Nature.com-এ আসার জন্য আপনাকে ধন্যবাদ। আপনি যে ব্রাউজার সংস্করণটি ব্যবহার করছেন তাতে CSS-এর সীমিত সমর্থন রয়েছে। সর্বোত্তম অভিজ্ঞতার জন্য, আমরা আপনাকে একটি হালনাগাদ ব্রাউজার ব্যবহার করার (অথবা ইন্টারনেট এক্সপ্লোরারে কম্প্যাটিবিলিটি মোড বন্ধ করার) পরামর্শ দিচ্ছি। আপাতত, নিরবচ্ছিন্ন সমর্থন নিশ্চিত করার জন্য, আমরা স্টাইলিং এবং জাভাস্ক্রিপ্ট ছাড়াই সাইটটি প্রদর্শন করব।
উৎপাদন প্রক্রিয়ায় পণ্যের অণুসজ্জা নিয়ন্ত্রণের জন্য সিলেক্টিভ লেজার মেল্টিং-ভিত্তিক একটি নতুন কৌশল প্রস্তাব করা হয়েছে। এই কৌশলটি জটিল তীব্রতা-মডুলেটেড লেজার বিকিরণের মাধ্যমে গলিত পুলে উচ্চ-তীব্রতার আলট্রাসনিক তরঙ্গ তৈরির উপর নির্ভর করে। পরীক্ষামূলক গবেষণা এবং সংখ্যাসূচক সিমুলেশন দেখায় যে এই নিয়ন্ত্রণ কৌশলটি প্রযুক্তিগতভাবে সম্ভব এবং আধুনিক সিলেক্টিভ লেজার মেল্টিং মেশিনের নকশায় কার্যকরভাবে একীভূত করা যেতে পারে।
সাম্প্রতিক দশকগুলিতে জটিল আকৃতির যন্ত্রাংশের অ্যাডিটিভ ম্যানুফ্যাকচারিং (AM) উল্লেখযোগ্যভাবে বৃদ্ধি পেয়েছে। যাইহোক, সিলেক্টিভ লেজার মেল্টিং (SLM)¹,²,³, ডাইরেক্ট লেজার মেটাল ডিপোজিশন⁴,⁵,⁶, ইলেকট্রন বিম মেল্টিং⁷,⁸ এবং অন্যান্য⁹,¹⁰ সহ বিভিন্ন অ্যাডিটিভ ম্যানুফ্যাকচারিং প্রক্রিয়া থাকা সত্ত্বেও, যন্ত্রাংশগুলি ত্রুটিপূর্ণ হতে পারে। এর প্রধান কারণ হলো উচ্চ তাপীয় গ্রেডিয়েন্ট, উচ্চ শীতলীকরণের হার এবং উপাদান গলানো ও পুনরায় গলানোর ক্ষেত্রে উত্তাপন চক্রের জটিলতার সাথে সম্পর্কিত গলিত পুলের কঠিনীকরণ প্রক্রিয়ার নির্দিষ্ট বৈশিষ্ট্য¹¹, যা এপিটেক্সিয়াল দানার বৃদ্ধি এবং উল্লেখযোগ্য ছিদ্রতা¹²,¹³ সৃষ্টি করে। ফলাফল থেকে দেখা যায় যে, সূক্ষ্ম ইকুয়াক্সড দানার কাঠামো অর্জনের জন্য তাপীয় গ্রেডিয়েন্ট, শীতলীকরণের হার এবং সংকর ধাতুর গঠন নিয়ন্ত্রণ করা, অথবা বিভিন্ন বৈশিষ্ট্যযুক্ত বাহ্যিক ক্ষেত্রের (যেমন, আল্ট্রাসাউন্ড) মাধ্যমে অতিরিক্ত ভৌত অভিঘাত প্রয়োগ করা প্রয়োজন।
প্রচলিত ঢালাই প্রক্রিয়ায় কঠিনীভবন প্রক্রিয়ার উপর কম্পন প্রয়োগের প্রভাব নিয়ে অসংখ্য প্রকাশনা রয়েছে¹⁴,¹⁵। তবে, গলিত পদার্থের উপর বাহ্যিক ক্ষেত্র প্রয়োগ করলে কাঙ্ক্ষিত পদার্থের অণুসজ্জা তৈরি হয় না। যদি তরল দশার আয়তন কম হয়, তবে পরিস্থিতি নাটকীয়ভাবে পরিবর্তিত হয়। এক্ষেত্রে, বাহ্যিক ক্ষেত্র কঠিনীভবন প্রক্রিয়াকে উল্লেখযোগ্যভাবে প্রভাবিত করে। তীব্র শাব্দিক ক্ষেত্র¹⁶,¹⁷,¹⁸,¹⁹,²⁰,²¹,²²,²³,²⁴,²⁵,²⁶,²⁷, আর্ক আলোড়ন²⁸ এবং দোলন²⁹, স্পন্দিত প্লাজমা আর্ক³⁰,³¹ এবং অন্যান্য পদ্ধতি³² ব্যবহারের সময় তড়িৎচুম্বকীয় প্রভাব বিবেচনা করা হয়েছে। একটি বাহ্যিক উচ্চ-তীব্রতার আল্ট্রাসাউন্ড উৎস (২০ কিলোহার্জে) ব্যবহার করে সাবস্ট্রেটের সাথে সংযুক্ত করা হয়। আল্ট্রাসাউন্ড-প্ররোচিত দানা সূক্ষ্মকরণের কারণ হলো হ্রাসপ্রাপ্ত তাপমাত্রার গ্রেডিয়েন্টের ফলে সৃষ্ট বর্ধিত গঠনগত সাবকুলিং জোন এবং ক্যাভিটেশনের মাধ্যমে নতুন ক্রিস্টালাইট তৈরিতে আল্ট্রাসাউন্ডের সহায়ক ভূমিকা।
এই গবেষণায়, আমরা গলনকারী লেজার থেকেই উৎপন্ন শব্দ তরঙ্গ দ্বারা গলিত পুলকে সনিকেট করে অস্টেনিটিক স্টেইনলেস স্টিলের দানা কাঠামো পরিবর্তন করার সম্ভাবনা অনুসন্ধান করেছি। আলো-শোষণকারী মাধ্যমে আপতিত লেজার বিকিরণের তীব্রতা পরিবর্তনের ফলে আল্ট্রাসনিক তরঙ্গ উৎপন্ন হয়, যা উপাদানটির অণুসজ্জা পরিবর্তন করে। লেজার বিকিরণের এই তীব্রতা পরিবর্তন সহজেই বিদ্যমান এসএলএম ৩ডি প্রিন্টারগুলিতে একীভূত করা যেতে পারে। এই গবেষণার পরীক্ষাগুলি স্টেইনলেস স্টিলের প্লেটের উপর করা হয়েছিল, যার পৃষ্ঠতল তীব্রতা-পরিবর্তিত লেজার বিকিরণের সংস্পর্শে আনা হয়েছিল। সুতরাং, প্রযুক্তিগতভাবে, লেজার পৃষ্ঠ প্রক্রিয়াকরণ করা হয়। তবে, যদি স্তর-পর-স্তর নির্মাণের সময় প্রতিটি স্তরের পৃষ্ঠে এই ধরনের লেজার প্রক্রিয়াকরণ করা হয়, তবে সম্পূর্ণ আয়তনের উপর বা আয়তনের নির্বাচিত অংশগুলির উপর প্রভাব অর্জন করা যায়। অন্য কথায়, যদি অংশটি স্তর-পর-স্তর নির্মিত হয়, তবে প্রতিটি স্তরের লেজার পৃষ্ঠ প্রক্রিয়াকরণ "লেজার আয়তন প্রক্রিয়াকরণ"-এর সমতুল্য।
অন্যদিকে, আলট্রাসনিক হর্ন-ভিত্তিক আলট্রাসনিক থেরাপিতে, স্থির শব্দ তরঙ্গের আলট্রাসনিক শক্তি উপাদানটির সর্বত্র ছড়িয়ে পড়ে, যেখানে লেজার-প্ররোচিত আলট্রাসনিক তীব্রতা লেজার বিকিরণ শোষিত হওয়ার বিন্দুর কাছাকাছি অত্যন্ত ঘনীভূত থাকে। একটি SLM পাউডার বেড ফিউশন মেশিনে সোনোট্রোড ব্যবহার করা জটিল, কারণ লেজার বিকিরণের সংস্পর্শে আসা পাউডার বেডের উপরের পৃষ্ঠকে স্থির রাখতে হয়। এছাড়াও, যন্ত্রাংশটির উপরের পৃষ্ঠে কোনো যান্ত্রিক চাপ থাকে না। তাই, শাব্দিক চাপ প্রায় শূন্য থাকে এবং যন্ত্রাংশটির সমগ্র উপরের পৃষ্ঠ জুড়ে কণার বেগের সর্বোচ্চ বিস্তার থাকে। পুরো গলিত পুলের ভেতরের শব্দচাপ ওয়েল্ডিং হেড দ্বারা উৎপন্ন সর্বোচ্চ চাপের ০.১% অতিক্রম করতে পারে না, কারণ স্টেইনলেস স্টিলে ২০ কিলোহার্জ কম্পাঙ্কের আলট্রাসনিক তরঙ্গের তরঙ্গদৈর্ঘ্য প্রায় ০.৩ মিটার এবং এর গভীরতা সাধারণত প্রায় ০.৩ মিলিমিটারের চেয়ে কম হয়। তাই, ক্যাভিটেশনের উপর আলট্রাসনিকের প্রভাব সামান্য হতে পারে।
উল্লেখ্য যে, সরাসরি লেজার ধাতু জমা পদ্ধতিতে তীব্রতা-মডুলেটেড লেজার বিকিরণের ব্যবহার একটি সক্রিয় গবেষণা ক্ষেত্র³⁵,³⁶,³⁷,³⁸।
মাধ্যমের উপর আপতিত লেজার বিকিরণের তাপীয় প্রভাবই হলো বস্তু প্রক্রিয়াকরণের জন্য ব্যবহৃত প্রায় সকল লেজার কৌশলের (৩৯, ৪০) ভিত্তি, যেমন—কাটা (৪১), ঝালাই, শক্তকরণ, ছিদ্র করা (৪২), পৃষ্ঠ পরিষ্কার করা, পৃষ্ঠে সংকর ধাতু তৈরি, পৃষ্ঠ মসৃণ করা (৪৩) ইত্যাদি। লেজারের আবিষ্কার বস্তু প্রক্রিয়াকরণ কৌশলে নতুন নতুন উন্নয়নের সূচনা করেছে এবং এর প্রাথমিক ফলাফল অসংখ্য পর্যালোচনা ও মনোগ্রাফে (৪৪,৪৫,৪৬) সংক্ষিপ্ত আকারে তুলে ধরা হয়েছে।
উল্লেখ্য যে, মাধ্যমের উপর যেকোনো অস্থির ক্রিয়া, যার মধ্যে শোষক মাধ্যমের উপর লেজিং ক্রিয়াও অন্তর্ভুক্ত, তাতে কমবেশি দক্ষতার সাথে শাব্দিক তরঙ্গের উত্তেজনা সৃষ্টি করে। প্রাথমিকভাবে, প্রধান মনোযোগ ছিল তরলে লেজার দ্বারা তরঙ্গের উত্তেজনা এবং শব্দের বিভিন্ন তাপীয় উত্তেজনা প্রক্রিয়ার (তাপীয় প্রসারণ, বাষ্পীভবন, দশা পরিবর্তনের সময় আয়তন পরিবর্তন, সংকোচন, ইত্যাদি) উপর ৪৭, ৪৮, ৪৯। অসংখ্য মনোগ্রাফ৫০, ৫১, ৫২ এই প্রক্রিয়ার তাত্ত্বিক বিশ্লেষণ এবং এর সম্ভাব্য ব্যবহারিক প্রয়োগ প্রদান করে।
পরবর্তীকালে এই বিষয়গুলি বিভিন্ন সম্মেলনে আলোচিত হয়েছিল, এবং আল্ট্রাসাউন্ডের লেজার এক্সাইটেশনের প্রয়োগ লেজার প্রযুক্তির শিল্পক্ষেত্রে প্রয়োগ৫৩ এবং চিকিৎসাক্ষেত্রে৫৪ উভয় ক্ষেত্রেই রয়েছে। অতএব, এটি বিবেচনা করা যেতে পারে যে স্পন্দিত লেজার আলো কীভাবে একটি শোষণকারী মাধ্যমের উপর কাজ করে সেই প্রক্রিয়ার মৌলিক ধারণা প্রতিষ্ঠিত হয়েছে। এসএলএম-নির্মিত নমুনার ত্রুটি সনাক্তকরণের জন্য লেজার আল্ট্রাসোনিক পরিদর্শন ব্যবহৃত হয়৫৫,৫৬।
পদার্থের উপর লেজার-উৎপাদিত শক ওয়েভের প্রভাবই হলো লেজার শক পিনিং৫৭,৫৮,৫৯-এর ভিত্তি, যা অ্যাডিটিভলি ম্যানুফ্যাকচারড যন্ত্রাংশের পৃষ্ঠতল প্রক্রিয়াকরণের জন্যও ব্যবহৃত হয়৬০। তবে, লেজার শক স্ট্রেংদেনিং ন্যানোসেকেন্ড লেজার পালস এবং যান্ত্রিকভাবে ভারযুক্ত পৃষ্ঠতলে (যেমন, তরলের স্তরসহ)৫৯ সবচেয়ে কার্যকর, কারণ যান্ত্রিক ভার সর্বোচ্চ চাপ বৃদ্ধি করে।
কঠিনীভূত পদার্থের অণুসজ্জার উপর বিভিন্ন ভৌত ক্ষেত্রের সম্ভাব্য প্রভাব অনুসন্ধান করার জন্য পরীক্ষা-নিরীক্ষা চালানো হয়েছিল। পরীক্ষামূলক সেটআপের কার্যকরী চিত্রটি চিত্র ১-এ দেখানো হয়েছে। একটি পালসড Nd:YAG সলিড-স্টেট লেজার ব্যবহার করা হয়েছিল যা ফ্রি-রানিং মোডে (পালসের সময়কাল \(\tau _L \sim 150~\upmu \text {s}\ )) পরিচালিত হয়। প্রতিটি লেজার পালসকে এক সারি নিউট্রাল ডেনসিটি ফিল্টার এবং একটি বিম স্প্লিটার প্লেট সিস্টেমের মধ্য দিয়ে পাঠানো হয়। নিউট্রাল ডেনসিটি ফিল্টারগুলোর সমন্বয়ের উপর নির্ভর করে, টার্গেটের উপর পালসের শক্তি \(E_L \sim 20~\text {mJ}\) থেকে \(E_L \sim 100~\text {mJ}\) পর্যন্ত পরিবর্তিত হয়। বিম স্প্লিটার থেকে প্রতিফলিত লেজার রশ্মি একযোগে ডেটা সংগ্রহের জন্য একটি ফটোডায়োডে পাঠানো হয়, এবং টার্গেটে আপতিত ও প্রতিফলিত রশ্মির পরিমাণ নির্ণয়ের জন্য দুটি ক্যালোরিমিটার (১ মিলিসেকেন্ডের বেশি দীর্ঘ প্রতিক্রিয়া সময়যুক্ত ফটোডায়োড) এবং দুটি পাওয়ার মিটার ব্যবহার করা হয়। আপতিত এবং প্রতিফলিত আলোক শক্তি নির্ধারণ করার জন্য স্বল্প প্রতিক্রিয়া সময় (<10 ন্যানোসেকেন্ড) যুক্ত ফটোডায়োড ব্যবহার করা হয়। নমুনা স্থানে স্থাপিত একটি থার্মোপাইল ডিটেক্টর Gentec-EO XLP12-3S-H2-D0 এবং একটি ডাইইলেকট্রিক মিরর ব্যবহার করে ক্যালোরিমিটার এবং পাওয়ার মিটারগুলিকে পরম এককে মান দেওয়ার জন্য ক্যালিব্রেট করা হয়েছিল। একটি লেন্স (১.০৬ মাইক্রোমিটারে অ্যান্টিরিফ্লেকশন কোটিং, ১৬০ মিলিমিটার ফোকাল দৈর্ঘ্য) এবং লক্ষ্য পৃষ্ঠে ৬০-১০০ মাইক্রোমিটার বিম ওয়েস্ট ব্যবহার করে বিমটিকে লক্ষ্যের উপর ফোকাস করা হয়।
পরীক্ষামূলক সেটআপের কার্যকরী স্কিম্যাটিক ডায়াগ্রাম: ১—লেজার; ২—লেজার রশ্মি; ৩—নিউট্রাল ডেনসিটি ফিল্টার; ৪—সিঙ্ক্রোনাইজড ফটোডায়োড; ৫—বিম স্প্লিটার; ৬—ডায়াফ্রাম; ৭—আপতিত রশ্মির ক্যালোরিমিটার; ৮—প্রতিফলিত রশ্মির ক্যালোরিমিটার; ৯—আপতিত রশ্মির পাওয়ার মিটার; ১০—প্রতিফলিত রশ্মির পাওয়ার মিটার; ১১—ফোকাসিং লেন্স; ১২—আয়না; ১৩—নমুনা; ১৪—ব্রডব্যান্ড পিজোইলেকট্রিক ট্রান্সডিউসার; ১৫—টুডি কনভার্টার; ১৬—পজিশনিং মাইক্রোকন্ট্রোলার; ১৭—সিঙ্ক্রোনাইজেশন ইউনিট; ১৮—বিভিন্ন স্যাম্পলিং রেট সহ মাল্টি-চ্যানেল ডিজিটাল অ্যাকুইজিশন সিস্টেম; ১৯—পার্সোনাল কম্পিউটার।
আল্ট্রাসনিক চিকিৎসা নিম্নোক্তভাবে সম্পন্ন করা হয়। লেজারটি ফ্রি-রানিং মোডে কাজ করে; তাই লেজার পালসের সময়কাল \(\tau _L \sim 150~\upmu \text {s}\), যা প্রায় \(1.5~\upmu \text {s} \) করে একাধিক সময়কাল নিয়ে গঠিত। লেজার পালসের টেম্পোরাল আকৃতি এবং এর স্পেকট্রাম একটি নিম্ন-ফ্রিকোয়েন্সি এনভেলপ এবং একটি উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি মডুলেশন নিয়ে গঠিত, যার গড় ফ্রিকোয়েন্সি প্রায় \(0.7~\text {MHz}\), যেমনটি চিত্র ২-এ দেখানো হয়েছে। ফ্রিকোয়েন্সি এনভেলপটি পদার্থের উত্তাপন এবং পরবর্তী গলন ও বাষ্পীভবন ঘটায়, যখন উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি উপাদানটি ফটোঅ্যাকোস্টিক প্রভাবের কারণে আল্ট্রাসনিক কম্পন সরবরাহ করে। লেজার দ্বারা উৎপন্ন আল্ট্রাসনিক পালসের তরঙ্গরূপ প্রধানত লেজার পালসের তীব্রতার সময় আকৃতি দ্বারা নির্ধারিত হয়। এর পরিসর \(7~\text {kHz}\) থেকে \(2~\text {MHz}\) পর্যন্ত, এবং কেন্দ্রিক কম্পাঙ্ক হলো \(~ 0.7~\text {MHz}\)। পলিভিনাইলিডিন ফ্লোরাইড ফিল্ম দিয়ে তৈরি ব্রডব্যান্ড পিজোইলেকট্রিক ট্রান্সডিউসার ব্যবহার করে ফটোঅ্যাকোস্টিক প্রভাবের কারণে সৃষ্ট অ্যাকোস্টিক পালসগুলো রেকর্ড করা হয়েছিল। রেকর্ডকৃত তরঙ্গরূপ এবং এর স্পেকট্রাম চিত্র ২-এ দেখানো হয়েছে। এটি উল্লেখ্য যে, লেজার পালসগুলোর আকৃতি একটি ফ্রি-রানিং মোড লেজারের সাধারণ আকৃতির অনুরূপ।
একটি একক লেজার পালসের (নীল রেখা) জন্য, ৩০০টি লেজার পালসের গড় (লাল রেখা) অনুযায়ী লেজার পালসের তীব্রতার (ক) এবং নমুনার পশ্চাৎ পৃষ্ঠে শব্দের গতির (খ) কালিক বন্টন, লেজার পালসের (গ) এবং আল্ট্রাসনিক পালসের (ঘ) স্পেকট্রাম।
আমরা অ্যাকোস্টিক ট্রিটমেন্টের নিম্ন-কম্পাঙ্ক এবং উচ্চ-কম্পাঙ্ক উপাদানগুলোকে স্পষ্টভাবে আলাদা করতে পারি, যা যথাক্রমে লেজার পালসের নিম্ন-কম্পাঙ্ক এনভেলপ এবং উচ্চ-কম্পাঙ্ক মডুলেশনের সাথে সঙ্গতিপূর্ণ। লেজার পালস এনভেলপ দ্বারা উৎপন্ন অ্যাকোস্টিক তরঙ্গের তরঙ্গদৈর্ঘ্য \(40~\text {cm}\) অতিক্রম করে; অতএব, মাইক্রোস্ট্রাকচারের উপর অ্যাকোস্টিক সিগন্যালের ব্রডব্যান্ড উচ্চ-কম্পাঙ্ক উপাদানগুলোর প্রধান প্রভাব প্রত্যাশিত।
এসএলএম-এর ভৌত প্রক্রিয়াগুলো জটিল এবং বিভিন্ন স্থানিক ও কালিক মাত্রায় একই সাথে ঘটে। তাই, এসএলএম-এর তাত্ত্বিক বিশ্লেষণের জন্য বহু-মাত্রার পদ্ধতিই সবচেয়ে উপযুক্ত। গাণিতিক মডেলগুলো প্রাথমিকভাবে বহু-ভৌত হওয়া উচিত। এর মাধ্যমে একটি নিষ্ক্রিয় গ্যাসীয় পরিমণ্ডলের সাথে মিথস্ক্রিয়াশীল বহু-দশা মাধ্যম “কঠিন-তরল গলিত”-এর বলবিদ্যা এবং তাপপদার্থবিদ্যা কার্যকরভাবে বর্ণনা করা যায়। এসএলএম-এ পদার্থের তাপীয় ভারের বৈশিষ্ট্যগুলো নিম্নরূপ।
\(10^{13}~\text {W} cm}^2\) পর্যন্ত শক্তি ঘনত্বে স্থানীয় লেজার বিকিরণের কারণে উত্তাপন এবং শীতলীকরণের হার \(10^6~\text {K}/\text {s}\) পর্যন্ত।
গলন-কঠিনীভবন চক্রটি ১ থেকে ১০ মিলিসেকেন্ড পর্যন্ত স্থায়ী হয়, যা শীতলীকরণের সময় গলিত অঞ্চলের দ্রুত কঠিনীভবনে সহায়তা করে।
নমুনার পৃষ্ঠতল দ্রুত উত্তপ্ত হওয়ার ফলে পৃষ্ঠ স্তরে উচ্চ তাপস্থিতিস্থাপক পীড়ন সৃষ্টি হয়। পাউডার স্তরের পর্যাপ্ত (২০% পর্যন্ত) অংশ তীব্রভাবে বাষ্পীভূত হয়৬৩, যার ফলে লেজার অ্যাবলেশনের প্রতিক্রিয়ায় পৃষ্ঠতলে একটি অতিরিক্ত চাপের সৃষ্টি হয়। ফলস্বরূপ, সৃষ্ট বিকৃতি যন্ত্রাংশের জ্যামিতিকে উল্লেখযোগ্যভাবে বিকৃত করে, বিশেষ করে সাপোর্ট এবং পাতলা কাঠামোগত উপাদানগুলোর কাছাকাছি। পালসড লেজার অ্যানিলিং-এ উচ্চ উত্তাপের হারের ফলে আল্ট্রাসনিক স্ট্রেইন তরঙ্গ উৎপন্ন হয় যা পৃষ্ঠ থেকে সাবস্ট্রেটের দিকে সঞ্চারিত হয়। স্থানীয় পীড়ন এবং বিকৃতির বন্টন সম্পর্কে সঠিক পরিমাণগত তথ্য পাওয়ার জন্য, তাপ ও ​​ভর স্থানান্তরের সাথে সংযুক্ত স্থিতিস্থাপক বিকৃতি সমস্যার একটি মেসোস্কোপিক সিমুলেশন করা হয়।
মডেলের নিয়ন্ত্রক সমীকরণগুলির মধ্যে রয়েছে (১) অস্থির তাপ স্থানান্তর সমীকরণ যেখানে তাপ পরিবাহিতা দশা অবস্থা (গুঁড়া, গলিত, বহুস্ফটিক) এবং তাপমাত্রার উপর নির্ভর করে, (২) কন্টিনিউয়াম অ্যাবলেশনের পরে স্থিতিস্থাপক বিকৃতির ওঠানামা এবং তাপস্থিতিস্থাপক প্রসারণ সমীকরণ। সীমানা মান সমস্যাটি পরীক্ষামূলক শর্ত দ্বারা নির্ধারিত হয়। মডুলেটেড লেজার ফ্লাক্স নমুনার পৃষ্ঠে সংজ্ঞায়িত করা হয়। পরিচলন শীতলীকরণের মধ্যে পরিবাহী তাপ বিনিময় এবং বাষ্পীভবন ফ্লাক্স অন্তর্ভুক্ত। বাষ্পীভূত পদার্থের সম্পৃক্ত বাষ্পচাপের গণনার উপর ভিত্তি করে ভর ফ্লাক্স সংজ্ঞায়িত করা হয়। স্থিতিস্থাপক-প্লাস্টিক পীড়ন-বিকৃতি সম্পর্ক ব্যবহার করা হয় যেখানে তাপস্থিতিস্থাপক পীড়ন তাপমাত্রার পার্থক্যের সমানুপাতিক। নামমাত্র ক্ষমতা \(300~\text {W}\), কম্পাঙ্ক \(10^5~\text {Hz}\), সবিরাম সহগ 100 এবং কার্যকর বিম ব্যাস \(200~\upmu \text {m}\ ) এর জন্য।
চিত্র ৩ একটি ম্যাক্রোস্কোপিক গাণিতিক মডেল ব্যবহার করে গলিত অঞ্চলের সংখ্যাসূচক সিমুলেশনের ফলাফল দেখায়। ফিউশন জোনের ব্যাস হলো \(200~\upmu \text {m}\) (\(100~\upmu \text {m}\) ব্যাসার্ধ) এবং গভীরতা \(40~\upmu \text {m}\)। সিমুলেশনের ফলাফল দেখায় যে পালস মডুলেশনের উচ্চ বিরতিমূলক ফ্যাক্টরের কারণে পৃষ্ঠের তাপমাত্রা সময়ের সাথে স্থানীয়ভাবে \(100~\text {K}\) পরিবর্তিত হয়। উত্তাপন \(V_h\) এবং শীতলীকরণ \(V_c\) এর হার যথাক্রমে \(10^7\) এবং \(10^6~\text {K}/\text {s}\) ক্রমের। এই মানগুলি আমাদের পূর্ববর্তী বিশ্লেষণ64 এর সাথে ভালভাবে মিলে যায়। \(V_h\) এবং \(V_c\) এর মধ্যে মাত্রার ক্রমের পার্থক্যের ফলে পৃষ্ঠের স্তর দ্রুত অতি-উত্তপ্ত হয়, যেখানে সাবস্ট্রেটে তাপীয় পরিবাহিতা তাপ অপসারণের জন্য অপর্যাপ্ত। অতএব, \(t=26~\upmu \text {s}\) সময়ে পৃষ্ঠের তাপমাত্রা সর্বোচ্চ \(4800~\text {K}\) পর্যন্ত পৌঁছায়। উপাদানটির তীব্র বাষ্পীভবনের কারণে নমুনার পৃষ্ঠ অতিরিক্ত চাপের সম্মুখীন হতে পারে এবং খসে পড়তে পারে।
316L নমুনা প্লেটে একক লেজার পালস অ্যানিলিং-এর গলন অঞ্চলের সংখ্যাসূচক সিমুলেশন ফলাফল। পালসের শুরু থেকে গলিত পুলের গভীরতা সর্বোচ্চ মানে পৌঁছানো পর্যন্ত সময় হলো \(180~\upmu\text {s}\)। আইসোথার্ম\(T = T_L = 1723~\text {K}\) তরল এবং কঠিন দশার মধ্যবর্তী সীমানাকে প্রতিনিধিত্ব করে। আইসোবারগুলো (হলুদ রেখা) পরবর্তী বিভাগে তাপমাত্রার ফাংশন হিসাবে গণনা করা ইল্ড স্ট্রেসের সাথে সঙ্গতিপূর্ণ। অতএব, দুটি আইসোলাইনের (আইসোথার্ম\(T=T_L\) এবং আইসোবার\(\sigma =\sigma _V(T)\)) মধ্যবর্তী ডোমেইনে, কঠিন দশা শক্তিশালী যান্ত্রিক লোডের শিকার হয়, যা মাইক্রোস্ট্রাকচারে পরিবর্তন ঘটাতে পারে।
এই প্রভাবটি চিত্র 4a-তে আরও ব্যাখ্যা করা হয়েছে, যেখানে গলিত অঞ্চলের চাপের স্তরকে সময় এবং পৃষ্ঠ থেকে দূরত্বের ফাংশন হিসাবে প্লট করা হয়েছে। প্রথমত, চাপের আচরণটি উপরে চিত্র 2-তে বর্ণিত লেজার পালসের তীব্রতার মডুলেশনের সাথে সম্পর্কিত। প্রায় t=26µ-তে প্রায় 10 MPa-এর একটি সর্বোচ্চ চাপ (s) পর্যবেক্ষণ করা হয়েছিল। দ্বিতীয়ত, নিয়ন্ত্রণ বিন্দুতে স্থানীয় চাপের ওঠানামা 500 kHz কম্পাঙ্কের মতো একই দোলন বৈশিষ্ট্য দেখায়। এর মানে হল যে আল্ট্রাসনিক চাপ তরঙ্গ পৃষ্ঠে উৎপন্ন হয় এবং তারপর সাবস্ট্রেটের মধ্যে ছড়িয়ে পড়ে।
গলন অঞ্চলের নিকটবর্তী বিকৃতি অঞ্চলের গণনাকৃত বৈশিষ্ট্য চিত্র ৪খ-তে দেখানো হয়েছে। লেজার অ্যাবলেশন এবং তাপস্থিতিস্থাপক পীড়ন স্থিতিস্থাপক বিকৃতি তরঙ্গ তৈরি করে যা সাবস্ট্রেটের মধ্যে ছড়িয়ে পড়ে। চিত্র থেকে দেখা যায়, পীড়ন তৈরির দুটি পর্যায় রয়েছে। প্রথম পর্যায়ে, t < 40 µs, মাইসেস পীড়ন পৃষ্ঠচাপের অনুরূপ পরিবর্তন সহ 8 MPa পর্যন্ত বৃদ্ধি পায়। এই পীড়ন লেজার অ্যাবলেশনের কারণে ঘটে, এবং নিয়ন্ত্রণ বিন্দুগুলিতে কোনও তাপস্থিতিস্থাপক পীড়ন পরিলক্ষিত হয়নি কারণ প্রাথমিক তাপ-প্রভাবিত অঞ্চলটি খুব ছোট ছিল। যখন সাবস্ট্রেটে তাপ ছড়িয়ে পড়ে, তখন নিয়ন্ত্রণ বিন্দুটি 40 MPa-এর উপরে উচ্চ তাপস্থিতিস্থাপক পীড়ন তৈরি করে।
প্রাপ্ত মডুলেটেড স্ট্রেস লেভেল কঠিন-তরল ইন্টারফেসের উপর উল্লেখযোগ্য প্রভাব ফেলে এবং এটি কঠিনীভবন পথ নিয়ন্ত্রণকারী প্রক্রিয়া হতে পারে। বিকৃতি অঞ্চলের আকার গলন অঞ্চলের চেয়ে ২ থেকে ৩ গুণ বড়। চিত্র ৩-এ যেমন দেখানো হয়েছে, গলন আইসোথার্মের অবস্থান এবং ইল্ড স্ট্রেসের সমান স্ট্রেস লেভেলের তুলনা করা হয়েছে। এর অর্থ হলো, পালসড লেজার বিকিরণ তাৎক্ষণিক সময়ের উপর নির্ভর করে ৩০০ থেকে ৮০০ মাইক্রোমিটারের মধ্যে কার্যকর ব্যাসযুক্ত স্থানীয় অঞ্চলে উচ্চ যান্ত্রিক লোড সরবরাহ করে।
অতএব, পালসড লেজার অ্যানিলিং-এর জটিল মডুলেশন আল্ট্রাসনিক প্রভাবের দিকে পরিচালিত করে। আল্ট্রাসনিক লোডিং ছাড়া SLM-এর তুলনায় মাইক্রোস্ট্রাকচার নির্বাচনের পথটি ভিন্ন। বিকৃত অস্থিতিশীল অঞ্চলগুলি কঠিন দশায় সংকোচন এবং প্রসারণের পর্যায়ক্রমিক চক্রের দিকে পরিচালিত করে। এইভাবে, নতুন গ্রেইন বাউন্ডারি এবং সাবগ্রেইন বাউন্ডারি গঠন সম্ভবপর হয়ে ওঠে। অতএব, মাইক্রোস্ট্রাকচারাল বৈশিষ্ট্যগুলি ইচ্ছাকৃতভাবে পরিবর্তন করা যেতে পারে, যেমনটি নীচে দেখানো হয়েছে। প্রাপ্ত সিদ্ধান্তগুলি একটি পালস মডুলেশন-প্ররোচিত আল্ট্রাসাউন্ড-চালিত SLM প্রোটোটাইপ ডিজাইন করার সম্ভাবনা প্রদান করে। এই ক্ষেত্রে, অন্যত্র ব্যবহৃত পাইজোইলেকট্রিক ইন্ডাক্টর ২৬ বাদ দেওয়া যেতে পারে।
(ক) প্রতিসাম্য অক্ষ বরাবর পৃষ্ঠ থেকে 0, 20 এবং 40 µm দূরত্বে গণনা করা সময়ের সাপেক্ষে চাপ। (খ) নমুনার পৃষ্ঠ থেকে 70, 120 এবং 170 µm দূরত্বে একটি কঠিন ম্যাট্রিক্সে গণনা করা সময়-নির্ভর ভন মাইসেস পীড়ন।
২০ × ২০ × ৫ মিমি মাপের AISI 321H স্টেইনলেস স্টিল প্লেটের উপর পরীক্ষাগুলো করা হয়েছিল। প্রতিটি লেজার পালসের পর, প্লেটটি ৫০ মাইক্রোমিটার সরে যায় এবং টার্গেটের পৃষ্ঠে লেজার বিমের প্রস্থ প্রায় ১০০ মাইক্রোমিটার হয়। দানা সূক্ষ্মকরণের জন্য প্রক্রিয়াজাত উপাদানের পুনঃগলন ঘটাতে একই পথে পরপর পাঁচটি পর্যন্ত বিম পাস করা হয়। সব ক্ষেত্রে, লেজার বিকিরণের দোলনশীল উপাদানের উপর নির্ভর করে পুনঃগলিত অঞ্চলটিকে সনিকেট করা হয়েছিল। এর ফলে গড় দানার ক্ষেত্রফল ৫ গুণেরও বেশি হ্রাস পায়। চিত্র ৫ দেখায় যে পরবর্তী পুনঃগলন চক্রের (পাস) সংখ্যার সাথে লেজার-গলিত অঞ্চলের অণুসজ্জা কীভাবে পরিবর্তিত হয়।
সাবপ্লট (a,d,g,j) এবং (b,e,h,k) – লেজার গলিত অঞ্চলের অণুসজ্জা, সাবপ্লট (c,f,i,l) – রঙিন দানার ক্ষেত্র বন্টন। শেডিং হিস্টোগ্রাম গণনা করতে ব্যবহৃত কণাগুলিকে নির্দেশ করে। রঙগুলি দানার অঞ্চলগুলিকে নির্দেশ করে (হিস্টোগ্রামের শীর্ষে থাকা কালার বারটি দেখুন)। সাবপ্লট (ac) অপরিশোধিত স্টেইনলেস স্টিলকে নির্দেশ করে, এবং সাবপ্লট (df), (gi), (jl) যথাক্রমে ১, ৩ এবং ৫ বার পুনঃগলনকে নির্দেশ করে।
যেহেতু পরবর্তী পাসগুলোর মধ্যে লেজার পালসের শক্তি পরিবর্তিত হয় না, তাই গলিত অঞ্চলের গভীরতা একই থাকে। ফলে, পরবর্তী চ্যানেলটি পূর্ববর্তীটিকে সম্পূর্ণরূপে "আচ্ছাদিত" করে। তবে, হিস্টোগ্রাম থেকে দেখা যায় যে পাসের সংখ্যা বৃদ্ধির সাথে সাথে গড় এবং মধ্যক কণার ক্ষেত্রফল হ্রাস পায়। এটি ইঙ্গিত দিতে পারে যে লেজারটি গলিত পদার্থের পরিবর্তে সাবস্ট্রেটের উপর কাজ করছে।
গলিত পুলের দ্রুত শীতলীকরণের কারণে দানার সূক্ষ্মতা বৃদ্ধি পেতে পারে65। আরেকটি পরীক্ষা চালানো হয়েছিল যেখানে স্টেইনলেস স্টিল প্লেটের (321H এবং 316L) পৃষ্ঠকে বায়ুমণ্ডলে (চিত্র 6) এবং ভ্যাকুয়ামে (চিত্র 7) অবিচ্ছিন্ন তরঙ্গ লেজার বিকিরণের সংস্পর্শে আনা হয়েছিল। গড় লেজার শক্তি (যথাক্রমে 300 W এবং 100 W) এবং গলিত পুলের গভীরতা ফ্রি-রানিং মোডে Nd:YAG লেজারের পরীক্ষামূলক ফলাফলের কাছাকাছি। যাইহোক, একটি সাধারণ স্তম্ভাকার কাঠামো পরিলক্ষিত হয়েছিল।
একটি কন্টিনিউয়াস ওয়েভ লেজারের (৩০০ ওয়াট স্থির ক্ষমতা, ২০০ মিমি/সেকেন্ড স্ক্যান গতি, এআইএসআই ৩২১এইচ স্টেইনলেস স্টিল) লেজার-গলিত অঞ্চলের অণুসজ্জা।
(ক) একটি কন্টিনিউয়াস ওয়েভ লেজার (১০০ ওয়াট স্থির ক্ষমতা, ২০০ মিমি/সেকেন্ড স্ক্যান গতি, AISI 316L স্টেইনলেস স্টিল) দ্বারা ভ্যাকুয়ামে (~২ মিলিবার) লেজার-গলিত অঞ্চলের মাইক্রোস্ট্রাকচার এবং (খ) ইলেকট্রন ব্যাকস্ক্যাটার ডিফ্র্যাকশন চিত্র।
অতএব, এটি স্পষ্টভাবে দেখানো হয়েছে যে লেজার পালসের তীব্রতার জটিল পরিবর্তন চূড়ান্ত অণুসজ্জার উপর একটি উল্লেখযোগ্য প্রভাব ফেলে। আমরা বিশ্বাস করি যে এই প্রভাবটি যান্ত্রিক প্রকৃতির এবং এটি গলিত পদার্থের বিকিরিত পৃষ্ঠ থেকে নমুনার গভীরে ছড়িয়ে পড়া অতিস্বনক কম্পন তৈরির কারণে ঘটে। বাহ্যিক পিজোইলেকট্রিক ট্রান্সডিউসার এবং সোনোট্রোড ব্যবহার করে উচ্চ-তীব্রতার আল্ট্রাসাউন্ড প্রদানের মাধ্যমে Ti-6Al-4V সংকর ধাতু ২৬ এবং স্টেইনলেস স্টিল ৩৪ সহ বিভিন্ন উপাদানে ১৩, ২৬, ৩৪, ৬৬, ৬৭-তে অনুরূপ ফলাফল পাওয়া গেছে। সম্ভাব্য প্রক্রিয়াটি নিম্নরূপ অনুমান করা হয়েছে। তীব্র আল্ট্রাসাউন্ড অ্যাকোস্টিক ক্যাভিটেশন ঘটাতে পারে, যেমনটি অতি দ্রুত ইন সিটু সিনক্রোট্রন এক্স-রে ইমেজিং-এ প্রদর্শিত হয়েছে। ক্যাভিটেশন বুদবুদের পতন গলিত পদার্থে শক ওয়েভ তৈরি করে, যার সম্মুখ চাপ প্রায় \(100~\text {MPa}\)69 পর্যন্ত পৌঁছায়। এই ধরনের শক ওয়েভ তরল পদার্থের মধ্যে সংকট-আকারের কঠিন-দশা নিউক্লিয়াস গঠনে সহায়তা করার জন্য যথেষ্ট শক্তিশালী হতে পারে, যা বিঘ্নিত করে। স্তর-পর-স্তর সংযোজন উৎপাদনের সাধারণ স্তম্ভাকার দানা কাঠামো।
এখানে, আমরা তীব্র সনিকেশনের মাধ্যমে কাঠামোগত পরিবর্তনের জন্য দায়ী আরেকটি প্রক্রিয়া প্রস্তাব করছি। কঠিনীভবনের ঠিক পরেই, উপাদানটি গলনাঙ্কের কাছাকাছি একটি উচ্চ তাপমাত্রায় থাকে এবং এর ফলন পীড়ন (yield stress) অত্যন্ত কম থাকে। তীব্র আল্ট্রাসনিক তরঙ্গ প্লাস্টিক প্রবাহ ঘটাতে পারে, যা গরম, সদ্য কঠিনীভূত উপাদানটির দানার কাঠামো পরিবর্তন করে। যাইহোক, ফলন পীড়নের তাপমাত্রা নির্ভরতার উপর নির্ভরযোগ্য পরীক্ষামূলক তথ্য \(T\lesssim 1150~\text {K}\) তাপমাত্রায় পাওয়া যায় (চিত্র ৮ দেখুন)। অতএব, এই অনুমানটি পরীক্ষা করার জন্য, আমরা AISI 316 L স্টিলের অনুরূপ একটি Fe-Cr-Ni সংমিশ্রণের আণবিক গতিবিদ্যা (MD) সিমুলেশন করেছি, যাতে গলনাঙ্কের কাছাকাছি ফলন পীড়নের আচরণ মূল্যায়ন করা যায়। ফলন পীড়ন গণনা করার জন্য, আমরা ৭০, ৭১, ৭২, ৭৩-এ বিস্তারিত বর্ণিত MD শিয়ার স্ট্রেস রিলাক্সেশন কৌশল ব্যবহার করেছি। আন্তঃপারমাণবিক মিথস্ক্রিয়া গণনার জন্য, আমরা ৭৪ থেকে এমবেডেড অ্যাটমিক মডেল (EAM) ব্যবহার করেছি। MD সিমুলেশনগুলি LAMMPS কোড ৭৫, ৭৬ ব্যবহার করে করা হয়েছিল। MD সিমুলেশনগুলির বিস্তারিত বিবরণ পরে দেওয়া হবে। অন্যত্র প্রকাশিত। তাপমাত্রার ফাংশন হিসাবে ফলন পীড়নের MD গণনার ফলাফল চিত্র 8-এ উপলব্ধ পরীক্ষামূলক তথ্য এবং অন্যান্য মূল্যায়ন77,78,79,80,81,82-এর সাথে দেখানো হয়েছে।
AISI গ্রেড 316 অস্টেনিটিক স্টেইনলেস স্টিলের জন্য ইল্ড স্ট্রেস এবং MD সিমুলেশনের জন্য মডেলের গঠন বনাম তাপমাত্রা। পরীক্ষামূলক পরিমাপসমূহ রেফারেন্স থেকে নেওয়া হয়েছে: (ক) ৭৭, (খ) ৭৮, (গ) ৭৯, (ঘ) ৮০, (ঙ) ৮১। (চ) ৮২ হলো লেজার-সহায়ক অ্যাডিটিভ ম্যানুফ্যাকচারিংয়ের সময় ইন-লাইন স্ট্রেস পরিমাপের জন্য ইল্ড স্ট্রেস-তাপমাত্রা নির্ভরতার একটি অভিজ্ঞতামূলক মডেল। এই গবেষণায় বৃহৎ-স্কেল MD সিমুলেশনের ফলাফলগুলিকে ত্রুটিমুক্ত অসীম একক স্ফটিকের জন্য \(\vartriangleleft\) এবং হল-পেচ সম্পর্ক ব্যবহার করে গড় দানার আকার বিবেচনা করে সসীম দানার জন্য \(\vartriangleright\) হিসাবে চিহ্নিত করা হয়েছে। মাত্রা\(d = ৫০~\upmu \text {m}\)।
দেখা যায় যে \(T>1500~\text {K}\) তাপমাত্রায় ফলন পীড়ন \(40~\text {MPa}\) এর নিচে নেমে আসে। অন্যদিকে, অনুমান করা হয় যে লেজার-উৎপাদিত আলট্রাসনিক বিস্তার \(40~\text {MPa}\) অতিক্রম করে (চিত্র 4b দেখুন), যা সদ্য কঠিনীভূত হওয়া উত্তপ্ত পদার্থে প্লাস্টিক প্রবাহ প্ররোচিত করার জন্য যথেষ্ট।
একটি জটিল তীব্রতা-মডুলেটেড স্পন্দিত লেজার উৎস ব্যবহার করে SLM চলাকালীন 12Cr18Ni10Ti (AISI 321H) অস্টেনিটিক স্টেইনলেস স্টিলের অণুসজ্জা গঠন পরীক্ষামূলকভাবে অনুসন্ধান করা হয়েছিল।
১, ৩ বা ৫ বার পাসের পর ক্রমাগত লেজার পুনঃগলনের কারণে লেজার গলন অঞ্চলে কণার আকার হ্রাস লক্ষ্য করা গেছে।
ম্যাক্রোস্কোপিক মডেলিং থেকে দেখা যায় যে, যে অঞ্চলে আল্ট্রাসনিক বিকৃতি কঠিনীভবন ফ্রন্টকে ইতিবাচকভাবে প্রভাবিত করতে পারে, সেই অঞ্চলের আনুমানিক আকার \(1~\text {mm}\) পর্যন্ত হতে পারে।
আণুবীক্ষণিক এমডি মডেল থেকে দেখা যায় যে, AISI 316 অস্টেনিটিক স্টেইনলেস স্টিলের ফলন শক্তি গলনাঙ্কের কাছাকাছি উল্লেখযোগ্যভাবে হ্রাস পেয়ে \(40~\text {MPa}\) হয়।
প্রাপ্ত ফলাফলগুলো জটিল মডুলেটেড লেজার প্রক্রিয়াকরণ ব্যবহার করে পদার্থের অণুসজ্জা নিয়ন্ত্রণের একটি পদ্ধতির ইঙ্গিত দেয় এবং এটি পালসড এসএলএম কৌশলের নতুন পরিমার্জন তৈরির ভিত্তি হিসেবে কাজ করতে পারে।
লিউ, ওয়াই. এট আল. লেজার সিলেক্টিভ মেল্টিং দ্বারা ইন সিটু TiB2/AlSi10Mg কম্পোজিটের মাইক্রোস্ট্রাকচারাল বিবর্তন এবং যান্ত্রিক বৈশিষ্ট্য [জে]. জে. অ্যালয়স.কম্পাউন্ড.৮৫৩, ১৫৭২৮৭। https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2020.157287 (২০২১)।
গাও, এস. প্রমুখ। 316L স্টেইনলেস স্টিলের লেজার সিলেক্টিভ মেল্টিং-এর পুনঃস্ফটিকীকরণ গ্রেইন বাউন্ডারি ইঞ্জিনিয়ারিং [জে]। জার্নাল অফ আলমা মেটার। 200, 366–377। https://doi.org/10.1016/j.actamat.2020.09.015 (2020)।
চেন, এক্স. এবং কিউ, সি.। লেজার-গলিত টাইটানিয়াম সংকর ধাতুকে লেজার দ্বারা পুনরায় উত্তপ্ত করে বর্ধিত নমনীয়তা সম্পন্ন স্যান্ডউইচ মাইক্রোস্ট্রাকচারের ইন সিটু বিকাশ। সায়েন্স রিপোর্ট ১০, ১৫৮৭০। https://doi.org/10.1038/s41598-020-72627-x (২০২০)।
আজারনিয়া, এ. প্রমুখ। লেজার মেটাল ডিপোজিশন (এলএমডি) পদ্ধতিতে Ti-6Al-4V যন্ত্রাংশের অ্যাডিটিভ ম্যানুফ্যাকচারিং: প্রক্রিয়া, মাইক্রোস্ট্রাকচার এবং যান্ত্রিক বৈশিষ্ট্য। জে. অ্যালয়স.কম্পাউন্ড.৮০৪, ১৬৩–১৯১। https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2019.04.255 (২০১৯)।
কুমারা, সি. প্রমুখ। অ্যালয় 718-এর লেজার মেটাল পাউডার ডিরেক্টেড এনার্জি ডিপোজিশনের মাইক্রোস্ট্রাকচারাল মডেলিং। অ্যাড টু ম্যানুফ্যাকচার। 25, 357–364। https://doi.org/10.1016/j.addma.2018.11.024 (2019)।
বুসি, এম. প্রমুখ। লেজার শক পিনিং দ্বারা প্রক্রিয়াজাত সংযোজন পদ্ধতিতে নির্মিত নমুনার প্যারামেট্রিক নিউট্রন ব্র্যাগ এজ ইমেজিং গবেষণা। সায়েন্স রিপোর্ট ১১, ১৪৯১৯। https://doi.org/10.1038/s41598-021-94455-3 (২০২১)।
ট্যান, এক্স. প্রমুখ। ইলেকট্রন বিম মেল্টিং দ্বারা সংযোজনমূলকভাবে নির্মিত Ti-6Al-4V-এর গ্রেডিয়েন্ট মাইক্রোস্ট্রাকচার এবং যান্ত্রিক বৈশিষ্ট্য। আলমা মেটার জার্নাল। ৯৭, ১-১৬। https://doi.org/10.1016/j.actamat.2015.06.036 (২০১৫)।