৪০০ গ্রিট সিলিকন কার্বাইড স্যান্ডপেপার দিয়ে ঘষে মসৃণ করা হয়েছিল এবং ইথানল দিয়ে ধোয়া হয়েছিল। এরপর স্টেইনলেস স্টিলটিকে ডিআয়োনাইজড পানিতে ৫ মিনিটের জন্য সনিকেট করা হয় এবং তারপর একটি ওভেনে সংরক্ষণ করা হয়।
OCP পরীক্ষায়, 304 স্টেইনলেস স্টিল এবং একটি Ag/NiS/TiO2 ফটোঅ্যানোড যথাক্রমে একটি করোশন সেল এবং একটি ফটোঅ্যানোড সেলে স্থাপন করা হয়েছিল (চিত্র ২)। করোশন সেলটি ৩.৫% NaCl দ্রবণ দিয়ে পূর্ণ করা হয়েছিল, এবং ফটোঅ্যানোড সেলে হোল ট্র্যাপ হিসেবে ০.২৫ M Na2SO3 ঢালা হয়েছিল। ন্যাপথল মেমব্রেন ব্যবহার করে মিশ্রণ থেকে দুটি ইলেকট্রোলাইটকে আলাদা করা হয়েছিল। একটি ইলেকট্রোকেমিক্যাল ওয়ার্কস্টেশনে (P4000+, USA) OCP পরিমাপ করা হয়েছিল। রেফারেন্স ইলেকট্রোডটি ছিল একটি স্যাচুরেটেড ক্যালমেল ইলেকট্রোড (SCE)। একটি আলোক উৎস (জেনন ল্যাম্প, PLS-SXE300C, Poisson Technologies Co., Ltd.) এবং আলোক উৎসের আউটলেটে একটি কাট-অফ প্লেট ৪২০ স্থাপন করা হয়েছিল, যা কোয়ার্টজ গ্লাসের মধ্য দিয়ে দৃশ্যমান আলোকে ফটোঅ্যানোডে যেতে দেয়। 304 স্টেইনলেস স্টিল ইলেকট্রোডটি একটি তামার তার দিয়ে ফটোঅ্যানোডের সাথে সংযুক্ত করা হয়েছে। পরীক্ষার আগে, স্থিতিশীল অবস্থা নিশ্চিত করার জন্য ৩০৪ স্টেইনলেস স্টিল ইলেকট্রোডটিকে ২ ঘণ্টার জন্য ৩.৫% NaCl দ্রবণে ভিজিয়ে রাখা হয়েছিল। পরীক্ষার শুরুতে, যখন আলো জ্বালানো ও নেভানো হয়, তখন ফটোঅ্যানোডের উত্তেজিত ইলেকট্রনগুলো তারের মাধ্যমে ৩০৪ স্টেইনলেস স্টিলের পৃষ্ঠে পৌঁছায়।
ফোটোকারেন্ট ডেনসিটির উপর পরীক্ষা-নিরীক্ষায়, যথাক্রমে করোশন সেল এবং ফোটোঅ্যানোড সেলে ৩০৪এসএস এবং Ag/NiS/TiO2 ফোটোঅ্যানোড স্থাপন করা হয়েছিল (চিত্র ৩)। OCP-এর মতো একই সেটআপে ফোটোকারেন্ট ডেনসিটি পরিমাপ করা হয়েছিল। ৩০৪ স্টেইনলেস স্টিল এবং ফোটোঅ্যানোডের মধ্যে প্রকৃত ফোটোকারেন্ট ডেনসিটি পাওয়ার জন্য, নন-পোলারাইজড অবস্থায় ৩০৪ স্টেইনলেস স্টিল এবং ফোটোঅ্যানোডকে সংযুক্ত করতে একটি পোটেনশিওস্ট্যাটকে জিরো রেজিস্ট্যান্স অ্যামিটার হিসেবে ব্যবহার করা হয়েছিল। এটি করার জন্য, পরীক্ষামূলক সেটআপের রেফারেন্স এবং কাউন্টার ইলেকট্রোড শর্ট-সার্কিট করা হয়েছিল, যাতে ইলেক্ট্রোকেমিক্যাল ওয়ার্কস্টেশনটি একটি জিরো-রেজিস্ট্যান্স অ্যামিটার হিসেবে কাজ করে যা প্রকৃত কারেন্ট ডেনসিটি পরিমাপ করতে পারে। ৩০৪ স্টেইনলেস স্টিল ইলেকট্রোডটি ইলেক্ট্রোকেমিক্যাল ওয়ার্কস্টেশনের গ্রাউন্ডের সাথে সংযুক্ত করা হয় এবং ফোটোঅ্যানোডটি ওয়ার্কিং ইলেকট্রোড ক্ল্যাম্পের সাথে সংযুক্ত করা হয়। পরীক্ষার শুরুতে, যখন আলো জ্বালানো এবং নেভানো হয়, তখন ফোটোঅ্যানোডের উত্তেজিত ইলেকট্রনগুলো তারের মাধ্যমে ৩০৪ স্টেইনলেস স্টিলের পৃষ্ঠে পৌঁছায়। এই সময়ে, ৩০৪ স্টেইনলেস স্টিলের পৃষ্ঠে আলোকপ্রবাহ ঘনত্বের একটি পরিবর্তন লক্ষ্য করা যায়।
৩০৪ স্টেইনলেস স্টিলের উপর ন্যানোকম্পোজিটের ক্যাথোডিক সুরক্ষা কর্মক্ষমতা অধ্যয়নের জন্য, ৩০৪ স্টেইনলেস স্টিল ও ন্যানোকম্পোজিটের ফটোআয়নাইজেশন পটেনশিয়ালের পরিবর্তন এবং ন্যানোকম্পোজিট ও ৩০৪ স্টেইনলেস স্টিলের মধ্যে ফটোআয়নাইজেশন কারেন্ট ডেনসিটির পরিবর্তন পরীক্ষা করা হয়েছিল।
চিত্র ৪-এ দৃশ্যমান আলোর বিকিরণ এবং অন্ধকার পরিস্থিতিতে ৩০৪ স্টেইনলেস স্টিল এবং ন্যানোকম্পোজিটের ওপেন সার্কিট পটেনশিয়ালের পরিবর্তন দেখানো হয়েছে। চিত্র ৪ক-তে নিমজ্জনের মাধ্যমে NiS জমার সময়ের প্রভাব ওপেন সার্কিট পটেনশিয়ালের উপর দেখানো হয়েছে, এবং চিত্র ৪খ-তে ফোটোরিডাকশনের সময় সিলভার নাইট্রেটের ঘনত্বের প্রভাব ওপেন সার্কিট পটেনশিয়ালের উপর দেখানো হয়েছে। চিত্র ৪ক থেকে দেখা যায় যে, নিকেল সালফাইড কম্পোজিটের তুলনায় বাতি জ্বালানোর মুহূর্তে ৩০৪ স্টেইনলেস স্টিলের সাথে সংযুক্ত NiS/TiO2 ন্যানোকম্পোজিটের ওপেন সার্কিট পটেনশিয়াল উল্লেখযোগ্যভাবে হ্রাস পায়। এছাড়াও, এর ওপেন সার্কিট পটেনশিয়াল বিশুদ্ধ TiO2 ন্যানোওয়্যারের চেয়ে বেশি নেগেটিভ, যা নির্দেশ করে যে নিকেল সালফাইড কম্পোজিট আরও বেশি ইলেকট্রন তৈরি করে এবং TiO2 থেকে ফোটোক্যাথোডের সুরক্ষা প্রভাব উন্নত করে। তবে, এক্সপোজারের শেষে, নো-লোড পটেনশিয়াল দ্রুত স্টেইনলেস স্টিলের নো-লোড পটেনশিয়ালে পৌঁছে যায়, যা নির্দেশ করে যে নিকেল সালফাইডের কোনো শক্তি সঞ্চয়ের প্রভাব নেই। চিত্র ৪ক-তে ওপেন সার্কিট পটেনশিয়ালের উপর ইমার্শন ডিপোজিশন চক্রের সংখ্যার প্রভাব পর্যবেক্ষণ করা যায়। ৬ বার ডিপোজিশনের সময়ে, স্যাচুরেটেড ক্যালমেল ইলেকট্রোডের সাপেক্ষে ন্যানোকম্পোজিটের চরম পটেনশিয়াল -৫৫০ mV-এ পৌঁছায়, এবং ৬ গুণ বেশি পরিমাণে জমা হওয়া ন্যানোকম্পোজিটের পটেনশিয়াল অন্যান্য অবস্থার ন্যানোকম্পোজিটের তুলনায় উল্লেখযোগ্যভাবে কম। সুতরাং, ৬টি ডিপোজিশন চক্রের পর প্রাপ্ত NiS/TiO2 ন্যানোকম্পোজিট ৩০৪ স্টেইনলেস স্টিলের জন্য সর্বোত্তম ক্যাথোডিক সুরক্ষা প্রদান করেছে।
আলোকসজ্জা সহ এবং আলোকসজ্জা ছাড়া (λ > 400 nm), NiS/TiO2 ন্যানোকম্পোজিট (a) এবং Ag/NiS/TiO2 ন্যানোকম্পোজিট (b) যুক্ত 304 স্টেইনলেস স্টিল ইলেকট্রোডের OCP-এর পরিবর্তন।
চিত্র ৪খ-তে যেমন দেখানো হয়েছে, আলোর সংস্পর্শে এলে ৩০৪ স্টেইনলেস স্টিল এবং Ag/NiS/TiO2 ন্যানোকম্পোজিটের ওপেন সার্কিট পটেনশিয়াল উল্লেখযোগ্যভাবে হ্রাস পায়। সিলভার ন্যানোপার্টিকেল পৃষ্ঠে জমা হওয়ার পর, বিশুদ্ধ TiO2 ন্যানোওয়্যারের তুলনায় ওপেন সার্কিট পটেনশিয়াল উল্লেখযোগ্যভাবে হ্রাস পায়। NiS/TiO2 ন্যানোকম্পোজিটের পটেনশিয়াল আরও বেশি নেগেটিভ, যা নির্দেশ করে যে Ag ন্যানোপার্টিকেল জমা হওয়ার পর TiO2-এর ক্যাথোডিক প্রতিরক্ষামূলক প্রভাব উল্লেখযোগ্যভাবে উন্নত হয়। সংস্পর্শের শেষে ওপেন সার্কিট পটেনশিয়াল দ্রুত বৃদ্ধি পায় এবং স্যাচুরেটেড ক্যালমেল ইলেকট্রোডের তুলনায় ওপেন সার্কিট পটেনশিয়াল -৫৮০ mV পর্যন্ত পৌঁছাতে পারে, যা ৩০৪ স্টেইনলেস স্টিলের (-১৮০ mV) চেয়ে কম ছিল। এই ফলাফল নির্দেশ করে যে ন্যানোকম্পোজিটের পৃষ্ঠে সিলভার কণা জমা হওয়ার পর এর একটি উল্লেখযোগ্য শক্তি সঞ্চয়ের প্রভাব রয়েছে। চিত্র ৪খ-তে ওপেন সার্কিট পটেনশিয়ালের উপর সিলভার নাইট্রেট ঘনত্বের প্রভাবও দেখানো হয়েছে। ০.১ M সিলভার নাইট্রেট ঘনত্বে, স্যাচুরেটেড ক্যালমেল ইলেকট্রোডের সাপেক্ষে লিমিটিং পটেনশিয়াল -৯২৫ mV-তে পৌঁছায়। ৪ বার প্রয়োগ চক্রের পরেও বিভব প্রথম প্রয়োগের পরের স্তরেই স্থির ছিল, যা ন্যানোকম্পোজিটটির চমৎকার স্থিতিশীলতা নির্দেশ করে। সুতরাং, ০.১ M সিলভার নাইট্রেট ঘনমাত্রায়, প্রাপ্ত Ag/NiS/TiO2 ন্যানোকম্পোজিটটি ৩০৪ স্টেইনলেস স্টিলের উপর সর্বোত্তম ক্যাথোডিক প্রতিরক্ষামূলক প্রভাব ফেলে।
NiS জমার সময় বাড়ার সাথে সাথে TiO2 ন্যানোওয়্যারের পৃষ্ঠে NiS-এর জমা হওয়ার পরিমাণ ক্রমান্বয়ে উন্নত হয়। যখন দৃশ্যমান আলো ন্যানোওয়্যারের পৃষ্ঠে আপতিত হয়, তখন আরও বেশি নিকেল সালফাইড সক্রিয় স্থান উত্তেজিত হয়ে ইলেকট্রন উৎপন্ন করে এবং ফটোআয়নাইজেশন পটেনশিয়াল আরও কমে যায়। তবে, যখন নিকেল সালফাইড ন্যানোকণাগুলো পৃষ্ঠে অতিরিক্ত পরিমাণে জমা হয়, তখন উত্তেজিত নিকেল সালফাইড বিজারিত হয়ে যায়, যা আলো শোষণে কোনো ভূমিকা রাখে না। পৃষ্ঠে রূপার কণা জমা হওয়ার পর, রূপার কণাগুলোর সারফেস প্লাজমোন রেজোন্যান্স প্রভাবের কারণে, উৎপন্ন ইলেকট্রনগুলো দ্রুত 304 স্টেইনলেস স্টিলের পৃষ্ঠে স্থানান্তরিত হয়, যার ফলে চমৎকার ক্যাথোডিক সুরক্ষা প্রভাব পাওয়া যায়। যখন পৃষ্ঠে খুব বেশি রূপার কণা জমা হয়, তখন রূপার কণাগুলো ফটোইলেকট্রন এবং হোলের জন্য একটি পুনর্মিলন বিন্দুতে পরিণত হয়, যা ফটোইলেকট্রন উৎপাদনে কোনো ভূমিকা রাখে না। উপসংহারে বলা যায়, 0.1 M সিলভার নাইট্রেটের অধীনে ৬-গুণ নিকেল সালফাইড জমার পর Ag/NiS/TiO2 ন্যানোকম্পোজিট 304 স্টেইনলেস স্টিলের জন্য সর্বোত্তম ক্যাথোডিক সুরক্ষা প্রদান করতে পারে।
ফোটোকারেন্ট ডেনসিটি মানটি আলোক-উৎপন্ন ইলেকট্রন এবং হোলের পৃথকীকরণ ক্ষমতাকে নির্দেশ করে, এবং ফোটোকারেন্ট ডেনসিটি যত বেশি হয়, আলোক-উৎপন্ন ইলেকট্রন এবং হোলের পৃথকীকরণ ক্ষমতাও তত শক্তিশালী হয়। অনেক গবেষণায় দেখা গেছে যে, পদার্থের আলোক-বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য উন্নত করতে এবং হোল পৃথক করার জন্য ফোটোক্যাটালিটিক পদার্থ সংশ্লেষণে NiS ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়¹⁵,¹⁶,¹⁷,¹⁸,¹⁹,²⁰। চেন এবং তার সহকর্মীরা NiS দ্বারা সহ-পরিবর্তিত মূল্যবান-ধাতু-মুক্ত গ্রাফিন এবং g-C₃N₄ কম্পোজিট নিয়ে গবেষণা করেছেন¹⁵। পরিবর্তিত g-C₃N₄/0.25%RGO/3%NiS-এর ফোটোকারেন্টের সর্বোচ্চ তীব্রতা হলো 0.018 μA/cm²। চেন এবং তার সহকর্মীরা প্রায় 10 µA/cm² ফোটোকারেন্ট ডেনসিটি সহ CdSe-NiS নিয়ে গবেষণা করেছেন¹⁶। লিউ এবং তার সহকর্মীরা 15 µA/cm² ফোটোকারেন্ট ডেনসিটি সহ একটি CdS@NiS কম্পোজিট সংশ্লেষণ করেছেন¹⁸। তবে, ফটোক্যাথোড সুরক্ষার জন্য NiS-এর ব্যবহারের কথা এখনও জানা যায়নি। আমাদের গবেষণায়, NiS দ্বারা পরিবর্তনের ফলে TiO2-এর ফটোকারেন্ট ঘনত্ব উল্লেখযোগ্যভাবে বৃদ্ধি পেয়েছে। চিত্র ৫-এ দৃশ্যমান আলোর অধীনে এবং আলো ছাড়া ৩০৪ স্টেইনলেস স্টিল এবং ন্যানোকম্পোজিটের ফটোকারেন্ট ঘনত্বের পরিবর্তন দেখানো হয়েছে। চিত্র ৫ক-তে যেমন দেখানো হয়েছে, আলো জ্বালানোর মুহূর্তে NiS/TiO2 ন্যানোকম্পোজিটের ফটোকারেন্ট ঘনত্ব দ্রুত বৃদ্ধি পায় এবং এই ফটোকারেন্ট ঘনত্ব ধনাত্মক, যা নির্দেশ করে যে ইলেকট্রনগুলো ইলেক্ট্রোকেমিক্যাল ওয়ার্কস্টেশন ৩০৪ স্টেইনলেস স্টিলের মাধ্যমে ন্যানোকম্পোজিট থেকে পৃষ্ঠে প্রবাহিত হচ্ছে। নিকেল সালফাইড কম্পোজিট তৈরির পর, এর ফটোকারেন্ট ঘনত্ব বিশুদ্ধ TiO2 ন্যানোওয়্যারের চেয়ে বেশি হয়। যখন NiS-কে ৬ বার ডুবিয়ে জমা করা হয়, তখন এর ফটোকারেন্ট ঘনত্ব ২২০ μA/cm²-এ পৌঁছায়, যা TiO2 ন্যানোওয়্যারের (৩২ μA/cm²) চেয়ে ৬.৮ গুণ বেশি। চিত্র ৫ক-এ যেমন দেখানো হয়েছে, চিত্র 5b-তে দেখা যায়, একটি জেনন ল্যাম্পের নিচে চালু করার পর Ag/NiS/TiO2 ন্যানোকম্পোজিট এবং 304 স্টেইনলেস স্টিলের মধ্যে আলোকপ্রবাহের ঘনত্ব, বিশুদ্ধ TiO2 এবং NiS/TiO2 ন্যানোকম্পোজিটের মধ্যকার ঘনত্বের চেয়ে উল্লেখযোগ্যভাবে বেশি ছিল। চিত্র 5b-তে আলোক-বিজারণের সময় আলোকপ্রবাহের ঘনত্বের উপর AgNO3-এর ঘনত্বের প্রভাবও দেখানো হয়েছে। 0.1 M সিলভার নাইট্রেট ঘনত্বে, এর আলোকপ্রবাহের ঘনত্ব 410 μA/cm2-এ পৌঁছায়, যা TiO2 ন্যানোওয়্যারের (32 μA/cm2) চেয়ে 12.8 গুণ এবং NiS/TiO2 ন্যানোকম্পোজিটের চেয়ে 1.8 গুণ বেশি। Ag/NiS/TiO2 ন্যানোকম্পোজিট ইন্টারফেসে একটি হেটেরোজংশন বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র তৈরি হয়, যা আলোক-উৎপন্ন ইলেকট্রনকে হোল থেকে পৃথক করতে সহায়তা করে।
আলোকসজ্জা সহ এবং আলোকসজ্জা ছাড়া (λ > 400 nm), (ক) NiS/TiO2 ন্যানোকম্পোজিট এবং (খ) Ag/NiS/TiO2 ন্যানোকম্পোজিটযুক্ত 304 স্টেইনলেস স্টিল ইলেকট্রোডের ফটোকারেন্ট ঘনত্বের পরিবর্তন।
সুতরাং, ০.১ M ঘন সিলভার নাইট্রেটে নিকেল সালফাইড নিমজ্জন-অবক্ষেপণের ৬টি চক্রের পর, Ag/NiS/TiO2 ন্যানোকম্পোজিট এবং ৩০৪ স্টেইনলেস স্টিলের মধ্যে আলোকপ্রবাহের ঘনত্ব ৪১০ μA/cm²-এ পৌঁছায়, যা স্যাচুরেটেড ক্যালমেলের চেয়ে বেশি। ইলেকট্রোড -৯২৫ mV-এ পৌঁছায়। এই পরিস্থিতিতে, Ag/NiS/TiO2-এর সাথে মিলিত ৩০৪ স্টেইনলেস স্টিল সর্বোত্তম ক্যাথোডিক সুরক্ষা প্রদান করতে পারে।
চিত্র ৬-এ সর্বোত্তম পরিস্থিতিতে বিশুদ্ধ টাইটানিয়াম ডাইঅক্সাইড ন্যানোওয়্যার, যৌগিক নিকেল সালফাইড ন্যানোপার্টিকেল এবং সিলভার ন্যানোপার্টিকেলের পৃষ্ঠতলের ইলেকট্রন মাইক্রোস্কোপ চিত্র দেখানো হয়েছে। চিত্র ৬ক এবং ঘ-তে একক-পর্যায়ের অ্যানোডাইজেশনের মাধ্যমে প্রাপ্ত বিশুদ্ধ TiO2 ন্যানোওয়্যার দেখানো হয়েছে। টাইটানিয়াম ডাইঅক্সাইড ন্যানোওয়্যারের পৃষ্ঠতলের বিন্যাস সুষম, ন্যানোওয়্যারগুলোর গঠন একে অপরের কাছাকাছি এবং ছিদ্রের আকারের বিন্যাসও সুষম। চিত্র ৬খ এবং ঙ হলো নিকেল সালফাইড যৌগের ৬-গুণ ইমপ্রেগনেশন এবং ডিপোজিশনের পর টাইটানিয়াম ডাইঅক্সাইডের ইলেকট্রন মাইক্রোগ্রাফ। চিত্র ৬ঙ-এর ২,০০,০০০ গুণ বিবর্ধিত একটি ইলেকট্রন মাইক্রোস্কোপিক চিত্র থেকে দেখা যায় যে, নিকেল সালফাইড যৌগিক ন্যানোপার্টিকেলগুলো তুলনামূলকভাবে সমসত্ত্ব এবং এদের কণার আকার প্রায় ১০০-১২০ ন্যানোমিটার ব্যাসের মতো বড়। কিছু ন্যানোপার্টিকেল ন্যানোওয়্যারগুলোর স্থানিক অবস্থানে পর্যবেক্ষণ করা যায় এবং টাইটানিয়াম ডাইঅক্সাইড ন্যানোওয়্যারগুলো স্পষ্টভাবে দৃশ্যমান। চিত্র 6c ও 6f-এ 0.1 M AgNO3 ঘনত্বের NiS/TiO2 ন্যানোকম্পোজিটের ইলেকট্রন মাইক্রোস্কোপিক চিত্র দেখানো হয়েছে। চিত্র 6b এবং 6e-এর তুলনায়, চিত্র 6c এবং 6f থেকে দেখা যায় যে Ag ন্যানোকণাগুলো কম্পোজিট উপাদানের পৃষ্ঠে জমা হয়েছে, এবং ন্যানোকণাগুলো প্রায় 10 nm ব্যাস নিয়ে সুষমভাবে বণ্টিত রয়েছে। চিত্র 7-এ 0.1 M AgNO3 ঘনত্বের দ্রবণে NiS ডিপ ডিপোজিশনের 6টি চক্রের মধ্য দিয়ে প্রাপ্ত Ag/NiS/TiO2 ন্যানোফিল্মের একটি প্রস্থচ্ছেদ দেখানো হয়েছে। উচ্চ বিবর্ধিত চিত্র থেকে, পরিমাপকৃত ফিল্মের পুরুত্ব ছিল 240-270 nm। সুতরাং, নিকেল এবং সিলভার সালফাইড ন্যানোকণাগুলো TiO2 ন্যানোওয়্যারের পৃষ্ঠে একত্রিত হয়েছে।
বিশুদ্ধ TiO2 (a, d), 0.1 M AgNO3 দ্রবণে 6 বার NiS ডিপ ডিপোজিশন করা NiS/TiO2 ন্যানোকম্পোজিট (b, e) এবং 6 বার NiS ডিপ ডিপোজিশন করা Ag/NiS/NiS ন্যানোকম্পোজিটের SEM চিত্র (c, e)।
0.1 M AgNO3 ঘনত্বের দ্রবণে NiS ডিপ ডিপোজিশনের ৬টি চক্র সম্পন্ন করার পর Ag/NiS/TiO2 ন্যানোফিল্মের প্রস্থচ্ছেদ।
চিত্র ৮-এ ০.১ M সিলভার নাইট্রেট ঘনত্বের নিকেল সালফাইড ডিপ ডিপোজিশনের ৬টি চক্র থেকে প্রাপ্ত Ag/NiS/TiO2 ন্যানোকম্পোজিটের পৃষ্ঠতলে মৌলসমূহের বন্টন দেখানো হয়েছে। এনার্জি স্পেকট্রোস্কোপি ব্যবহার করে মৌলসমূহের পৃষ্ঠতল বন্টন থেকে Ti, O, Ni, S এবং Ag শনাক্ত করা হয়েছে। পরিমাণের দিক থেকে, বন্টনে Ti এবং O হলো সবচেয়ে সাধারণ মৌল, যেখানে Ni এবং S প্রায় সমান, কিন্তু তাদের পরিমাণ Ag-এর তুলনায় অনেক কম। এটিও প্রমাণ করা যায় যে পৃষ্ঠতলে কম্পোজিট সিলভার ন্যানোপার্টিকেলের পরিমাণ নিকেল সালফাইডের চেয়ে বেশি। পৃষ্ঠতলে মৌলসমূহের সুষম বন্টন নির্দেশ করে যে নিকেল এবং সিলভার সালফাইড TiO2 ন্যানোওয়্যারের পৃষ্ঠতলে সুষমভাবে সংযুক্ত হয়েছে। পদার্থসমূহের নির্দিষ্ট গঠন এবং বন্ধন অবস্থা বিশ্লেষণ করার জন্য অতিরিক্তভাবে এক্স-রে ফটোইলেকট্রন স্পেকট্রোস্কোপিক বিশ্লেষণ করা হয়েছিল।
০.১ M AgNO3 ঘনত্বের দ্রবণে NiS ডিপ ডিপোজিশনের ৬টি চক্রে Ag/NiS/TiO2 ন্যানোকম্পোজিটের মৌলসমূহের (Ti, O, Ni, S, এবং Ag) বন্টন।
চিত্র ৯-এ ০.১ M AgNO3 দ্রবণে নিমজ্জনের মাধ্যমে নিকেল সালফাইড অধঃক্ষেপণের ৬টি চক্র ব্যবহার করে প্রাপ্ত Ag/NiS/TiO2 ন্যানোকম্পোজিটের XPS স্পেকট্রা দেখানো হয়েছে, যেখানে চিত্র ৯ক হলো পূর্ণ স্পেকট্রাম এবং বাকি স্পেকট্রাগুলো হলো মৌলগুলোর উচ্চ-রেজোলিউশন স্পেকট্রা। চিত্র ৯ক-এর পূর্ণ স্পেকট্রাম থেকে যেমন দেখা যায়, ন্যানোকম্পোজিটটিতে Ti, O, Ni, S, এবং Ag-এর শোষণ শিখর (absorption peaks) পাওয়া গেছে, যা এই পাঁচটি মৌলের অস্তিত্ব প্রমাণ করে। পরীক্ষার ফলাফল EDS-এর সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ ছিল। চিত্র ৯ক-এর অতিরিক্ত শিখরটি হলো কার্বনের শিখর, যা নমুনার বন্ধন শক্তি (binding energy) সংশোধনের জন্য ব্যবহৃত হয়েছে। চিত্র ৯খ-তে Ti-এর একটি উচ্চ-রেজোলিউশন শক্তি স্পেকট্রাম দেখানো হয়েছে। 2p অরবিটালের শোষণ শিখরগুলো 459.32 এবং 465 eV-তে অবস্থিত, যা যথাক্রমে Ti 2p3/2 এবং Ti 2p1/2 অরবিটালের শোষণের সাথে সঙ্গতিপূর্ণ। দুটি শোষণ শিখর প্রমাণ করে যে টাইটানিয়ামের যোজ্যতা Ti4+, যা TiO2-এর Ti-এর অনুরূপ।
Ag/NiS/TiO2 পরিমাপের XPS স্পেকট্রা (a) এবং Ti2p(b), O1s(c), Ni2p(d), S2p(e), এবং Ag 3d(f) এর উচ্চ রেজোলিউশন XPS স্পেকট্রা।
চিত্র 9d-তে Ni 2p অরবিটালের জন্য চারটি শোষণ শিখর সহ একটি উচ্চ-রেজোলিউশন Ni শক্তি বর্ণালী দেখানো হয়েছে। 856 এবং 873.5 eV-তে অবস্থিত শোষণ শিখরগুলি Ni 2p3/2 এবং Ni 2p1/2 8.10 অরবিটালের সাথে সঙ্গতিপূর্ণ, যেখানে শোষণ শিখরগুলি NiS-এর অন্তর্গত। 881 এবং 863 eV-তে অবস্থিত শোষণ শিখরগুলি নিকেল নাইট্রেটের জন্য এবং নমুনা প্রস্তুতির সময় নিকেল নাইট্রেট বিকারকের কারণে এগুলি ঘটে। চিত্র 9e-তে একটি উচ্চ-রেজোলিউশন S-বর্ণালী দেখানো হয়েছে। S 2p অরবিটালের শোষণ শিখরগুলি 161.5 এবং 168.1 eV-তে অবস্থিত, যা S 2p3/2 এবং S 2p1/2 অরবিটাল 21, 22, 23, 24-এর সাথে সঙ্গতিপূর্ণ। এই দুটি শিখর নিকেল সালফাইড যৌগের অন্তর্গত। ১৬৯.২ এবং ১৬৩.৪ eV-তে অবস্থিত শোষণ শীর্ষবিন্দুগুলো সোডিয়াম সালফাইড বিকারকের জন্য। চিত্র ৯f-এ একটি উচ্চ-রেজোলিউশনের Ag বর্ণালী দেখানো হয়েছে, যেখানে রূপার 3d অরবিটালের শোষণ শীর্ষবিন্দুগুলো যথাক্রমে ৩৬৮.২ এবং ৩৭৪.৫ eV-তে অবস্থিত, এবং দুটি শোষণ শীর্ষবিন্দু Ag 3d5/2 এবং Ag 3d3/212, 13-এর শোষণ অরবিটের সাথে সঙ্গতিপূর্ণ। এই দুটি স্থানের শীর্ষবিন্দুগুলো প্রমাণ করে যে রূপার ন্যানোকণাগুলো মৌলিক রূপা অবস্থায় বিদ্যমান। সুতরাং, ন্যানোকম্পোজিটগুলো প্রধানত Ag, NiS এবং TiO2 দ্বারা গঠিত, যা এক্স-রে ফটোইলেকট্রন স্পেকট্রোস্কোপি দ্বারা নির্ধারিত হয়েছে এবং এটি প্রমাণ করে যে নিকেল ও রূপার সালফাইড ন্যানোকণাগুলো TiO2 ন্যানোওয়্যারের পৃষ্ঠে সফলভাবে সংযুক্ত হয়েছে।
চিত্র ১০-এ সদ্য প্রস্তুত TiO2 ন্যানোওয়্যার, NiS/TiO2 ন্যানোকম্পোজিট এবং Ag/NiS/TiO2 ন্যানোকম্পোজিটের UV-VIS ডিফিউজ রিফ্লেক্টেন্স স্পেকট্রা দেখানো হয়েছে। চিত্র থেকে দেখা যায় যে, TiO2 ন্যানোওয়্যারের শোষণ থ্রেশহোল্ড প্রায় ৩৯০ nm, এবং শোষিত আলো প্রধানত অতিবেগুনি অঞ্চলে কেন্দ্রীভূত থাকে। চিত্র থেকে দেখা যায় যে, টাইটানিয়াম ডাইঅক্সাইড ন্যানোওয়্যার ২১, ২২-এর পৃষ্ঠে নিকেল এবং সিলভার সালফাইড ন্যানো পার্টিকেলের সংযুক্তির পর, শোষিত আলো দৃশ্যমান আলোর অঞ্চলে সঞ্চারিত হয়। একই সাথে, ন্যানোকম্পোজিটটির UV শোষণ বৃদ্ধি পেয়েছে, যা নিকেল সালফাইডের সংকীর্ণ ব্যান্ড গ্যাপের সাথে সম্পর্কিত। ব্যান্ড গ্যাপ যত সংকীর্ণ হয়, ইলেকট্রনিক ট্রানজিশনের জন্য শক্তির বাধা তত কম হয় এবং আলো ব্যবহারের মাত্রা তত বেশি হয়। NiS/TiO2 পৃষ্ঠকে সিলভার ন্যানো পার্টিকেলের সাথে যৌগিক করার পর, শোষণের তীব্রতা এবং আলোর তরঙ্গদৈর্ঘ্য উল্লেখযোগ্যভাবে বৃদ্ধি পায়নি, যা প্রধানত সিলভার ন্যানো পার্টিকেলের পৃষ্ঠে প্লাজমোন রেজোন্যান্সের প্রভাবের কারণে ঘটে। যৌগিক NiS ন্যানো পার্টিকেলের সংকীর্ণ ব্যান্ড গ্যাপের তুলনায় TiO2 ন্যানোওয়্যারের শোষণ তরঙ্গদৈর্ঘ্য উল্লেখযোগ্যভাবে উন্নত হয় না। সারসংক্ষেপে, টাইটানিয়াম ডাইঅক্সাইড ন্যানোওয়্যারের পৃষ্ঠে যৌগিক নিকেল সালফাইড এবং সিলভার ন্যানো পার্টিকেল যুক্ত করার পর, এর আলোক শোষণ বৈশিষ্ট্য ব্যাপকভাবে উন্নত হয় এবং আলোক শোষণ পরিসর অতিবেগুনি থেকে দৃশ্যমান আলো পর্যন্ত প্রসারিত হয়, যা টাইটানিয়াম ডাইঅক্সাইড ন্যানোওয়্যারের ব্যবহারের হার উন্নত করে। এই আলো উপাদানটির ফটোইলেকট্রন তৈরির ক্ষমতা বৃদ্ধি করে।
তাজা TiO2 ন্যানোওয়্যার, NiS/TiO2 ন্যানোকম্পোজিট এবং Ag/NiS/TiO2 ন্যানোকম্পোজিটের UV/Vis ডিফিউজ রিফ্লেক্টেন্স স্পেকট্রা।
চিত্র ১১-তে দৃশ্যমান আলোর বিকিরণের অধীনে Ag/NiS/TiO2 ন্যানোকম্পোজিটের আলোক-রাসায়নিক ক্ষয় প্রতিরোধের প্রক্রিয়া দেখানো হয়েছে। সিলভার ন্যানোকণা, নিকেল সালফাইড এবং টাইটানিয়াম ডাইঅক্সাইডের কন্ডাকশন ব্যান্ডের বিভব বন্টনের উপর ভিত্তি করে, ক্ষয় প্রতিরোধের প্রক্রিয়ার একটি সম্ভাব্য মানচিত্র প্রস্তাব করা হয়েছে। যেহেতু ন্যানোসিলভারের কন্ডাকশন ব্যান্ড বিভব নিকেল সালফাইডের তুলনায় ঋণাত্মক এবং নিকেল সালফাইডের কন্ডাকশন ব্যান্ড বিভব টাইটানিয়াম ডাইঅক্সাইডের তুলনায় ঋণাত্মক, তাই ইলেকট্রন প্রবাহের দিকটি মোটামুটি Ag→NiS→TiO2→304 স্টেইনলেস স্টিল। যখন ন্যানোকম্পোজিটের পৃষ্ঠে আলো ফেলা হয়, তখন ন্যানোসিলভারের সারফেস প্লাজমোন রেজোন্যান্সের প্রভাবে ন্যানোসিলভার দ্রুত আলোক-উৎপন্ন হোল এবং ইলেকট্রন তৈরি করতে পারে, এবং আলোক-উৎপন্ন ইলেকট্রনগুলো উদ্দীপনার কারণে দ্রুত ভ্যালেন্স ব্যান্ড অবস্থান থেকে কন্ডাকশন ব্যান্ড অবস্থানে চলে যায়। টাইটানিয়াম ডাইঅক্সাইড এবং নিকেল সালফাইড। যেহেতু সিলভার ন্যানোপার্টিকেলের পরিবাহিতা নিকেল সালফাইডের চেয়ে বেশি ঋণাত্মক, তাই সিলভার ন্যানোপার্টিকেলের ট্রানজিশন স্টেটে (TS) থাকা ইলেকট্রনগুলো দ্রুত নিকেল সালফাইডের ট্রানজিশন স্টেটে রূপান্তরিত হয়। নিকেল সালফাইডের পরিবাহী বিভব টাইটানিয়াম ডাইঅক্সাইডের চেয়ে বেশি ঋণাত্মক, তাই নিকেল সালফাইডের ইলেকট্রন এবং সিলভারের পরিবাহিতা দ্রুত টাইটানিয়াম ডাইঅক্সাইডের কন্ডাকশন ব্যান্ডে (CB) জমা হয়। উৎপন্ন আলোক-উৎপন্ন ইলেকট্রনগুলো টাইটানিয়াম ম্যাট্রিক্সের মধ্য দিয়ে ৩০৪ স্টেইনলেস স্টিলের পৃষ্ঠে পৌঁছায় এবং সমৃদ্ধ ইলেকট্রনগুলো ৩০৪ স্টেইনলেস স্টিলের ক্যাথোডিক অক্সিজেন বিজারণ প্রক্রিয়ায় অংশগ্রহণ করে। এই প্রক্রিয়াটি ক্যাথোডিক বিক্রিয়া হ্রাস করে এবং একই সাথে ৩০৪ স্টেইনলেস স্টিলের অ্যানোডিক দ্রবণ বিক্রিয়াকে দমন করে, যার ফলে ৩০৪ স্টেইনলেস স্টিলের ক্যাথোডিক সুরক্ষা বাস্তবায়িত হয়। Ag/NiS/TiO2 ন্যানোকম্পোজিটে হেটেরোজংশনের বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র গঠনের কারণে, ন্যানোকম্পোজিটের পরিবাহী বিভব আরও ঋণাত্মক অবস্থানে স্থানান্তরিত হয়, যা ৩০৪ স্টেইনলেস স্টিলের ক্যাথোডিক সুরক্ষা প্রভাবকে আরও কার্যকরভাবে উন্নত করে।
দৃশ্যমান আলোতে Ag/NiS/TiO2 ন্যানোকম্পোজিটের আলোকতড়িৎরাসায়নিক ক্ষয়রোধী প্রক্রিয়ার পরিকল্পিত চিত্র।
এই গবেষণায়, একটি সহজ নিমজ্জন ও আলোক-বিজারণ পদ্ধতির মাধ্যমে TiO2 ন্যানোতারের পৃষ্ঠে নিকেল ও সিলভার সালফাইড ন্যানোকণা সংশ্লেষণ করা হয়েছে। ৩০৪ স্টেইনলেস স্টিলের উপর Ag/NiS/TiO2 ন্যানোকম্পোজিটের ক্যাথোডীয় সুরক্ষার বিষয়ে ধারাবাহিক গবেষণা পরিচালিত হয়েছে। গঠনগত বৈশিষ্ট্য, উপাদানের বিশ্লেষণ এবং আলোক শোষণ বৈশিষ্ট্যের বিশ্লেষণের উপর ভিত্তি করে নিম্নলিখিত প্রধান সিদ্ধান্তে উপনীত হওয়া গেছে:
নিকেল সালফাইডের ৬টি ইমপ্রেগনেশন-ডিপোজিশন চক্র এবং ফটোরিডাকশনের জন্য ০.১ মোল/লিটার ঘনত্বের সিলভার নাইট্রেট ব্যবহার করে প্রাপ্ত Ag/NiS/TiO2 ন্যানোকম্পোজিট ৩০৪ স্টেইনলেস স্টিলের উপর উন্নততর ক্যাথোডিক প্রতিরক্ষামূলক প্রভাব দেখিয়েছে। একটি স্যাচুরেটেড ক্যালমেল ইলেকট্রোডের সাথে তুলনা করলে, এর সুরক্ষা বিভব -৯২৫ মিলিভোল্ট এবং সুরক্ষা প্রবাহ ৪১০ মাইক্রোঅ্যাম্পিয়ার/বর্গসেন্টিমিটার-এ পৌঁছায়।
Ag/NiS/TiO2 ন্যানোকম্পোজিট ইন্টারফেসে একটি হেটেরোজংশন বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র তৈরি হয়, যা আলোক-উৎপন্ন ইলেকট্রন এবং হোলের পৃথকীকরণ ক্ষমতা উন্নত করে। একই সাথে, আলোর ব্যবহার দক্ষতা বৃদ্ধি পায় এবং আলো শোষণের পরিসর অতিবেগুনি অঞ্চল থেকে দৃশ্যমান অঞ্চল পর্যন্ত প্রসারিত হয়। ৪টি চক্রের পরেও ন্যানোকম্পোজিটটি ভালো স্থিতিশীলতাসহ তার মূল অবস্থা বজায় রাখে।
পরীক্ষামূলকভাবে প্রস্তুত Ag/NiS/TiO2 ন্যানোকম্পোজিটগুলির একটি অভিন্ন এবং ঘন পৃষ্ঠ রয়েছে। নিকেল সালফাইড এবং সিলভার ন্যানোকণাগুলি TiO2 ন্যানোওয়্যারের পৃষ্ঠে সুষমভাবে সংযুক্ত থাকে। যৌগিক কোবাল্ট ফেরাইট এবং সিলভার ন্যানোকণাগুলি উচ্চ বিশুদ্ধতার অধিকারী।
লি, এমসি, লুও, এসজেড, উ, পিএফ এবং শেন, জেএন ৩% NaCl দ্রবণে কার্বন স্টিলের জন্য TiO2 ফিল্মের আলোক-ক্যাথোডিক সুরক্ষা প্রভাব। লি, এমসি, লুও, এসজেড, উ, পিএফ এবং শেন, জেএন ৩% NaCl দ্রবণে কার্বন স্টিলের জন্য TiO2 ফিল্মের আলোক-ক্যাথোডিক সুরক্ষা প্রভাব। Li, MC, Luo, SZ, Wu, PF & Shen, JN Эффект фотокатодной защиты пленок TiO2 для углеродистой стали в 3% растворах NaCl. লি, এমসি, লুও, এসজেড, উ, পিএফ এবং শেন, জেএন ৩% NaCl দ্রবণে কার্বন স্টিলের জন্য TiO2 ফিল্মের ফটোক্যাথোড সুরক্ষা প্রভাব। Li, MC, Luo, SZ, Wu, PF & Shen, JN TiO2 薄膜在3% NaCl 溶液中对碳钢的光阴极保护效果। Li, MC, Luo, SZ, Wu, PF & Shen, JN TiO2 薄膜在3% NaCl 溶液中对碳钢的光阴极保护效果। Li, MC, Luo, SZ, Wu, PF & Shen, JN Фотокатодная защита углеродистой стали тонкими пленками TiO2 তে 3% растворе NaCl. লি, এমসি, লুও, এসজেড, উ, পিএফ এবং শেন, জেএন ৩% NaCl দ্রবণে TiO2 পাতলা ফিল্ম দ্বারা কার্বন স্টিলের ফটোক্যাথোড সুরক্ষা।ইলেক্ট্রোকেম. অ্যাক্টা ৫০, ৩৪০১–৩৪০৬ (২০০৫)।
লি, জে., লিন, সিজে, লাই, ওয়াইকে এবং ডু, আরজি স্টেইনলেস স্টিলের উপর ফুল-সদৃশ, ন্যানোকাঠামোযুক্ত, এন-ডোপড টিআইও২ ফিল্মের আলোক-উৎপাদিত ক্যাথোডিক সুরক্ষা। লি, জে., লিন, সিজে, লাই, ওয়াইকে এবং ডু, আরজি স্টেইনলেস স্টিলের উপর ফুল-সদৃশ, ন্যানোকাঠামোযুক্ত, এন-ডোপড টিআইও২ ফিল্মের আলোক-উৎপাদিত ক্যাথোডিক সুরক্ষা।লি, জে., লিন, এসজে, লাই, ওয়াইকে এবং ডু, আরজি; স্টেইনলেস স্টিলের উপর ফুলের আকৃতির একটি ন্যানোস্ট্রাকচার্ড, নাইট্রোজেন-ডোপড TiO2 ফিল্মের আলোক-উৎপাদিত ক্যাথোডিক সুরক্ষা। Li, J., Lin, CJ, Lai, YK & Du, RG 花状纳米结构N 掺杂TiO2 薄膜在不锈钢上的光生阴极保护। Li, J., Lin, CJ, Lai, YK & Du, RG.লি, জে., লিন, এসজে, লাই, ওয়াইকে এবং ডু, আরজি; স্টেইনলেস স্টিলের উপর নাইট্রোজেন-ডোপড TiO2 ফুল-আকৃতির ন্যানোস্ট্রাকচার্ড পাতলা ফিল্মের আলোক-উৎপাদিত ক্যাথোডিক সুরক্ষা।সার্ফিং একটি কোট। প্রযুক্তি ২০৫, ৫৫৭–৫৬৪ (২০১০)।
Zhou, MJ, Zeng, ZO এবং Zhong, L. ন্যানো-আকারের TiO2/WO3 আবরণের আলোক-উৎপাদিত ক্যাথোড সুরক্ষা বৈশিষ্ট্য। Zhou, MJ, Zeng, ZO এবং Zhong, L. ন্যানো-আকারের TiO2/WO3 আবরণের আলোক-উৎপাদিত ক্যাথোড সুরক্ষা বৈশিষ্ট্য।Zhou, MJ, Zeng, ZO এবং Zhong, L. TiO2/WO3 ন্যানোস্কেল আবরণের আলোক-উৎপাদিত ক্যাথোডিক প্রতিরক্ষামূলক বৈশিষ্ট্য। Zhou, MJ, Zeng, ZO & Zhong, L. 纳米TiO2/WO3 涂层的光生阴极保护性能। Zhou, MJ, Zeng, ZO & Zhong, L. 纳米TiO2/WO3 涂层的光生阴极保护性能।Zhou MJ, Zeng ZO এবং Zhong L. ন্যানো-TiO2/WO3 আবরণের আলোক-উৎপাদিত ক্যাথোডিক প্রতিরক্ষামূলক বৈশিষ্ট্য।কোরোস। বিজ্ঞান। ৫১, ১৩৮৬–১৩৯৭ (২০০৯)।
পার্ক, এইচ., কিম, কেওয়াই এবং চোই, ডব্লিউ.। একটি সেমিকন্ডাক্টর ফটোঅ্যানোড ব্যবহার করে ধাতুর ক্ষয় প্রতিরোধের জন্য ফটোইলেকট্রোকেমিক্যাল পদ্ধতি। পার্ক, এইচ., কিম, কেওয়াই এবং চোই, ডব্লিউ.। একটি সেমিকন্ডাক্টর ফটোঅ্যানোড ব্যবহার করে ধাতুর ক্ষয় প্রতিরোধের জন্য ফটোইলেকট্রোকেমিক্যাল পদ্ধতি।পার্ক, এইচ., কিম, কে. ইউ. এবং চোই, ভি. একটি সেমিকন্ডাক্টর ফটোঅ্যানোড ব্যবহার করে ধাতুর ক্ষয় প্রতিরোধের একটি ফটোইলেক্ট্রোকেমিক্যাল পদ্ধতি। পার্ক, এইচ., কিম, কেওয়াই এবং চোই, ডব্লিউ 使用半导体光阳极防止金属腐蚀的光电化学方法। পার্ক, এইচ., কিম, কেওয়াই এবং চোই, ডব্লিউ.পার্ক এইচ., কিম কে. ইউ. এবং চোই ভি.। সেমিকন্ডাক্টর ফটোঅ্যানোড ব্যবহার করে ধাতুর ক্ষয় রোধের ফটোইলেকট্রোকেমিক্যাল পদ্ধতি।জে. ফিজিক্স. কেমিক্যাল. ভি. ১০৬, ৪৭৭৫–৪৭৮১ (২০০২)।
শেন, জিএক্স, চেন, ওয়াইসি, লিন, এল., লিন, সিজে এবং স্ক্যান্টলবেরি, ডি.। ধাতুর ক্ষয়রোধী সুরক্ষার জন্য একটি হাইড্রোফোবিক ন্যানো-টিও২ আবরণ এবং এর বৈশিষ্ট্য নিয়ে গবেষণা। শেন, জিএক্স, চেন, ওয়াইসি, লিন, এল., লিন, সিজে এবং স্ক্যান্টলবেরি, ডি.। ধাতুর ক্ষয়রোধী সুরক্ষার জন্য একটি হাইড্রোফোবিক ন্যানো-টিও২ আবরণ এবং এর বৈশিষ্ট্য নিয়ে গবেষণা। Shen, GX, Chen, YC, Lin, L., Lin, CJ & Scantlebury, D. Исследование гидрофобного покрытия из нано-TiO2 এবং его свойств для защиты শেন, জিএক্স, চেন, ওয়াইসি, লিন, এল., লিন, সিজে এবং স্ক্যান্টলবেরি, ডি.। ধাতুর ক্ষয়রোধী সুরক্ষার জন্য একটি হাইড্রোফোবিক ন্যানো-টিও২ আবরণের বৈশিষ্ট্য ও তার অনুসন্ধান। শেন, জিএক্স, চেন, ওয়াইসি, লিন, এল., লিন, সিজে এবং স্ক্যান্টলবেরি, ডি. 疏水纳米二氧化钛涂层及其金属腐蚀防护性能的研砶 শেন, জিএক্স, চেন, ওয়াইসি, লিন, এল., লিন, সিজে এবং স্ক্যান্টলবেরি, ডি.। জলীয় ন্যানো-টাইটানিয়াম ডাইঅক্সাইড আবরণ এবং এর ধাতু ক্ষয়রোধী বৈশিষ্ট্য নিয়ে গবেষণা। শেন, জিএক্স, চেন, ওয়াইসি, লিন, এল., লিন, সিজে এবং স্ক্যান্টলবেরি, ডি. শেন, জিএক্স, চেন, ওয়াইসি, লিন, এল., লিন, সিজে এবং স্ক্যান্টলবেরি, ডি.। ন্যানো-টিও২ এর হাইড্রোফোবিক আবরণ এবং ধাতুর প্রতি তাদের ক্ষয়রোধী বৈশিষ্ট্য।ইলেক্ট্রোকেম. অ্যাক্টা ৫০, ৫০৮৩–৫০৮৯ (২০০৫)।
ইউন, এইচ., লি, জে., চেন, এইচবি এবং লিন, সিজে; স্টেইনলেস স্টিলের ক্ষয়রোধী সুরক্ষার জন্য এন, এস এবং সিএল-পরিবর্তিত ন্যানো-টিও২ আবরণের উপর একটি গবেষণা। ইউন, এইচ., লি, জে., চেন, এইচবি এবং লিন, সিজে; স্টেইনলেস স্টিলের ক্ষয়রোধী সুরক্ষার জন্য এন, এস এবং সিএল-পরিবর্তিত ন্যানো-টিও২ আবরণের উপর একটি গবেষণা।ইউন, এইচ., লি, জে., চেন, এইচবি এবং লিন, এসজে; স্টেইনলেস স্টিলের ক্ষয়রোধী সুরক্ষার জন্য নাইট্রোজেন, সালফার এবং ক্লোরিন দ্বারা পরিবর্তিত ন্যানো-TiO2 আবরণের অনুসন্ধান। ইউন, এইচ., লি, জে., চেন, এইচবি এবং লিন, সিজে এন、এস 和ক্ল 改性纳米二氧化钛涂层用于不锈钢腐蚀防护的研究。 ইউন, এইচ., লি, জে., চেন, এইচবি এবং লিন, সিজে এন、এস এবং সিএল Yun, H., Li, J., Chen, HB & Lin, CJ Покрытия N, S и Cl, модифицированные нано-TiO2, для защиты от коррозии нержавеющей ইউন, এইচ., লি, জে., চেন, এইচবি এবং লিন, সিজে; স্টেইনলেস স্টিলের ক্ষয়রোধী সুরক্ষার জন্য ন্যানো-টিও২ দ্বারা পরিবর্তিত এন, এস এবং সিএল আবরণ।ইলেক্ট্রোকেম। খণ্ড ৫২, ৬৬৭৯–৬৬৮৫ (২০০৭)।
Zhu, YF, Du, RG, Chen, W., Qi, HQ & Lin, CJ একটি সম্মিলিত সল-জেল এবং হাইড্রোথার্মাল পদ্ধতিতে প্রস্তুত ত্রিমাত্রিক টাইটানেট ন্যানোওয়্যার নেটওয়ার্ক ফিল্মের ফটোক্যাথোডিক সুরক্ষা বৈশিষ্ট্য। Zhu, YF, Du, RG, Chen, W., Qi, HQ & Lin, CJ একটি সম্মিলিত সল-জেল এবং হাইড্রোথার্মাল পদ্ধতিতে প্রস্তুত ত্রিমাত্রিক টাইটানেট ন্যানোওয়্যার নেটওয়ার্ক ফিল্মের ফটোক্যাথোডিক সুরক্ষা বৈশিষ্ট্য। Zhu, YF, Du, RG, Chen, W., Qi, HQ & Lin, CJ Фотокатодные защитные свойства трехмерных сетчатых пленок титанатных нанопровологолок, কোমবিনিরোভানন золь-гель এবং гидротермическим metodom. Zhu, YF, Du, RG, Chen, W., Qi, HQ & Lin, CJ সম্মিলিত সল-জেল এবং হাইড্রোথার্মাল পদ্ধতিতে প্রস্তুত টাইটানেট ন্যানোওয়্যারের ত্রিমাত্রিক নেট ফিল্মের ফটোক্যাথোডিক প্রতিরক্ষামূলক বৈশিষ্ট্য। Zhu, YF, Du, RG, Chen, W., Qi, HQ & Lin, CJ溶胶-凝胶和水热法制备三维钛酸盐纳米线网络薄膜的光阴极保护性能। Zhu, YF, Du, RG, Chen, W., Qi, HQ & Lin, CJ.消铺-铲和水热法发气小水小水化用线线电视电器电影电影电影电影电 এর প্রতিরক্ষামূলক বৈশিষ্ট্য Zhu, YF, Du, RG, Chen, W., Qi, HQ & Lin, CJ Фотокатодные защитные свойства трехмерных тонких пленок из сетки нанопроволок тинпроволок типританых, золь-гель и гидротермическими методами. Zhu, YF, Du, RG, Chen, W., Qi, HQ & Lin, CJ সল-জেল এবং হাইড্রোথার্মাল পদ্ধতিতে প্রস্তুত ত্রিমাত্রিক টাইটানেট ন্যানোওয়্যার নেটওয়ার্ক পাতলা ফিল্মের ফটোক্যাথোডিক সুরক্ষা বৈশিষ্ট্য।ইলেক্ট্রোকেমিস্ট্রি। কমিউনিকেট ১২, ১৬২৬–১৬২৯ (২০১০)।
লি, জেএইচ, কিম, এসআই, পার্ক, এসএম এবং কাং, এম। কার্বন ডাই অক্সাইডকে মিথেনে দক্ষতার সাথে আলোক-বিজারিত করার জন্য একটি পিএন হেটেরোজংশন NiS-সংবেদী TiO2 আলোক-অনুঘটকীয় সিস্টেম। লি, জেএইচ, কিম, এসআই, পার্ক, এসএম এবং কাং, এম। কার্বন ডাই অক্সাইডকে মিথেনে দক্ষতার সাথে আলোক-বিজারিত করার জন্য একটি পিএন-হেটেরোজংশন NiS-সংবেদী TiO2 আলোক-অনুঘটকীয় সিস্টেম।লি, জেএইচ, কিম, এসআই, পার্ক, এসএম, এবং কাং, এম। কার্বন ডাই অক্সাইডকে মিথেনে দক্ষতার সাথে আলোক-বিজারিত করার জন্য একটি পিএন-হেটেরোজংশন NiS সংবেদিত TiO2 আলোক-অনুঘটক সিস্টেম। Lee, JH, Kim, SI, Park, SM & Kang, M. 一种pn 异质结NiS 敏化TiO2 光催化系统，用于将二氧化碳将二氧化碳将二氧化碳将二烉忘敘敏 লি, জেএইচ, কিম, এসআই, পার্ক, এসএম এবং কাং, এম।লি, জেএইচ, কিম, এসআই, পার্ক, এসএম, এবং কাং, এম। কার্বন ডাই অক্সাইডকে মিথেনে দক্ষতার সাথে আলোক-বিজারিত করার জন্য একটি পিএন-হেটেরোজংশন NiS সংবেদিত TiO2 আলোক-অনুঘটক সিস্টেম।সিরামিকস। ব্যাখ্যা। ৪৩, ১৭৬৮–১৭৭৪ (২০১৭)।
ওয়াং, কিউজেড প্রমুখ। TiO2-এর উপর আলোক-অনুঘটকীয় হাইড্রোজেন বিবর্তন বৃদ্ধিতে CuS এবং NiS সহ-অনুঘটক হিসেবে কাজ করে। ব্যাখ্যা। জে. হাইড্রো. এনার্জি ৩৯, ১৩৪২১–১৩৪২৮ (২০১৪)।
লিউ, ওয়াই. এবং ট্যাং, সি. পৃষ্ঠতলে NiS ন্যানোকণা স্থাপনের মাধ্যমে TiO2 ন্যানো-শীট ফিল্মের উপর আলোক অনুঘটকীয় H2 বিবর্তনের উন্নয়ন। লিউ, ওয়াই. এবং ট্যাং, সি. পৃষ্ঠতলে NiS ন্যানোকণা স্থাপনের মাধ্যমে TiO2 ন্যানো-শীট ফিল্মের উপর আলোক অনুঘটকীয় H2 বিবর্তনের উন্নয়ন।লিউ, ওয়াই. এবং ট্যাং, কে.। পৃষ্ঠতলে NiS ন্যানোকণা স্থাপনের মাধ্যমে TiO2 ন্যানোশিট ফিল্মে আলোক অনুঘটকীয় H2 নিঃসরণের উন্নয়ন। লিউ, ওয়াই এবং ট্যাং, সি. 通过表面负载NiS 纳米颗粒增强TiO2 纳米片薄膜上光催化产氢। লিউ, ওয়াই. এবং ট্যাং, সি.লিউ, ওয়াই. এবং ট্যাং, কে. পৃষ্ঠতলে NiS ন্যানোকণা জমা করার মাধ্যমে TiO2 ন্যানোশীটের পাতলা ফিল্মে উন্নত আলোক অনুঘটকীয় হাইড্রোজেন উৎপাদন।লাস. জে. ফিজিক্স. কেমিক্যাল. এ ৯০, ১০৪২–১০৪৮ (২০১৬)।
হুয়াং, এক্সডব্লিউ এবং লিউ, জেডজে অ্যানোডাইজেশন এবং রাসায়নিক জারণ পদ্ধতিতে প্রস্তুত টিআই-ও-ভিত্তিক ন্যানোওয়্যার ফিল্মের গঠন ও বৈশিষ্ট্যের তুলনামূলক অধ্যয়ন। হুয়াং, এক্সডব্লিউ এবং লিউ, জেডজে অ্যানোডাইজেশন এবং রাসায়নিক জারণ পদ্ধতিতে প্রস্তুত টিআই-ও-ভিত্তিক ন্যানোওয়্যার ফিল্মের গঠন ও বৈশিষ্ট্যের তুলনামূলক অধ্যয়ন। Huang, XW এবং Liu, ZJ Сравнительное исследование структуры и свойств пленок нанопроводов на основе Ti-O, полученных методаминова химического окисления. হুয়াং, এক্সডব্লিউ এবং লিউ, জেডজে অ্যানোডাইজিং এবং রাসায়নিক জারণ পদ্ধতিতে প্রাপ্ত Ti-O ন্যানোওয়্যার ফিল্মের গঠন ও বৈশিষ্ট্যের একটি তুলনামূলক অধ্যয়ন। হুয়াং, এক্সডব্লিউ এবং লিউ, জেডজে 阳极氧化法和化学氧化法制备的Ti-O 基纳米线薄膜结构和性能的比辶构和性能的比辶。 হুয়াং, এক্সডব্লিউ এবং লিউ, জেডজে 阳极অক্সিডেশন法和রাসায়নিক অক্সিডেশন法প্রস্তুতি টাই-ও基基基小线পাতলা ফিল্ম কাঠামো এবং সম্পত্তির তুলনামূলক গবেষণা। হুয়াং, এক্সডব্লিউ এবং লিউ, জেডজে Сравнительное исследование структуры и свойств тонких пленок из нанопроволоки на основе Ti-O, полученнных полученных химическим окислением. হুয়াং, এক্সডব্লিউ এবং লিউ, জেডজে অ্যানোডাইজেশন এবং রাসায়নিক জারণ পদ্ধতিতে প্রস্তুত টিআই-ও ন্যানোওয়্যার পাতলা ফিল্মের গঠন ও বৈশিষ্ট্যের একটি তুলনামূলক অধ্যয়ন।জে. আলমা মেটার. সায়েন্স টেকনোলজি ৩০, ৮৭৮–৮৮৩ (২০১৪)।
লি, এইচ., ওয়াং, এক্সটি, লিউ, ওয়াই. এবং হাউ, বিআর দৃশ্যমান আলোর অধীনে 304SS-এর সুরক্ষার জন্য Ag এবং SnO2 সহ-সংবেদিত TiO2 ফটোঅ্যানোড। লি, এইচ., ওয়াং, এক্সটি, লিউ, ওয়াই. এবং হাউ, বিআর দৃশ্যমান আলোর অধীনে 304SS-এর সুরক্ষার জন্য Ag এবং SnO2 সহ-সংবেদিত TiO2 ফটোঅ্যানোড। Li, H., Wang, XT, Liu, Y. & Hou, BR Ag и SnO2 совместно сенсибилизировали фотоаноды TiO2 для защиты 304SS в видимом свете. লি, এইচ., ওয়াং, এক্সটি, লিউ, ওয়াই. এবং হাউ, বিআর। দৃশ্যমান আলোতে 304SS-কে সুরক্ষিত করার জন্য Ag এবং SnO2 দ্বারা সহ-সংবেদিত TiO2 ফটোঅ্যানোড। Li, H., Wang, XT, Liu, Y. & Hou, BR Ag 和SnO2 共敏化TiO2 光阳极，用于在可见光下保护304SS। লি, এইচ., ওয়াং, এক্সটি, লিউ, ওয়াই. এবং হাউ, বিআর এজি Li, H., Wang, XT, Liu, Y. & Hou, BR Фотоанод TiO2, совместно сенсибилизированный Ag и SnO2, для защиты 304SS в видимом свет. লি, এইচ., ওয়াং, এক্সটি, লিউ, ওয়াই. এবং হাউ, বিআর: 304SS-এর দৃশ্যমান আলো থেকে সুরক্ষার জন্য Ag এবং SnO2 দ্বারা সহ-সংবেদিত একটি TiO2 ফটোঅ্যানোড।কোরোস। বিজ্ঞান। ৮২, ১৪৫–১৫৩ (২০১৪)।
ওয়েন, জেডএইচ, ওয়াং, এন., ওয়াং, জে. এবং হাউ, বিআর দৃশ্যমান আলোর অধীনে 304 এসএস-এর ফটোক্যাথোডিক সুরক্ষার জন্য Ag এবং CoFe2O4 দ্বারা সহ-সংবেদিত TiO2 ন্যানোওয়্যার। ওয়েন, জেডএইচ, ওয়াং, এন., ওয়াং, জে. এবং হাউ, বিআর দৃশ্যমান আলোর অধীনে 304 এসএস-এর ফটোক্যাথোডিক সুরক্ষার জন্য Ag এবং CoFe2O4 দ্বারা সহ-সংবেদিত TiO2 ন্যানোওয়্যার।ওয়েন, জেডএইচ, ওয়াং, এন., ওয়াং, জে. এবং হাও, বিআর দৃশ্যমান আলোতে 304 এসএস ফটোক্যাথোড সুরক্ষার জন্য TiO2 ন্যানোওয়্যারের সাথে Ag এবং CoFe2O4 এর সহ-সংবেদন। ওয়েন, জেডএইচ, ওয়াং, এন., ওয়াং, জে. অ্যান্ড হাউ, বিআর এজি 和CoFe2O4 共敏化TiO2 纳米线，用于在可见光下对304 SS 进行光。 护下对304 SS Wen, ZH, Wang, N., Wang, J. & Hou, BR Agওয়েন, জেডএইচ, ওয়াং, এন., ওয়াং, জে. এবং হাও, বিআর; দৃশ্যমান আলোতে 304 এসএস ফটোক্যাথোড সুরক্ষার জন্য Ag এবং CoFe2O4 দ্বারা সহ-সংবেদিত TiO2 ন্যানোওয়্যার।ব্যাখ্যা। জে. ইলেক্ট্রোকেমিস্ট্রি। দ্য সায়েন্স। ১৩, ৭৫২–৭৬১ (২০১৮)।
বু, ওয়াইওয়াই এবং আও, জেপি ধাতুর জন্য আলোকতড়িৎরাসায়নিক ক্যাথোডিক সুরক্ষা সেমিকন্ডাক্টর পাতলা ফিল্মের উপর একটি পর্যালোচনা। বু, ওয়াইওয়াই এবং আও, জেপি: ধাতুর জন্য সেমিকন্ডাক্টর পাতলা ফিল্মের ফটোইলেক্ট্রোকেমিক্যাল ক্যাথোডিক সুরক্ষার উপর একটি পর্যালোচনা। Bu, YY & Ao, JP Обзор фотоэлектрохимической катодной защиты тонких полупроводниковых пленок для металлов. বু, ওয়াইওয়াই এবং আও, জেপি "ধাতুর জন্য সেমিকন্ডাক্টর পাতলা ফিল্মের ফটোইলেক্ট্রোকেমিক্যাল ক্যাথোডিক সুরক্ষার পর্যালোচনা"। Bu, YY & Ao, JP 金属光电化学阴极保护半导体薄膜综述। Bu, YY & Ao, JP মেটালাইজেশন 光电视光阴极电影电影电影电视设计। Bu, YY & Ao, JP Обзор металлической фотоэлектрохимической катодной защиты тонких полупроводниковых пленок. বু, ওয়াইওয়াই এবং আও, জেপি পাতলা সেমিকন্ডাক্টর ফিল্মের ধাতব ফটোইলেক্ট্রোকেমিক্যাল ক্যাথোডিক সুরক্ষার একটি পর্যালোচনা।একটি সবুজ শক্তি পরিবেশ। ২, ৩৩১–৩৬২ (২০১৭)।